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Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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79+	1.92 EUR
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BSB 20 K BLACK

Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K BLACK

Conn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K BLUE

Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K BLUE

Conn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K BLUE

Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K GREEN

Conn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K RED

Conn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K RED

Conn Banana PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K RED

Conn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K YELLOW

Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K YELLOW

Conn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 20 K YELLOW

Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port

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BSB 300 BLACK

MULTIPLE-SPRING WIRE PLUG WITH COUPLI WAY, THE PLUGS CAN BE CONNECTED TOG TO MAXIMUM CABLE CROSS-SECTION OF 1

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BSB 300 BLAU / BLUE

931294102

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BSB 300 GELB / YELLOW

931294103

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BSB 300 GRN / GREEN

931294104

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BSB 300 RED

Multiple-Spring Wire Plug With Coupling Located Parallel

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BSB-PIR90-U

Carlo Gavazzi

Optical Sensor Modules SMART-DUPLINE PL PIR DETECTOR 90 LIGHT REV.2

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BSB008NE2LX

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BSB008NE2LX

MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS

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BSB008NE2LXXT

MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS

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BSB008NE2LXXUMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON

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BSB008NE2LXXUMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 46A 7-Pin WDSON T/R

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BSB008NE2LXXUMA1

BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors

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BSB008NE2LXXUMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON

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4+	4.49 EUR
10+	4.03 EUR
100+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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BSB008NE2LXXUMA1

MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS

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BSB012N03LX3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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335+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 335

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BSB012N03LX3 G

Description: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V

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BSB012N03LX3 G

MOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3

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BSB012N03LX3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V

auf Bestellung 4233 Stücke:

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228+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 228

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BSB012N03LX3GXUMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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228+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 228

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BSB012N03LX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R

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BSB012N03LX3GXUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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BSB012N03MX3 G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSB012N03MX3GXT

MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING

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BSB012NE2LX

Description: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON

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BSB012NE2LX

Description: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON

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BSB012NE2LXI

MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS

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BSB012NE2LXIXUMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5852 pF @ 12 V

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BSB012NE2LXIXUMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 37A 7-Pin WDSON T/R

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BSB012NE2LXIXUMA1

BSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors

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BSB012NE2LXIXUMA1

MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS

auf Bestellung 1156 Stücke:

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1+	4.47 EUR
10+	4.03 EUR
100+	3.24 EUR
500+	2.66 EUR

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BSB013NE2LXI

auf Bestellung 10 Stücke:

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BSB013NE2LXI

MOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.89 EUR
10+	3.52 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.32 EUR

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BSB013NE2LXIXUMA1

Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

auf Bestellung 4754 Stücke:

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BSB013NE2LXIXUMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V

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BSB013NE2LXIXUMA1

auf Bestellung 4754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB013NE2LXIXUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB013NE2LXIXUMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB013NE2LXIXUMA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB013NE2LXIXUMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V

auf Bestellung 18879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

258+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 258

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BSB014N04LX3 G

MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3

auf Bestellung 1113 Stücke:

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BSB014N04LX3G

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R

auf Bestellung 933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.37 EUR
63+	2.2 EUR
73+	1.84 EUR
100+	1.58 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 61

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V

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BSB014N04LX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3

auf Bestellung 3269 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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BSB014N04LX3GXUMA1
Produktcode: 168892

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB014N04LX3GXUMA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB01503HA3-00CGE

Blowers & Centrifugal Fans Blower, 15x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.51 EUR
10+	21.12 EUR
25+	19.78 EUR
50+	19.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB01503HA3-00CGE

Description: FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13800 RPM
Air Flow: 0.170 CFM (0.005m³/min)
Width: 3.50mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.154 in H2O (38.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 150 mW

auf Bestellung 2931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.89 EUR
10+	22.1 EUR
25+	20.27 EUR
50+	18.96 EUR
195+	18.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB015N04NX3 G

MOSFETs N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB015N04NX3GXUMA1

BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com

auf Bestellung 2645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.27 EUR
65+	2.12 EUR
67+	2 EUR
100+	1.78 EUR
250+	1.67 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB015N04NX3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB015N04NX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB015N04NX3GXUMA1

BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com

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BSB015N04NX3GXUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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BSB015N04NX3GXUMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

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BSB015N04NX3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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BSB015N04NX3GXUMA1

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BSB01703HA3-00CAJ

Blowers & Centrifugal Fans Blower, 17x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor

auf Bestellung 577 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.08 EUR
10+	20.59 EUR
25+	19.52 EUR

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BSB01703HA3-00CAJ

Description: FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.230 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.40mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 26.5dB(A)
Static Pressure: 0.182 in H2O (45.3 Pa)
Power (Watts): 180 mW

auf Bestellung 613 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.89 EUR
10+	22.1 EUR
25+	20.27 EUR
50+	18.96 EUR
100+	18.3 EUR

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BSB01703HA3-00CAJ

DC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.5V 0.23CFM 26.5dB 17 X 17 X 3.4mm

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BSB017N03LX3

09+/10+

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSB017N03LX3
Produktcode: 118806

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSB017N03LX3 G

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 15 V

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BSB017N03LX3 G

MOSFETs N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3

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BSB017N03LX3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin WDSON T/R

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BSB019N03LX G

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 15 V

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BSB0203HA3-00CER

Description: FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.280 CFM (0.008m³/min)
Width: 3.28mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.252 in H2O (62.8 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 180 mW

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.13 EUR
10+	18.99 EUR
25+	18.6 EUR

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BSB0203HA3-00CER

DC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.3V 0.28CFM 32dB 20 X 20 X 3.28mm

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	31.74 EUR
50+	26.14 EUR
100+	22.89 EUR
180+	21.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSB0203HA3-00CER

Blowers & Centrifugal Fans Blower, 20x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.49 EUR
10+	19.52 EUR

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BSB0205HA5-00HSF

Description: BLOWER SQUARE 20X5MM 5VDC PWM
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 10500 RPM
Air Flow: 0.530 CFM (0.015m³/min)
Width: 5.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.7dB(A)
Static Pressure: 0.432 in H2O (107.7 Pa)
Power (Watts): 0.5 W

auf Bestellung 1824 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.45 EUR
10+	11.93 EUR
25+	10.96 EUR
50+	10.25 EUR
100+	9.58 EUR
304+	9.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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BSB0205HA5-00HSF

Blowers & Centrifugal Fans DC Blower, 20x20x5mm, 5VDC, 0.54CFM, 0.5W, 32.7dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM

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BSB0205HP-00EFG

Description: FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.570 CFM (0.016m³/min)
Width: 5.28mm
Weight: 0.004 lb (1.81 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: cURus, TUV
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 35.9dB(A)
Static Pressure: 0.400 in H2O (99.6 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 400 mW

auf Bestellung 1413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.89 EUR
10+	22.1 EUR
25+	20.27 EUR
50+	18.96 EUR
100+	18.3 EUR

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BSB0205HP-00EFG

Delta Electronics Inc.

DC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer

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BSB0205HP-00EFG

DC Fans Tubeaxial Fan, 20x5mm, 5VDC, Sleeve, 4-Lead Wires, Lock Rotor Sensor, Tach, PWM

auf Bestellung 552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.72 EUR
10+	28.49 EUR
25+	26.29 EUR
50+	24.76 EUR
100+	23.32 EUR
250+	22.92 EUR
352+	19.66 EUR

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BSB0205HP-00EFG

DC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer

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BSB024N03LX G

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 15 V

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BSB028N06NN3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	3.34 EUR
100+	2.8 EUR
250+	2.73 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.06 EUR
5000+	2.02 EUR

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BSB028N06NN3G

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSB028N06NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R

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BSB028N06NN3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

auf Bestellung 6668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.93 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	2.05 EUR
2000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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BSB028N06NN3GXUMA1

BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors

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BSB028N06NN3GXUMA1

Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB028N06NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R

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BSB028N06NN3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB028N06NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB028N06NN3GXUMA1

auf Bestellung 949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB028N06NN3GXUMA2

OptiMOS 3 Power-MOSFET

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BSB028N06NN3GXUMA2

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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BSB028N06NN3GXUMA2

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

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BSB03505HP-00

Blowers & Centrifugal Fans DC Blower, 35x35x5.5mm, 5VDC, 2.1CFM, 1W, 54dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM

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BSB03505HP-00

Description: BLOWER SQUARE 35X5.5MM 5VDC PWM
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square/Rounded - 35mm L x 35mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 11000 RPM
Air Flow: 2.1 CFM (0.059m³/min)
Width: 5.50mm
Operating Temperature: 32 ~ 140°F (0 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 54.0dB(A)
Static Pressure: 1.181 in H2O (294.2 Pa)
Power (Watts): 1 W

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.61 EUR
10+	16.96 EUR
25+	15.57 EUR
50+	14.56 EUR

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BSB044N08NN3 G

MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.92 EUR
10+	6.21 EUR
100+	5.09 EUR
500+	4.33 EUR
1000+	3.92 EUR
5000+	3.33 EUR

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BSB044N08NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB044N08NN3GXUMA1

MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3

auf Bestellung 2015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.78 EUR
10+	6.09 EUR
100+	5 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	3.8 EUR
2500+	3.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB044N08NN3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V

auf Bestellung 9855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.55 EUR
10+	4.99 EUR
100+	3.53 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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BSB044N08NN3GXUMA1

Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB044N08NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB044N08NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB044N08NN3GXUMA1

BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB044N08NN3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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BSB044N08NN3GXUMA1

auf Bestellung 3750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB053N03LP G

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB053N03LPG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

693+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 693

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BSB056N10NN3 G

MOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3

auf Bestellung 8122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.12 EUR
10+	4.47 EUR
25+	4.45 EUR
100+	3.5 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	2.97 EUR

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BSB056N10NN3GXUMA1

Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB056N10NN3GXUMA1

BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

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BSB056N10NN3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB056N10NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB056N10NN3GXUMA1

BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors

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BSB056N10NN3GXUMA1

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB056N10NN3GXUMA1

BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com

auf Bestellung 4713 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.26 EUR
65+	2.13 EUR
66+	2.02 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.84 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.67 EUR
3000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 64

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BSB056N10NN3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

auf Bestellung 1429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.37 EUR
10+	4.17 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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BSB056N10NN3GXUMA1
Produktcode: 125684

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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BSB056N10NN3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSB056N10NN3GXUMA2

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB056N10NN3GXUMA3

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BSB056N10NN3GXUMA3

MOSFETs TRENCH >=100V

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BSB104N08NP3G

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSB104N08NP3GXUMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUMA2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUMA2

N-Channel Power MOSFET

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BSB104N08NP3GXUMA2

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUMA3

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 7-Pin WDSON T/R

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BSB104N08NP3GXUMA3

MOSFETs Y

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BSB104N08NP3GXUMA3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUSA1

BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB104N08NP3GXUSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.41 EUR
500+	1.99 EUR

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BSB1270002

TXC CORPORATION

Description: OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB1270002

TXC Corporation

Standard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB1270003

TXC Corporation

Standard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V -5C +85C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB1270003

TXC CORPORATION

Description: XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±100ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 212.5 MHz
Base Resonator: Crystal

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB14D

Bussmann / Eaton

Circuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

auf Bestellung 9105 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3 G

MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

auf Bestellung 9105 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3G

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3G

Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V

auf Bestellung 4012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

156+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 156

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V

auf Bestellung 8786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

224+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 224

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 150V
On-state resistance: 16.5mΩ
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA1

MOSFETs N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3

auf Bestellung 1341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.6 EUR
10+	2.55 EUR
100+	2.48 EUR
250+	2.43 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.11 EUR
5000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA2

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA2

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA2

BSB165N15NZ3GXUMA2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA3

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB165N15NZ3GXUMA3

BSB165N15NZ3GXUMA3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB20KRT
Produktcode: 98225

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Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder

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BSB20KSW
Produktcode: 98224

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Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB280N15NZ3 G

MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3

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BSB280N15NZ3 G
Produktcode: 125682

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSB280N15NZ3G

Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V

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BSB280N15NZ3GXUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V

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Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R

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Description: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V

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MOSFET TRENCH >=100V

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Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R

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