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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS1DLWHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1DLWHRVGTaiwan SemiconductorDiode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RS1DLWHRVGTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
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RS1DTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
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RS1DTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120000 Stücke
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RS1DWF-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1DWF-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 200V 1A SOD-123FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1DWG-R2-00001PanjitRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1DWG_R1_00001PanjitRectifiers PJ/RS1D/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1DWG_R2_00001PanjitRectifiers PJ/RS1D/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D_Qonsemi / FairchildRectifiers 200V 1a Fast Rect SMa
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D_R1_00001PanjitRectifiers 200V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
11+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.099 EUR
1800+0.088 EUR
3600+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RS1D_R1_00001PanJitDiode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.15mA
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D_R1_00001PanJitDiode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1334+0.13 EUR
1523+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.1 EUR
3600+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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RS1D_R2_00001PanjitRectifiers 200V Fast Recovery Rectifiers 1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E130GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+1.15 EUR
200+0.88 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E130GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E130GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E130GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E130GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E150GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.49 EUR
10+1.29 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E150GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E150GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E170GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
21+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E170GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E170GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
19+1.14 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E180BNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.4 EUR
100+0.95 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -22.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+3.36 EUR
100+3.01 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
auf Bestellung 2166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.4 EUR
50+3.4 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 4888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
18+1.17 EUR
100+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 6939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS1E240GNTB
Produktcode: 186061
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Transistoren > MOSFET N-CH
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RS1E240GNTBRohmN-Channel NexFET™ Power MOSFET 40V 27A SON8 5x6mm Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 10628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
15+1.45 EUR
100+1.04 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.06 EUR
250+1 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBROHMDescription: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
177+1.31 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.23 EUR
100+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
7500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBROHMDescription: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
177+1.31 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.06 EUR
250+1 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 11212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
10+4.96 EUR
50+3.84 EUR
100+3.49 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.44 EUR
7500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 4305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+3.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBROHMDescription: ROHM - RS1E280BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
81+2.88 EUR
131+1.64 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBROHMDescription: ROHM - RS1E280BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
131+1.64 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
7500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 7159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
auf Bestellung 57149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.74 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.39 EUR
100+1.24 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
50+1.42 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E281BNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.38 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E281BNTB1ROHM SemiconductorMOSFET RS1E281BN is low on-resistance and high power small mold package MOSFET for switching application.
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+3.81 EUR
25+3.61 EUR
100+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E281BNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E300GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E300GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39.8nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 33W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.38 EUR
50+2.58 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
64+3.64 EUR
100+2.19 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+2.56 EUR
100+2.23 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E320GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E320GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
10+3.99 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+3.01 EUR
100+2.64 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.14 EUR
2500+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.34 EUR
100+2.12 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 30V 80A
auf Bestellung 4431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.77 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.83 EUR
2500+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
10+4.56 EUR
100+3.56 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET. Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.83 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E471MF160A00CEChangRS1E471MF160A00CE 470 мкФ 25 В RS 8*16 -40..+105C, low esr Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E471MF160A00CE0ChangRS1E471MF160A00CE0 470 мкФ 25 В 8.0*16 -40..+105C 4000h Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1EK1-A-2515Coto TechnologyDescription: SW REED MEMS SPST EVAL KIT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
776+0.3 EUR
1214+0.18 EUR
1648+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 29995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
42+0.51 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
776+0.3 EUR
1214+0.18 EUR
1648+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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RS1FG-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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3000+0.14 EUR
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RS1FG-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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