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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
S2M/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0-B2
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0016120D-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0016120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+61.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0016120K-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4402 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4402 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.96 EUR
10+43.3 EUR
100+36.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120J-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1904 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120J-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1904 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.7 EUR
10+43.98 EUR
100+37.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120K-1SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; Idm: 160A; 320.5W
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 55A
Power dissipation: 320.5W
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+26.64 EUR
5+24.03 EUR
10+21.15 EUR
30+18.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.76 EUR
10+26.23 EUR
100+22.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120ISMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 80MOHM,1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220MF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.62 EUR
10+26.98 EUR
100+23.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120NSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 231W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.78 EUR
17+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.08 EUR
10+10 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120JSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.39 EUR
17+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.89 EUR
18+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.9 EUR
26+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.2 EUR
10+8.56 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120ISMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 160MOHM,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220MF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
10+9.39 EUR
100+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 121W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.43 EUR
24+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M025T-16.000-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M025T-16.000-X-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M025T-24.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.86 EUR
3000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M025T-24.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD
auf Bestellung 3191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
10+2.7 EUR
50+2.64 EUR
100+2.26 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M025T-50.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 20mA
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+2.21 EUR
100+1.68 EUR
200+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M11002SDKTRSamtecHeaders & Wire Housings
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M62
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MAMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - S2MA - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.45 EUR
695+0.33 EUR
971+0.23 EUR
1389+0.15 EUR
1946+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MADiodes IncorporatedRectifiers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MATaiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MAMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - S2MA - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
585+0.43 EUR
730+0.32 EUR
1021+0.21 EUR
1450+0.14 EUR
2041+0.1 EUR
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 585 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MATaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
48+0.44 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MATaiwan SemiconductorSMA Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MAYenyo TechnologyDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MATaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7500+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MATaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 7071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.46 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.12 EUR
7500+0.099 EUR
22500+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA F2Taiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA F2Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA F2GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA F3Taiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA F3Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA F3GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA M2GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA M2GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching 1KV 1.5A 1500ns 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R2Taiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R2Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R3Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
auf Bestellung 11278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R3GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching 1KV 1.5A 1500ns 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 3520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.42 EUR
682+0.25 EUR
688+0.24 EUR
695+0.23 EUR
725+0.2 EUR
756+0.19 EUR
790+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13Diodes IncorporatedRectifiers 1000V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
897+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 897 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 710000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.2 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 13488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2507+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 2507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - S2MA-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+0.63 EUR
599+0.39 EUR
885+0.24 EUR
1021+0.21 EUR
1042+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-F
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 13488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2507+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 2507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 650000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 714432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
59+0.36 EUR
100+0.27 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - S2MA-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+0.63 EUR
599+0.39 EUR
885+0.24 EUR
1021+0.21 EUR
1042+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
897+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 897 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2MA-13-FDiodes1.5A 1000V SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
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S2MA-13-FDiodes IncorporatedRectifiers 1.5A SM Passivated 1000V 50A IFSM
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7+0.49 EUR
11+0.32 EUR
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S2MA-13-FDiodes ZetexDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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S2MA-B
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S2MA-F
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S2MA-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 2A, 1000V, STANDARD RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
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S2MA-TTaiwan SemiconductorRectifiers 2A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
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S2MA-T M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 2A 1000V Standard Recov Rectifier
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S2MA-T R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 2A 1000V Standard Recov Rectifier
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S2MA-T R3GTaiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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S2MA-T R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 2A 1000V Standard Recov Rectifier
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S2MA-T R3GTaiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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1800+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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S2MA48Hoffman Enclosures, Inc.Description: ADAPTER 48-MM ROUND TUBE
Packaging: Bulk
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S2MAAHoffman Enclosures, Inc.Description: ANGLE ADAPTOR #101.5300.055
Packaging: Bulk
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S2MACBHoffman Enclosures, Inc.Description: ANG CPLG BACK 101.5300.056
Packaging: Bulk
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S2MACFHoffman Enclosures, Inc.Description: ANGL CPLG FWD 101.5300.057
Packaging: Bulk
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S2MAF-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
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S2MAF-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 6481 Stücke:
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39+0.55 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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S2MAF-TTaiwan SemiconductorRectifiers 2A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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S2MAHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
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7500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
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