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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWT60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.25 EUR
28+8.43 EUR
100+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.17 EUR
510+3.09 EUR
600+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO3P-3L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.49 EUR
100+3.42 EUR
600+3.27 EUR
1200+3.19 EUR
2700+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO3P
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
19+12.7 EUR
21+10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+6.89 EUR
100+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
30+7.53 EUR
120+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.84 EUR
10+12.46 EUR
25+11.77 EUR
100+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+12.78 EUR
25+12.07 EUR
100+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 448nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 469W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.19 EUR
9+28.73 EUR
10+21.55 EUR
50+19.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60F
Produktcode: 172729
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40N60VD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Case: MAX247
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 214nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.38 EUR
11+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: MAX247™
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.1 EUR
30+6.95 EUR
120+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 50A Max247
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+7.08 EUR
100+5.93 EUR
600+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY50NB60HD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsIGBTs 600V 65A N-Channel
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.78 EUR
10+21.77 EUR
25+19.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A MAX247
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.76 EUR
30+18.39 EUR
120+15.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.67 EUR
10+16.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.16 EUR
10+11.35 EUR
100+9.64 EUR
600+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT NPT FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.56 EUR
30+19.88 EUR
120+18.71 EUR
510+16.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.59 EUR
14+17.05 EUR
15+14.72 EUR
50+13.66 EUR
100+12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
20+10.61 EUR
100+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.84 EUR
10+10.42 EUR
100+8.51 EUR
600+8.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.47 EUR
10+8.82 EUR
30+8.04 EUR
120+7.34 EUR
270+7.04 EUR
510+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+8.02 EUR
120+7.02 EUR
510+6.83 EUR
1020+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA50H120DF2 - IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.07 EUR
19+12.6 EUR
20+11.2 EUR
50+10.76 EUR
100+10.33 EUR
250+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+9.26 EUR
120+7.94 EUR
510+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A MAX247
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 194 nC
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/258ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 325 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.18 EUR
30+8.85 EUR
120+7.46 EUR
510+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 356 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 61ns/366ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.04 EUR
30+17.85 EUR
120+16.79 EUR
510+15.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA75H120DF2 - IGBT, 150 A, 2.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.06 EUR
10+25.3 EUR
30+22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.06 EUR
10+16.28 EUR
30+10.83 EUR
120+9.37 EUR
270+9.34 EUR
510+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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