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BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K GREENSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
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BSB 300 BLACKSKS KontakttechnikMULTIPLE-SPRING WIRE PLUG WITH COUPLI WAY, THE PLUGS CAN BE CONNECTED TOG TO MAXIMUM CABLE CROSS-SECTION OF 1
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BSB 300 BLAU / BLUESKS Kontakttechnik931294102
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BSB 300 GELB / YELLOWSKS Kontakttechnik931294103
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BSB 300 GRN / GREENSKS Kontakttechnik931294104
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BSB 300 REDSKS KontakttechnikMultiple-Spring Wire Plug With Coupling Located Parallel
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BSB-PIR90-UCarlo GavazziOptical Sensor Modules SMART-DUPLINE PL PIR DETECTOR 90 LIGHT REV.2
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BSB008NE2LXInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
auf Bestellung 118 Stücke:
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BSB008NE2LXInfineon technologies
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BSB008NE2LXXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
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BSB008NE2LXXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+4.03 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
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BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 46A 7-Pin WDSON T/R
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BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
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BSB012N03LX3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 3581 Stücke:
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335+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
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BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
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BSB012N03LX3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
228+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R
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BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
228+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BSB012N03LX3GXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSB012N03MX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
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BSB012N03MX3GXTInfineon TechnologiesMOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING
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BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
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BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
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BSB012NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
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BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 37A 7-Pin WDSON T/R
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BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+4.03 EUR
100+3.24 EUR
500+2.66 EUR
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BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5852 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSB012NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB013NE2LXIInfineon technologies
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSB013NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+3.52 EUR
100+2.83 EUR
500+2.32 EUR
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BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
auf Bestellung 18879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 258
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BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSB014N04LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSB014N04LX3GInfineon technologies
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.45 EUR
63+2.28 EUR
73+1.90 EUR
100+1.63 EUR
250+1.37 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
auf Bestellung 3269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
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BSB014N04LX3GXUMA1
Produktcode: 168892
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13800 RPM
Air Flow: 0.170 CFM (0.005m³/min)
Width: 3.50mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.154 in H2O (38.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 150 mW
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.89 EUR
10+22.10 EUR
25+20.27 EUR
50+18.96 EUR
195+18.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 15x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.51 EUR
10+32.00 EUR
25+28.93 EUR
50+26.66 EUR
195+22.05 EUR
585+20.56 EUR
1170+20.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.36 EUR
65+2.20 EUR
67+2.07 EUR
100+1.84 EUR
250+1.72 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.5V 0.23CFM 26.5dB 17 X 17 X 3.4mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 17x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.22 EUR
10+25.54 EUR
25+24.18 EUR
50+23.16 EUR
100+21.88 EUR
250+20.45 EUR
500+19.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.230 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.40mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 26.5dB(A)
Static Pressure: 0.182 in H2O (45.3 Pa)
Power (Watts): 180 mW
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.89 EUR
10+22.10 EUR
25+20.27 EUR
50+18.96 EUR
100+18.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB017N03LX309+/10+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSB017N03LX3
Produktcode: 118806
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB017N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB019N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.3V 0.28CFM 32dB 20 X 20 X 3.28mm
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.86 EUR
50+27.06 EUR
100+23.70 EUR
180+22.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.280 CFM (0.008m³/min)
Width: 3.28mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.252 in H2O (62.8 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 180 mW
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.88 EUR
10+18.78 EUR
25+18.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 20x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.78 EUR
10+30.10 EUR
25+26.52 EUR
50+25.41 EUR
100+22.81 EUR
250+22.76 EUR
352+19.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0205HA5-00HSFDelta ElectronicsDescription: BLOWER SQUARE 20X5MM 5VDC PWM
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 10500 RPM
Air Flow: 0.530 CFM (0.015m³/min)
Width: 5.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.7dB(A)
Static Pressure: 0.432 in H2O (107.7 Pa)
Power (Watts): 0.5 W
auf Bestellung 14750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.63 EUR
10+12.09 EUR
25+11.11 EUR
50+10.40 EUR
100+9.72 EUR
304+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0205HA5-00HSFDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans DC Blower, 20x20x5mm, 5VDC, 0.54CFM, 0.5W, 32.7dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0205HP-00EFGDelta Electronics Inc.DC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDescription: FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.570 CFM (0.016m³/min)
Width: 5.28mm
Weight: 0.004 lb (1.81 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: cURus, TUV
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 35.9dB(A)
Static Pressure: 0.400 in H2O (99.6 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 400 mW
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.89 EUR
10+22.10 EUR
25+20.27 EUR
50+18.96 EUR
100+18.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fans Tubeaxial Fan, 20x5mm, 5VDC, Sleeve, 4-Lead Wires, Lock Rotor Sensor, Tach, PWM
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.72 EUR
10+28.49 EUR
25+26.29 EUR
50+24.76 EUR
100+23.32 EUR
250+22.92 EUR
352+19.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB024N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+3.34 EUR
100+2.80 EUR
250+2.73 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.06 EUR
5000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GInfineon technologies
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.93 EUR
10+3.88 EUR
100+2.71 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesOptiMOS 3 Power-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
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BSB03505HP-00Delta ElectronicsDescription: BLOWER SQUARE 35X5.5MM 5VDC PWM
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square/Rounded - 35mm L x 35mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 11000 RPM
Air Flow: 2.1 CFM (0.059m³/min)
Width: 5.50mm
Operating Temperature: 32 ~ 140°F (0 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 54.0dB(A)
Static Pressure: 1.181 in H2O (294.2 Pa)
Power (Watts): 1 W
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
10+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB044N08NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.92 EUR
10+6.21 EUR
100+5.09 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.92 EUR
5000+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+6.09 EUR
100+5.00 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.80 EUR
2500+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
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BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
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BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.55 EUR
10+4.99 EUR
100+3.53 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSB053N03LP GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB053N03LPGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
693+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
auf Bestellung 8122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+4.47 EUR
25+4.45 EUR
100+3.50 EUR
500+3.31 EUR
1000+2.97 EUR
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BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.37 EUR
10+4.17 EUR
100+2.92 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSB056N10NN3GXUMA1
Produktcode: 125684
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.34 EUR
65+2.21 EUR
66+2.10 EUR
100+2.00 EUR
250+1.91 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.72 EUR
3000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GInfineon technologies
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesN-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs Y
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3564 Stücke:
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BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
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BSB1270002TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C
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BSB1270002TXC CORPORATIONDescription: OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD
auf Bestellung 13 Stücke:
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BSB1270003TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V -5C +85C
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BSB1270003TXC CORPORATIONDescription: XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±100ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 212.5 MHz
Base Resonator: Crystal
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BSB14DBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK
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BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
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BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
auf Bestellung 9105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
auf Bestellung 9105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSB165N15NZ3GInfineon technologies
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSB165N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
auf Bestellung 4012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
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BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
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BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
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BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
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BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
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BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
auf Bestellung 8786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
224+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 224
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BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.60 EUR
10+2.55 EUR
100+2.48 EUR
250+2.43 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.11 EUR
5000+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
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BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesBSB165N15NZ3GXUMA2
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BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesBSB165N15NZ3GXUMA3
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BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB20KRT
Produktcode: 98225
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB20KSW
Produktcode: 98224
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3 G
Produktcode: 125682
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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BSB280N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
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BSB280N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
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BSB280N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB75-48S05FLTmodule
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSB881N03LX3GXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB881N03LX3GXUMA1 - BSB881N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSB881N03LX3GXUMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSBINJ12128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSBINJ121810Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 10"
Part Status: Active
Depth: 18"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSBINJ8128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 8"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
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BSBN2-103AALPS07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSBN2-103AALPS07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH