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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGH75T65UPDonsemiIGBTs 650V 150A 187W
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH75T65UPDON-SemiconductorTrans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 71 Stücke:
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2+13.72 EUR
30+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.86 EUR
30+10.58 EUR
120+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085onsemiIGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.08 EUR
10+10.72 EUR
100+10.26 EUR
450+9.76 EUR
900+8.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.11 EUR
14+17.83 EUR
18+12.23 EUR
50+11.3 EUR
100+10.36 EUR
250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F155onsemiIGBTs 650V,75A Field Stop Trench IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.83 EUR
100+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FD2onsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 490-494 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+9.26 EUR
120+7.58 EUR
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FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FD2TU(Transistor)
Produktcode: 61002
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUONS/FAITO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUonsemiIGBTs 600V Field Stop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTU
Produktcode: 155558
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL25T120RWDonsemiIGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L COPACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL25T120RWDonsemiDescription: 1200V, 25A TRENCH FIELD STOP VII
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 113 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.57mJ (on), 1.06mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36.9ns/175ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.73V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 173 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
10+7.13 EUR
450+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGHL40S65UQON Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T120RWD - IGBT, 80 A, 1.49 V, 600 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.49V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
16+14.53 EUR
22+9.91 EUR
50+9.42 EUR
100+8.94 EUR
250+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.96 EUR
10+8.71 EUR
120+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.23 EUR
30+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.94 EUR
10+6.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.21 EUR
19+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
30+6.33 EUR
120+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.72 EUR
30+5.47 EUR
120+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.76 EUR
10+5.51 EUR
120+4.55 EUR
510+4.32 EUR
1020+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDonsemiIGBTs 650 V 40 A FS4
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.2 EUR
120+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.28 EUR
10+6.18 EUR
450+3.7 EUR
900+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDON Semiconductor
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.56 EUR
30+5.37 EUR
120+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.82 EUR
43+5.52 EUR
100+4.76 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTonsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+5.38 EUR
120+4.44 EUR
510+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 509nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+5.68 EUR
100+4.24 EUR
450+3.17 EUR
900+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+5.99 EUR
100+4.46 EUR
450+3.33 EUR
900+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 82750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.97 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDONN
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDonsemiIGBTs 650 V 50 A FS4
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+7.83 EUR
120+5.01 EUR
510+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTonsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+8.48 EUR
120+6.24 EUR
510+5.55 EUR
1020+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
50+4.64 EUR
100+4.2 EUR
500+4.12 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
30+6.16 EUR
120+5.13 EUR
510+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTONN
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 3809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.71 EUR
10+7.88 EUR
450+4.83 EUR
900+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
34+5.18 EUR
35+4.82 EUR
50+4.57 EUR
100+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.47 EUR
10+7.41 EUR
120+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
34+5.06 EUR
35+4.64 EUR
50+4.33 EUR
100+4.12 EUR
250+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQonsemiIGBTs FS4TIGBT 50A 650V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+4.93 EUR
120+4.05 EUR
510+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
42+5.59 EUR
100+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTonsemiIGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
30+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.27 EUR
30+10.82 EUR
120+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWDonsemiIGBTs 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.93 EUR
10+11.39 EUR
120+11.38 EUR
510+10.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL60T120RWD - IGBT, 120 A, 1.48 V, 833 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.48V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.22 EUR
13+17.96 EUR
18+12.45 EUR
50+12.42 EUR
100+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.14 EUR
10+10.34 EUR
120+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.97 EUR
10+10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.71 EUR
30+9.2 EUR
120+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+9.32 EUR
120+8.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
19+12.88 EUR
25+8.73 EUR
50+8.03 EUR
100+7.52 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDonsemiIGBTs 650 V 75 A FS4
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.15 EUR
10+8.9 EUR
120+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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