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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK10A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80EToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.4 EUR
100+3.19 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.48 EUR
2500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4X
Produktcode: 203788
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
65+3.62 EUR
100+3 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80ES4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+5.34 EUR
100+4.49 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(SToshibaTK10A80W,S4X(S
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.41 EUR
39+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.75 EUR
20+4.27 EUR
22+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60WToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.59 EUR
10+3.31 EUR
100+3 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.09 EUR
5000+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.32 EUR
34+6.87 EUR
100+4.9 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
50+4.69 EUR
100+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
46+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80EToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1EToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.23 EUR
10+6.06 EUR
100+4.52 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.52 EUR
2500+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.8 EUR
68+2.52 EUR
100+2.3 EUR
150+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.95 EUR
44+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80ES1E(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50WToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+3.5 EUR
100+2.51 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
61+3.81 EUR
100+2.42 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50WRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60WToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.42 EUR
100+2.89 EUR
2000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.9 EUR
10+5.21 EUR
100+3.68 EUR
500+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
73+3.2 EUR
100+2.25 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
164+1.05 EUR
182+0.93 EUR
200+0.87 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
73+3.2 EUR
100+2.25 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60WRVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60WRVQ(S-XToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60WToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+4.9 EUR
75+4.32 EUR
525+3.2 EUR
1050+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.028
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 88.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshibaTK10V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.327ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.75 EUR
38+6.26 EUR
100+3.3 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
186+0.93 EUR
200+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110TIOO
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11041MTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11041M-1-TRBTOKO06+ SOT-153
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11042MTLTOKO
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11043MTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11043MTL-GTOKOSOT25/SOT353
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11050MTL
auf Bestellung 12780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1105800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2070 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1105800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 11P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 11
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2070 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2080 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.98 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.29 EUR
5000+1.18 EUR
10000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 9100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
97+2.42 EUR
136+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.3 EUR
31+5.59 EUR
50+5.13 EUR
100+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.97 EUR
24+9.97 EUR
100+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
50+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1XToshibaMOSFETs TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.21 EUR
10000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.67 EUR
34+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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