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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
EPC2071EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.12 EUR
10+8.16 EUR
100+7.5 EUR
500+6.85 EUR
1000+5.93 EUR
2000+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.7 EUR
2000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 14259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.55 EUR
10+9.87 EUR
100+7.2 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.65 EUR
2000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
auf Bestellung 34776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.6 EUR
100+4.72 EUR
500+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2090EPCGaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.47 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
2500+2.64 EUR
5000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2091EPCGaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.53 EUR
10+12.02 EUR
100+9.03 EUR
500+8.98 EUR
1000+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2092EPCGaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
100+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
100+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102EPCGaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.44 EUR
10+12.02 EUR
100+11.66 EUR
500+11.44 EUR
1000+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+15.1 EUR
50+12.23 EUR
100+11.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
auf Bestellung 2629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
50+11.78 EUR
100+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103EPCGaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.73 EUR
10+11.6 EUR
100+11.16 EUR
500+11 EUR
1000+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.32 EUR
1500+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+15.1 EUR
50+12.23 EUR
100+11.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.75 EUR
10+14.3 EUR
100+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 48519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.56 EUR
50+2.71 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106EPCGaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.52 EUR
5000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.64 EUR
7500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107EPCDescription: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107EPCDescription: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+2 EUR
1000+1.84 EUR
1500+1.77 EUR
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108EPCDescription: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108EPCDescription: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2110EPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
50+3.13 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2110EPCGaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2110EPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2110ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2111EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 9012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.53 EUR
10+7.02 EUR
50+5.51 EUR
100+5.02 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2111EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
auf Bestellung 6776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2112ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2121EPCDescription: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
13+1.67 EUR
25+1.51 EUR
100+1.33 EUR
250+1.25 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2121EPCPower Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
auf Bestellung 1921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.64 EUR
25+1.49 EUR
100+1.31 EUR
250+1.23 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2121EPCDescription: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2152EPCGate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.48 EUR
10+12.79 EUR
25+11.9 EUR
100+10.86 EUR
250+10.53 EUR
500+10.09 EUR
1000+9.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2152EPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
auf Bestellung 6942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.8 EUR
10+13.05 EUR
25+12.11 EUR
100+11.09 EUR
250+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2152EPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
auf Bestellung 6925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+10.31 EUR
1000+10.06 EUR
1500+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
auf Bestellung 22977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.11 EUR
10+13.7 EUR
25+12.02 EUR
100+10.13 EUR
250+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.9 EUR
5000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21601EPCLaser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+4.06 EUR
25+3.71 EUR
100+3.33 EUR
250+3.17 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
auf Bestellung 9085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+4.11 EUR
25+3.76 EUR
100+3.38 EUR
250+3.2 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21601ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Current - Supply: 50 mA
Number of Channels: 1
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Type: Laser Diode Driver
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Current - Supply: 47 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Laser Diode Driver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.9 EUR
5000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21603EPCLaser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+4.06 EUR
25+3.71 EUR
100+3.33 EUR
250+3.17 EUR
500+3.09 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Current - Supply: 47 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Laser Diode Driver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+4.11 EUR
25+3.76 EUR
100+3.38 EUR
250+3.2 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+4.11 EUR
25+3.76 EUR
100+3.38 EUR
250+3.2 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
auf Bestellung 32208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.71 EUR
25+4.32 EUR
100+3.89 EUR
250+3.69 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.36 EUR
5000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21701EPCLaser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.27 EUR
100+3.64 EUR
500+3.58 EUR
2500+3.28 EUR
5000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.27 EUR
10+7.44 EUR
25+7.03 EUR
100+6.09 EUR
250+5.78 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.42 EUR
7500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
auf Bestellung 34160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.95 EUR
50+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
7500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2203EPCGaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.44 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2203Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.95 EUR
50+1.45 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
auf Bestellung 118710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
10+4.37 EUR
50+3.36 EUR
100+3.02 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
auf Bestellung 117500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.07 EUR
7500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2204EPCN-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2204EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
auf Bestellung 14783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.14 EUR
2500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.02 EUR
50+3.88 EUR
100+3.51 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2204AEPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.81 EUR
100+3.45 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.39 EUR
5000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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