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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFP38N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 38A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.3 EUR
50+9.56 EUR
100+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.22 EUR
10+9.53 EUR
100+9.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP3N80IXYSMOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP44N25X3IXYSMOSFETs TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.97 EUR
20+4.47 EUR
22+3.95 EUR
50+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100PIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100PMIXYSMOSFETs TO220 1KV 4A N-CH POLAR
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.76 EUR
10+11.79 EUR
100+8.51 EUR
500+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11 EUR
10+9.23 EUR
100+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100QIXYSMOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85XLittelfuseX-Class HiPERFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85XMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 3.5A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85XMLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85XMIXYSMOSFET 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP50N20X3IXYSDescription: DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP50N20X3IXYSMOSFETs TO220 200V 50A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP50N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP50N20X3Littelfusediscrete MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.84 EUR
50+9.85 EUR
100+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.22 EUR
10+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3MLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.26 EUR
50+12.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.42 EUR
10+9.59 EUR
100+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3MLittelfusePower MOSFET
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.08 EUR
25+9.51 EUR
50+8.95 EUR
100+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.73 EUR
13+7.04 EUR
14+6.22 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PIXYSMOSFETs 5 Amps 1000V
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+8.35 EUR
100+6.76 EUR
500+6.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.12 EUR
50+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.06 EUR
19+12.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.83 EUR
50+10.4 EUR
100+9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100PMIXYSMOSFETs TO220 1KV 5A N-CH POLAR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N50PMIXYSMOSFET 3.2 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.81 EUR
10+12.61 EUR
100+10.75 EUR
500+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.16 EUR
9+10.13 EUR
11+8.31 EUR
50+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.95 EUR
50+9.89 EUR
100+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3MIXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.96 EUR
10+11.13 EUR
100+10.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.25 EUR
9+10.21 EUR
11+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3MLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP6N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.61 EUR
7+13.36 EUR
10+11.3 EUR
25+9.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP6N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP6N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.84 EUR
50+9.85 EUR
100+9.16 EUR
500+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3IXYSMOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 3504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.5 EUR
10+11.46 EUR
100+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3MIXYSMOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N20X3MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP72N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 72A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.35 EUR
50+10.81 EUR
100+9.98 EUR
500+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.93 EUR
10+12.95 EUR
100+12.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.79 EUR
50+9.91 EUR
100+9.73 EUR
500+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.12 EUR
10+13.07 EUR
100+12.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP72N30X3M Transistor
Produktcode: 211484
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP76N15T2
Produktcode: 182305
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP76N15T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP76N15T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+8 EUR
50+7.56 EUR
100+6.47 EUR
250+6.12 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.53 EUR
10+6.91 EUR
100+6.83 EUR
500+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N100P
Produktcode: 148332
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.03 EUR
10+6.97 EUR
100+6.37 EUR
500+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
50+5.69 EUR
100+5.2 EUR
500+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80PMIXYSMOSFETs 4 Amps 800V 1.44 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.77 EUR
10+12.46 EUR
100+12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP80N25X3 - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.31 EUR
50+10.94 EUR
100+10.27 EUR
500+9.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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