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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold Plated 3u, Through Hole, 6.4mm, Spring, 24 pin, T&R
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.68 EUR
25+1.62 EUR
50+1.58 EUR
100+1.51 EUR
250+1.37 EUR
600+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
14+1.52 EUR
25+1.43 EUR
50+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole,10.35mm, 24 pin, T&R
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.64 EUR
25+1.58 EUR
50+1.55 EUR
100+1.48 EUR
250+1.34 EUR
450+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
15+1.49 EUR
25+1.4 EUR
50+1.33 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
10+2.15 EUR
25+2.02 EUR
50+1.93 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole, 24 pin, T&R
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.39 EUR
25+2.26 EUR
50+2.23 EUR
100+2.12 EUR
250+1.93 EUR
400+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+1.67 EUR
800+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole, 24 pin, T&R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.64 EUR
25+1.58 EUR
50+1.55 EUR
100+1.48 EUR
250+1.34 EUR
450+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
15+1.49 EUR
25+1.4 EUR
50+1.33 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
450+1.14 EUR
900+1.08 EUR
1350+1.06 EUR
2250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ33BR133AL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3507A
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360094
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360135
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360150
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360166ICSSSOP
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360262
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360510
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360608
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360738
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ360820
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ361098
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ361154
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ361217
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065025K3SQorvo / UnitedSiCSiC MOSFETs 650V/ 25mOhm, SiC JFET, G3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3QorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.56 EUR
25+33.53 EUR
100+28.93 EUR
250+26.62 EUR
500+26.57 EUR
800+25.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+55.32 EUR
6+44.65 EUR
10+35 EUR
50+34.3 EUR
100+33.61 EUR
250+32.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3onsemiSiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.98 EUR
10+30.79 EUR
500+30.75 EUR
800+28.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.22 EUR
25+39.58 EUR
100+38.79 EUR
250+33.43 EUR
800+29.89 EUR
2400+29.21 EUR
4800+29.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.39 EUR
10+33.55 EUR
100+31.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+35 EUR
50+34.3 EUR
100+33.61 EUR
250+32.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.35 EUR
10+27.73 EUR
120+26.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030K3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.34 EUR
30+30.24 EUR
120+26.5 EUR
510+26.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030K3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.17 EUR
25+35.14 EUR
100+30.42 EUR
250+26.54 EUR
600+26.51 EUR
3000+25.41 EUR
5400+24.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+55.95 EUR
6+42.58 EUR
10+30.65 EUR
50+29.61 EUR
100+28.54 EUR
250+27.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.22 EUR
10+38.81 EUR
50+38.79 EUR
100+32.76 EUR
500+29.27 EUR
1000+29.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.35 EUR
25+34.22 EUR
100+29.51 EUR
250+27.18 EUR
500+25.32 EUR
1000+24.8 EUR
10000+24.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065030T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.6 EUR
50+25.82 EUR
100+25.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065075K3SQorvo / UnitedSiCSiC MOSFETs 650V/ 75mOhm, SiC JFET, G3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 5690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
10+11.47 EUR
100+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3onsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.28 EUR
10+13.28 EUR
100+11.13 EUR
500+11.1 EUR
800+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.26 EUR
25+15.58 EUR
250+12.92 EUR
800+10.31 EUR
2400+10.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.91 EUR
25+12.09 EUR
100+10.42 EUR
250+9.62 EUR
800+9.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080K3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.29 EUR
13+18.03 EUR
18+12.47 EUR
50+12.13 EUR
100+11.8 EUR
250+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080K3S---MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080K3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 42223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.06 EUR
30+12 EUR
120+10.22 EUR
510+9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.36 EUR
10+12.17 EUR
120+11.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.89 EUR
25+14.35 EUR
100+12.67 EUR
250+10.97 EUR
500+9.29 EUR
1000+8.79 EUR
5000+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 6191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
50+10.14 EUR
100+9.39 EUR
500+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.49 EUR
10+8.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C065080T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.11 EUR
15+15.99 EUR
21+10.54 EUR
50+10.28 EUR
100+10.02 EUR
250+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3SUSCiTransistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+124 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3S
Produktcode: 193437
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.68 EUR
25+53.62 EUR
100+46.27 EUR
250+42.6 EUR
600+41.32 EUR
3000+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+81.4 EUR
5+66 EUR
10+52.07 EUR
50+50.72 EUR
100+49.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.82 EUR
10+64.65 EUR
30+46.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 8991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.87 EUR
30+40.09 EUR
120+39.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.58 EUR
10+57.73 EUR
120+49.28 EUR
270+49.27 EUR
510+45.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120070K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.6 EUR
7+33.88 EUR
10+24.31 EUR
50+23.59 EUR
100+20.52 EUR
250+20.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120070K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.42 EUR
30+22.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120070K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
1+30.56 EUR
25+26.56 EUR
100+22.91 EUR
250+21.11 EUR
600+20.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120070K4SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120070K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.39 EUR
25+27.27 EUR
100+23.54 EUR
250+21.68 EUR
600+21 EUR
3000+20.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120070K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.69 EUR
8+32.88 EUR
10+29.26 EUR
50+27.2 EUR
100+25.14 EUR
250+23.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+49.18 EUR
7+37.18 EUR
10+26.48 EUR
50+25.94 EUR
100+25.38 EUR
250+24.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.81 EUR
25+26.79 EUR
100+23.12 EUR
250+20.65 EUR
600+20.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.89 EUR
30+19.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.19 EUR
10+22.07 EUR
100+20.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120080K3S
Produktcode: 175759
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+21.24 EUR
120+17.58 EUR
510+15.29 EUR
1020+13.86 EUR
2520+13.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.23 EUR
30+14.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.02 EUR
25+15.65 EUR
100+13.51 EUR
250+12.44 EUR
600+12.09 EUR
3000+12.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.56 EUR
15+16.12 EUR
16+13.84 EUR
50+13.23 EUR
100+12.64 EUR
250+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3C120150K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.05 EUR
10+19.08 EUR
100+15.9 EUR
600+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06504TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
auf Bestellung 1676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
25+2.45 EUR
100+2.12 EUR
250+1.93 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06504TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
71+3.27 EUR
100+2.74 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06504TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/4ASICDIODEG3TO22
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.53 EUR
2000+2.43 EUR
5000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06504TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
auf Bestellung 22758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
25+2.48 EUR
100+2.13 EUR
250+1.95 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06506TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
66+3.52 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06506TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 57301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
25+3.18 EUR
100+2.74 EUR
250+2.51 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06506TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/6A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06506TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/6ASICDIODEG3TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 28073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
25+3.71 EUR
100+3.21 EUR
250+2.95 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/8ASICDIODEG3TO22
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+4.88 EUR
100+4.44 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
auf Bestellung 1721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
25+3.69 EUR
100+3.19 EUR
250+2.93 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06508TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
75+3.11 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/10ASICDIODEG3TO220-2
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+4.11 EUR
100+3.86 EUR
500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
50+4.69 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 11657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
25+4.22 EUR
100+3.64 EUR
250+3.36 EUR
500+3.13 EUR
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06510TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
25+4.19 EUR
100+3.61 EUR
250+3.33 EUR
500+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06512TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 10601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
50+5.12 EUR
100+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3D06512TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/12ASICDIODEG3TO2
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.06 EUR
10+5.87 EUR
100+5.37 EUR
1000+5.09 EUR
2000+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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