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EPC2034ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2034ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2034ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2034ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2035

EPC

Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V

auf Bestellung 17755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.08 EUR
5000+	1.01 EUR
7500+	0.98 EUR
12500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2035

EPC

Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V

auf Bestellung 17907 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.86 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2035

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

auf Bestellung 7164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2036

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.08 EUR
5000+	1.01 EUR
7500+	0.98 EUR
12500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2036

Транзистор GaNFET, Udss, В = 100, Rds, мОм = 65, Id, А = 1,7, C, пкФ = 90, Заряд, нКл = 0,91,... Транзистори Корпус: smd Очікується: 700 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

verfügbar 3 Stücke:

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2036

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

auf Bestellung 11648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2036

Efficient Power Conversion

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 1.7A 4-Pin Die T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.46 EUR
5000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2036

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 20898 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.86 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 225660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.72 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

auf Bestellung 8642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 225590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.06 EUR
5000+	0.99 EUR
7500+	0.95 EUR
12500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037
Produktcode: 179458

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2037ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2038

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 109855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.86 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2038

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 109000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2038

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

auf Bestellung 11264 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2038ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2038ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2038ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2039

EPC

Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40

auf Bestellung 97500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.36 EUR
5000+	1.27 EUR
7500+	1.23 EUR
12500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2039

EPC

Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40

auf Bestellung 100471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.65 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2039ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

auf Bestellung 4235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2039ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2039ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

auf Bestellung 4235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.39 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040

EPC

Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.95 EUR
5000+	0.88 EUR
7500+	0.84 EUR
12500+	0.81 EUR
17500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040

EPC

Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V

auf Bestellung 63683 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.45 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040ENGR

EPC

Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

auf Bestellung 4955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2040ENGRT

EPC

Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

auf Bestellung 4955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2044

EPC

Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2044

EPC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2045

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2045

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 38218 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.48 EUR
10+	6.3 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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EPC2045

EPC

Produkt ist nicht verfügbar

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EPC2047

EPC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2049ENGRT

EPC

Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2049ENGRT

EPC

Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2050

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.96 EUR
10+	8.76 EUR
100+	6.37 EUR
500+	6.01 EUR
1000+	5.26 EUR
2500+	5.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2050

EPC

Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V

auf Bestellung 9262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.22 EUR
10+	8.91 EUR
100+	6.46 EUR
500+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2050

EPC

Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2051

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 44866 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.64 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2051

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.58 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.11 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2051

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.02 EUR
5000+	0.95 EUR
7500+	0.92 EUR
12500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2052

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5

auf Bestellung 12104 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.29 EUR
5000+	1.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2052

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 77400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.52 EUR
10+	2.9 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2052

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.31 EUR
5000+	1.23 EUR
7500+	1.19 EUR
12500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2053

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	5.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2053

EPC

Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5

auf Bestellung 14755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.2 EUR
10+	8.92 EUR
100+	6.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2054

EPC

Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2054

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8

auf Bestellung 12005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.57 EUR
2500+	1.37 EUR
10000+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2054

EPC

Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

auf Bestellung 150114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.9 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2055

EPC

Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20

auf Bestellung 23695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.41 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2055

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5

auf Bestellung 6872 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.28 EUR
10+	4.08 EUR
100+	2.84 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.26 EUR
2500+	1.95 EUR
5000+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2055

EPC

Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.99 EUR
5000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2057

EPC

Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V

auf Bestellung 7724 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.08 EUR
10+	2.61 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2057

EPC

Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.18 EUR
5000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2057

EPC

GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

auf Bestellung 3621 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2059

EPC

Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85

auf Bestellung 11196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.69 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2059

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4

auf Bestellung 12213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.52 EUR
10+	5.62 EUR
100+	3.97 EUR
500+	3.42 EUR
2500+	2.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2059

EPC

Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.86 EUR
5000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2059

EPC

Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	23.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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EPC2065

EPC

Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40

auf Bestellung 5626 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.48 EUR
10+	5.58 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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EPC2065

EPC

Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.02 EUR
2000+	2.83 EUR
3000+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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EPC2066

EPC

Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.75 EUR
2000+	5.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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EPC2066

EPC

Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5

auf Bestellung 12794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.64 EUR
10+	9.92 EUR
100+	7.25 EUR
500+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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EPC2067

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85

auf Bestellung 1881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11 EUR
10+	7.38 EUR
100+	5.3 EUR
500+	4.82 EUR
1000+	4.11 EUR

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EPC2067

EPC

Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.07 EUR
2000+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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EPC2067

EPC

Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V

auf Bestellung 2129 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.86 EUR
10+	7.27 EUR
100+	5.22 EUR
500+	4.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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EPC2069

EPC

Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 8111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.59 EUR
10+	10.78 EUR
100+	8.98 EUR
500+	7.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2069

EPC

Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	7.14 EUR
2000+	6.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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EPC2070

EPC

Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V

auf Bestellung 21837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.45 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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EPC2070

EPC

Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.95 EUR
5000+	0.88 EUR
7500+	0.84 EUR
12500+	0.81 EUR
17500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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EPC2070

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85

auf Bestellung 14721 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.39 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.83 EUR

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EPC2071

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.28 EUR
10+	9.7 EUR
100+	7.08 EUR
500+	6.85 EUR
1000+	5.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2071

EPC

Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 14259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.55 EUR
10+	9.87 EUR
100+	7.2 EUR
500+	6.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2071

EPC

Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.7 EUR
2000+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2088

EPC

Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.65 EUR
2000+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2088

EPC

Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V

auf Bestellung 34776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.92 EUR
10+	6.6 EUR
100+	4.72 EUR
500+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2088

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2090

EPC

GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP

auf Bestellung 1901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	4.96 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.89 EUR
2500+	2.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2091

EPC

GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.53 EUR
10+	12.02 EUR
100+	8.96 EUR
1000+	7.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2092

EPC

GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2100

EPC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2100

EPC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	19.4 EUR
10+	13.4 EUR
100+	10.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2100ENG

EPC

Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2100ENGRT

EPC

Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2100ENGRT

EPC

Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2101

EPC

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EPC2101

EPC

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

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EPC2101ENG

EPC

Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

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EPC2101ENGRT

EPC

Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

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EPC2101ENGRT

EPC

Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)

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