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IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 3448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.15 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.14 EUR
2500+	2 EUR
5000+	1.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 11075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.84 EUR
60+	3.93 EUR
250+	2.62 EUR
1000+	2.17 EUR
3000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9644 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.51 EUR
10+	3.57 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N022ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2240 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.59 EUR
70+	3.32 EUR
103+	2.09 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N022ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2240 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.32 EUR
103+	2.09 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.67 EUR
2500+	1.57 EUR
5000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4549 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.38 EUR
91+	2.57 EUR
134+	1.61 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

auf Bestellung 3575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.21 EUR
2500+	1.13 EUR
5000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4549 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
134+	1.61 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.94 EUR
10+	2.52 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.24 EUR
2000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.81 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.39 EUR
14+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

auf Bestellung 5005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm

auf Bestellung 7910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
127+	1.83 EUR
187+	1.14 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.73 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm

auf Bestellung 7660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.15 EUR
127+	1.83 EUR
187+	1.14 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.73 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

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IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.7 EUR
13+	1.7 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR
2000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.73 EUR
106+	1.63 EUR
111+	1.52 EUR
133+	1.24 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.59 EUR
122+	1.76 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.07 EUR
5000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 8382 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.65 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.65 EUR
2500+	0.64 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1
Produktcode: 193844

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
14+	1.52 EUR
100+	1 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.94 EUR
101+	1.67 EUR
106+	1.54 EUR
111+	1.4 EUR
133+	1.13 EUR
250+	1.02 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.38 EUR
90+	2.59 EUR
122+	1.76 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.07 EUR
5000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4101 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.7 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.81 EUR
2000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.12 EUR
128+	1.82 EUR
194+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 2564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.2 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.12 EUR
128+	1.82 EUR
194+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4041 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.75 EUR
13+	1.73 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 5602 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.64 EUR
5000+	0.61 EUR
10000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
145+	1.61 EUR
216+	0.99 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.59 EUR
13+	1.64 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR
2000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
145+	1.61 EUR
216+	0.99 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

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IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.3 EUR
171+	1.36 EUR
191+	1.12 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.82 EUR
5000+	0.77 EUR

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IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 41W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 8652 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.3 EUR
171+	1.36 EUR
191+	1.12 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.82 EUR
5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 41W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 14170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.95 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.09 EUR
120+	1.95 EUR
157+	1.37 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.09 EUR
2000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 8633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	3.77 EUR
104+	2.25 EUR
156+	1.38 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.9 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 9600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.71 EUR
10000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 9600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.89 EUR
12+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR
2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.08 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.94 EUR
2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.55 EUR
10+	2.92 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.46 EUR
2000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 2300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	2.27 EUR
121+	1.93 EUR
135+	1.59 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.32 EUR
5000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 111 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27677 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

264+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 264 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 2300 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	2.27 EUR
121+	1.93 EUR
135+	1.59 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.32 EUR
5000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 111 Stücke

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IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 11763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.71 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.45 EUR
5000+	1.39 EUR

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IAUC60N04S6L039

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

856+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 856 Stücke

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IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.75 EUR
108+	2.15 EUR
250+	1.33 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUC60N04S6L039ATMA1

N-Channel 40 V 60A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори

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IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 7811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.74 EUR
164+	1.05 EUR
207+	0.81 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.54 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

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IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.54 EUR
10000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	3.75 EUR
108+	2.15 EUR
250+	1.33 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 12018 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

856+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
10000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 856 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 7811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.74 EUR
164+	1.02 EUR
207+	0.79 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.52 EUR
2000+	0.48 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 26130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.28 EUR
15+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 52W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 9625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.53 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.22 EUR
103+	2.26 EUR
150+	1.43 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR
5000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 52W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	3.22 EUR
103+	2.26 EUR
150+	1.43 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR
5000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 78 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N031H

Infineon Technologies

MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N031H

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 105A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.5 EUR
52+	3.32 EUR
100+	3.14 EUR
250+	2.98 EUR
500+	2.84 EUR
1000+	2.74 EUR
2500+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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