Produkte > DI0
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DI045N03PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 280A; 16W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 16W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 45V Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8-POWERTDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 400A; 40W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 40W Case: PQFN5X6 On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Gate charge: 56nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150C, N, AEC-Q101 | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI045N10PQ-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6500 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI045N10PQ-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45A Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A Power Dissipation (Max): 110W Supplier Device Package: PowerQFN 5x6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI045N10PQ-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6500 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI045N10PQ-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45A Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A Power Dissipation (Max): 110W Supplier Device Package: PowerQFN 5x6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PQ-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Gate charge: 56nC Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100 V, 45 A, 9.5 m, 150C, AEC-Q101 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI045N10PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI045N10PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 200A; 54W; PQFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 54W Case: PQFN3X3 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI045N10PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI048N04PQ-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI048N04PQ2 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI048N04PQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.096 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI048N04PQ2 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI048N04PQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI048N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI048N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI048N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI048N04PQ2-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 24W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI048N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | verfügbar 2 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI048N04PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI048N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI048N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI048N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101 | auf Bestellung 4742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI048N04PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI048N08PQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 80V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI049N06PTK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 32A; Idm: 300A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 32A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI049N06PTK | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI049N06PTK | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI049N06PTK-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI049N06PTK-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI049N06PTK-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 32A; Idm: 300A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 32A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI04S | Apem | DIP Switches/SIP Switches 4P SPST | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04BPT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 50A, 7m, 175C, AEC-Q101 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI050N04BPT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 40V, 50 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI050N04BPT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 35.7W; PQFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35.7W Case: PQFN3X3 On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04BPT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 40V, 50 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI050N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 40V, 50A, 8.5m, 175C, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N04PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 140A; 37W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 37W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | auf Bestellung 4881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI050N04PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 140A; 37W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 37W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | auf Bestellung 4881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerQFN 3x3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | verfügbar 4 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N04PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N06D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N06D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI050N06D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N06D1-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N06D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI050N06D1-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N06D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1-Q | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3, DPak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06D1-Q | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3, DPak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DI050N06PQ2-AQ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06PQ2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 35A; Idm: 280A; 40.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 40.5W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050N06PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 50A, 8.5m?, 175C, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050P03PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050P03PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050P03PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050P03PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050P03PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI050P03PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050P03PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI054N10D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 200A; 47.9W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 34A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 47.9W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI054N10D1-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 47.9W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI054N10D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 200A; 47.9W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 34A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 47.9W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI054N10D1-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 47.9W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI060N06PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 170A; 70W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 70W Gate charge: 27nC On-state resistance: 7mΩ Pulsed drain current: 170A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI060N06PQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7m?, 150C | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI060N06PQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8-POWERTDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI060N10D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI060N10D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 300A; 54.3W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A On-state resistance: 11mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 54.3W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Case: DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI064P04D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI064P04D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48.3W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI065N06PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 65V 65A 8-POWERVDFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1617 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI065N06PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 65V, 65A, 5m?, 150C | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI065N08D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI065N08D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 150C | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI065N08D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI065N08D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI065SIC020TL | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 140A; Idm: 600A; 288W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 140A Power dissipation: 288W Case: HSOF-8 On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 600A Technology: SiC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI065SIC020TL-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 140A; Idm: 600A; 288W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 140A Power dissipation: 288W Case: HSOF-8 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 600A Technology: SiC Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI068N03PQ | DComponents | Description: MOSFET, PowerQFN5x6, 30V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: PowerQFN 5x6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI068N03PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; Idm: 210A; 25W; QFN5x6 Mounting: SMD Case: QFN5x6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 79nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 25W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 43A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 210A Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI068N03PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI068N03PQ-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 68A, | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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