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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWT30V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 163 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60FSTMicroelectronics
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT38IH130STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 63A TO-3P
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Gate Charge: 127 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT38IH130DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.89 EUR
16+5.47 EUR
19+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
44+5.32 EUR
100+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Power - Max: 283 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FB
Produktcode: 148933
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: /142
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.6 EUR
10+5.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+3.45 EUR
100+2.81 EUR
600+2.31 EUR
1200+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.68 EUR
60+3.88 EUR
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
30+3.51 EUR
120+2.86 EUR
510+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronics
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.7 EUR
29+5.83 EUR
31+5.28 EUR
100+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/208ns
Switching Energy: 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT50HF60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 306 nC
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.13 EUR
510+3.06 EUR
600+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.84 EUR
42+5.64 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.09 EUR
10+5.09 EUR
100+4.88 EUR
600+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.99 EUR
16+5.39 EUR
17+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.17 EUR
510+3.02 EUR
600+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO3P-3L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
30+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.49 EUR
100+3.42 EUR
600+3.27 EUR
1200+3.19 EUR
2700+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO3P
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+7.47 EUR
100+6.37 EUR
600+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
30+7.75 EUR
120+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.84 EUR
18+13.39 EUR
20+11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.84 EUR
10+12.46 EUR
25+11.77 EUR
100+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+12.78 EUR
25+12.07 EUR
100+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.19 EUR
9+28.73 EUR
10+21.55 EUR
50+19.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 448nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 469W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60F
Produktcode: 172729
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80V60FSTMicroelectronicsIGBTs PTD IGBT & IPM
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.48 EUR
10+8.35 EUR
100+6.72 EUR
600+5.97 EUR
1200+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40N60VD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Case: MAX247
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 214nC
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.38 EUR
11+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 50A Max247
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+7.08 EUR
100+5.93 EUR
600+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: MAX247™
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.1 EUR
30+6.95 EUR
120+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY50NB60HD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsIGBTs 600V 65A N-Channel
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.42 EUR
10+19.42 EUR
100+16.8 EUR
1200+16.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A MAX247
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.02 EUR
30+19.78 EUR
120+17.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.67 EUR
10+16.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.16 EUR
10+11.35 EUR
100+9.64 EUR
600+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT NPT FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.56 EUR
30+19.88 EUR
120+18.71 EUR
510+16.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
20+10.61 EUR
100+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.84 EUR
10+10.42 EUR
100+8.51 EUR
600+7.81 EUR
1200+7.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.59 EUR
14+17.05 EUR
15+14.72 EUR
50+13.66 EUR
100+12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+8.02 EUR
120+7.02 EUR
510+6.83 EUR
1020+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA50H120DF2 - IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.07 EUR
19+12.6 EUR
20+11.2 EUR
50+10.76 EUR
100+10.33 EUR
250+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.47 EUR
10+8.82 EUR
30+8.04 EUR
120+7.34 EUR
270+7.04 EUR
510+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
auf Bestellung 1086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+8.77 EUR
120+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A MAX247
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 194 nC
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/258ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 325 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.96 EUR
30+9.29 EUR
120+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA75H120DF2 - IGBT, 150 A, 2.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.06 EUR
10+25.3 EUR
30+22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.06 EUR
10+16.28 EUR
30+10.83 EUR
120+9.37 EUR
270+9.34 EUR
510+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 356 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 61ns/366ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.04 EUR
30+17.85 EUR
120+16.79 EUR
510+15.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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