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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT35GN120L2DQ2GMicrochip Technology / AtmelIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 594-598 Tag (e)
1+22.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 94A 379W TO264
Power - Max: 379 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Part Status: Active
Gate Charge: 220 nC
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Switching Energy: 2.315mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120SGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, D3, TO-268, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120SGMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP SINGLE 1200V 35A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: -, 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120SG/TRMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: -, 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120SG/TRMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-268 Tape & Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GN120SG/TRMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: -, 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2D2apt8
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2D2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 96A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/99ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.185mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 540 W
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2D2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2DF2APTTO-247
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 96A
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Part Status: Active
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2DQ2GMICROSEMIT-MAX/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2SC20Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120B2SC20Microchip TechnologyDescription: IGBT PT MOS 7 COMBI 1200 V 35 A
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120BGMICROSEMITO247-3/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 96A 543W TO247
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Part Status: Active
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/94ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+26.57 EUR
25+25.95 EUR
100+24.06 EUR
250+23.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120JMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120JDQ2MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GP120JFD2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 260 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GT120JU2MICROSEMISOT227/POWER MODULE - IGBT APT35
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GT120JU3MICROSEMISOT227/POWER MODULE - IGBT APT35
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 260 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35SM70BMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35SM70SMicrosemi CorporationDescription: SICFET 700V 35A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36GA60BMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
100+9.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 65A TO247
Power - Max: 290 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Gate Charge: 102 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 307µJ (on), 254µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36GA60BD15Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36GA60BD15Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 65A 290W TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36GA60SD15Microchip Technology / AtmelIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-268
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.61 EUR
10+16.59 EUR
100+15.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36GA60SD15Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 65A D3PAK
Switching Energy: 307µJ (on), 254µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 290 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Gate Charge: 102 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36N90BC3GMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - CoolMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36N90BC3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 36A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7463 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT36N90BC3GMICROSEMITO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT36
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT37F50BMICROSEMITO-247AD/37 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT37F50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT37F50BMicrosemiMOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT37F50BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 37 A TO-247
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT37F50BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 37A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT37F50SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT37F50SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5710 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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APT37M100B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247 T-MAX
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APT37M100B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT37M100B2Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1000 V 37 A TO-247 MAX
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APT37M100LMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1000 V 37 A TO-264
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APT37M100LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
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APT38F50JMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
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APT38F50JMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
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APT38F50JMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 500 V 38 A SOT-227
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APT38F80B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8 Транзистори
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APT38F80B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-247 MAX
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APT38F80B2MICROSEMITO247/41 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38F80
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APT38F80B2
Produktcode: 125002
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Transistoren > MOSFET N-CH
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APT38F80B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 800V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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4+46.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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APT38F80B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.83 EUR
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APT38F80LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 41A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.26 EUR
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APT38F80LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-264
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APT38M50JMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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APT38M50JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS8 500 V 38 A SOT-227
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APT38M50JMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 25 Stücke:
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APT38MMCLRPRO POWERDescription: PRO POWER - APT38MMCLR - PACKAGING TAPE PP 38MM X 66M
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Rollenlänge - imperial: 216ft
isCanonical: Y
hazardous: false
Bandbreite - Imperial: 1.49"
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Rollenlänge - metrisch: 66m
Bandbreite - Metrisch: 38mm
Klebebandfarbe: Transparent
Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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APT38N60BC6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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APT38N60BC6Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 38 A TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.66 EUR
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APT38N60BC6MICROSEMITO-247/38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT38N60BC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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APT38N60SC6Microchip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - CoolMOS
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APT38N60SC6MICROSEMID3 [S]
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT38N60SC6Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
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APT39F60JMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT39F60JMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 600 V 39 A SOT-227
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT39F60JMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
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APT39M60JMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT39M60JMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT39M60JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS8 600 V 39 A SOT-227
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APT4012BVRMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
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APT4012BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4012BVRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4014BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4014BVFRGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS5 400 V 14 Ohm TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4014BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4014HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4015AVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4016BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4016BVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
Produkt ist nicht verfügbar
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APT4016BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4016BVRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V TO-247
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4018BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4018HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4020ANAPT
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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