Produkte > FGH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| FGH40T100SMD | ONS/FAI | IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T100SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T100SMD | onsemi / Fairchild | IGBTs 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T100SMD | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 265 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T100SMD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T100SMD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 398 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T100SMD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T100SMD-F155 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors FS1TIGBT TO247 40A 1000V | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W | auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | ON-Semiconductor | Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD Produktcode: 104369
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Zolltarifnummer: 8541 29 00 10 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T120SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMD | onsemi | IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT | auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | ON-Semiconductor | Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD | ONS/FAI | IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD-F155 Produktcode: 154761
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | onsemi | IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD-F155 | ONS/FAI | FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD_F155 IGBT 1200V 40A TRENCH TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Verlustleistung: 555W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W | auf Bestellung 421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | ONS/FAI | IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/464ns Switching Energy: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V MSL: - Verlustleistung: 454W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T120SQDNL4 | onsemi | IGBTs IGBT 1200V 40A UFS | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | ON Semiconductor | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 221 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T120SQDNL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 221nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SH | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SH | onsemi | ON Semiconductor FS3TIGBT TO247 40A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SH-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SH-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 72.2 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SH-F155 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHD | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHD | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHD-F155 | ONN | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 72.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SHD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 72.2nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SHD-F155 | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH40T65SHD-F155-01 | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SHDF | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHDF-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SHDF-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHDF-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SHDF-F155 Produktcode: 190128
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T65SHDF-F155 | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 101 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W | auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SHDF-F155 | onsemi | IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SH_F155 | Aptina Imaging | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SPD | onsemi | IGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F085 | onsemi | IGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SPD-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F085 | onsemi | Description: IGBT NPT 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 36 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 267 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 267W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T65SPD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/37ns Switching Energy: 1.16mJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 267 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F155 | TE Connectivity | TE Connectivity | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F155 | ONS/FAI | IGBT 650V 80A 267W TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SPD-F155 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SQD | onsemi | onsemi 650V 40A FS4 TRENCH IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | ON Semiconductor | IGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SQD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T65SQD-F155 | onsemi | IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT | auf Bestellung 1377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SQD-F155 | ONS/FAI | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T65SQD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 119W Case: TO247-3 Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH40T65SQD_F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W | auf Bestellung 4529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UPD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UPD | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UQDF-F155 | ONS/FAI | FGH40T65UQDF-F155 FGH40T65UQDF IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UQDF-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UQDF-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 231 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T65UQDF-F155 | onsemi | IGBTs 650V FS4 Trench IGBT | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH40T70SHD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 700V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/66ns Switching Energy: 1.15mJ (on), 271µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 69 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH4L40T120LQD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH4L40T120LQD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH4L40T120LQD | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 153W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 227nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
