Produkte > IDH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C5ZXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: IDH10G65C5X - 650V SILICON CARBI | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 114 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5ZXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C5ZXKSA2 | Infineon Technologies | IDH10G65C5ZXKSA2 | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C5ZXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V | auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 1516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Leakage current: 77µA Power dissipation: 72W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10S120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10S120AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kapazitive Blindleistung Qc: 36 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10 Produktpalette: thinQ 2G 1200V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10S60C | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH10S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | auf Bestellung 6810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon | DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH12G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C5 Produktcode: 165219
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Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH12G65C5 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Supplier Device Package: PG-TO220-2 Current - Average Rectified (Io): 12A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH12G65C5XKSA2 Produktcode: 177295
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon | Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH12G65C6XKSA1 Produktcode: 150354
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH12S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2 | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH15S120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH15S120A | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202 Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH16G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 16A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH16G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH16G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH16G65C6 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 7546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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