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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BSB 20 K BLACK | SKS Kontakttechnik | Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB 20 K BLACK | SKS Kontakttechnik | Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB 20 K BLUE | SKS Kontakttechnik | Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB 20 K BLUE | SKS Kontakttechnik | Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB 20 K RED | SKS Kontakttechnik | Conn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB 20 K RED | SKS Kontakttechnik | Conn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB 20 K YELLOW | SKS Kontakttechnik | Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB 20 K YELLOW | SKS Kontakttechnik | Conn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB 20K red | Belden/Hirschmann | BSB 20K red 930 729-101 Клемники | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB-04BFFM-SL7A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 10A, 04 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 1000mm, IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB-04BFFM-SL7A03 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 10A, 04 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 3000mm, IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB-04BFFM-SL7A04 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 10A, 04 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 4000mm, IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB-04BFFM-SL7A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 10A, 04 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 5000mm, IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB-04BFFM-SL7A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 10A, 04 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 10000mm, IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB-PIR90-U | Carlo Gavazzi | Optical Sensor Modules SMART-DUPLINE PL PIR DETECTOR 90 LIGHT REV.2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB008NE2LX | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB008NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB008NE2LXXT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB008NE2LXXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 89W Drain current: 180A Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 46A 7-Pin WDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012N03LX3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 3581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012N03LX3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V | auf Bestellung 4233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB012N03LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 4398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB012N03LX3GXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB012N03MX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012N03MX3GXT | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012NE2LX | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012NE2LX | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS | auf Bestellung 1156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5852 pF @ 12 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB013NE2LXI | Infineon technologies | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB013NE2LXIXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm | auf Bestellung 4754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V | auf Bestellung 18879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB013NE2LXIXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm | auf Bestellung 4754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 | auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB014N04LX3G | Infineon technologies | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB014N04LX3GXUMA1 Produktcode: 168892
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 | auf Bestellung 3269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB01503HA3-00CGE | Delta Electronics | DC Fans Blower, 15x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB01503HA3-00CGE | Delta Electronics | Description: FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach) Packaging: Box Voltage - Rated: 3VDC Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H Bearing Type: Sleeve RPM: 13800 RPM Air Flow: 0.170 CFM (0.005m³/min) Width: 3.50mm Weight: 0.003 lb (1.36 g) Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) Termination: 3 Position Rectangular Connector Fan Type: Blower Noise: 30.0dB(A) Static Pressure: 0.154 in H2O (38.4 Pa) Part Status: Active Power (Watts): 150 mW | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com | auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB015N04NX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB01703HA3-00CAJ | Delta Electronics | Blowers & Centrifugal Fans Blower, 17x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor | auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB01703HA3-00CAJ | Delta Electronics | DC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.5V 0.23CFM 26.5dB 17 X 17 X 3.4mm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 644 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB01703HA3-00CAJ | Delta Electronics | Description: FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach) Packaging: Box Voltage - Rated: 3VDC Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H Bearing Type: Sleeve RPM: 12000 RPM Air Flow: 0.230 CFM (0.006m³/min) Width: 3.40mm Weight: 0.003 lb (1.36 g) Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) Termination: 3 Position Rectangular Connector Fan Type: Blower Noise: 26.5dB(A) Static Pressure: 0.182 in H2O (45.3 Pa) Power (Watts): 180 mW | auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB017N03LX3 Produktcode: 118806
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB017N03LX3 | 09+/10+ | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB019N03LX G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 174A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB0203HA3-00CER | Delta Electronics | DC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.3V 0.28CFM 32dB 20 X 20 X 3.28mm | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB0203HA3-00CER | Delta Electronics | Blowers & Centrifugal Fans Blower, 20x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB0203HA3-00CER | Delta Electronics | Description: FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT Packaging: Box Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach) Voltage - Rated: 3VDC Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H Bearing Type: Sleeve RPM: 13000 RPM Air Flow: 0.280 CFM (0.008m³/min) Width: 3.28mm Weight: 0.003 lb (1.36 g) Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) Termination: 3 Position Rectangular Connector Fan Type: Blower Noise: 32.0dB(A) Static Pressure: 0.252 in H2O (62.8 Pa) Part Status: Active Power (Watts): 180 mW | auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB0205HA5-00HSF | Delta Electronics | Description: BLOWER SQUARE 20X5MM 5VDC PWM Packaging: Box Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach) Voltage - Rated: 5VDC Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H Bearing Type: Sleeve RPM: 10500 RPM Air Flow: 0.530 CFM (0.015m³/min) Width: 5.00mm Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) Termination: 4 Position Rectangular Connector Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant Fan Type: Blower Noise: 32.7dB(A) Static Pressure: 0.432 in H2O (107.7 Pa) Power (Watts): 0.5 W | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB0205HA5-00HSF | Delta Electronics | DC Fans DC Blower, 20x20x5mm, 5VDC, 0.54CFM, 0.5W, 32.7dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB0205HP-00EFG | Delta Electronics | DC Fans Tubeaxial Fan, 20x5mm, 5VDC, Sleeve, 4-Lead Wires, Lock Rotor Sensor, Tach, PWM | auf Bestellung 552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB0205HP-00EFG | Delta Electronics | Description: FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE Power (Watts): 400 mW Part Status: Active Static Pressure: 0.400 in H2O (99.6 Pa) Noise: 35.9dB(A) Fan Type: Tubeaxial Approval Agency: cURus, TUV Termination: 4 Wire Leads Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) Weight: 0.004 lb (1.81 g) Width: 5.28mm Air Flow: 0.570 CFM (0.016m³/min) RPM: 12000 RPM Bearing Type: Sleeve Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H Voltage - Rated: 5VDC Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach) Packaging: Box | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB0205HP-00EFG | Delta Electronics | DC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 704 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB024N03LX G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB028N06NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB028N06NN3G | Infineon technologies | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSB028N06NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB028N06NN3GXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB028N06NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB028N06NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB028N06NN3GXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB028N06NN3GXUMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB028N06NN3GXUMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB03505HP-00 | Delta Electronics | Blowers & Centrifugal Fans DC Blower, 35x35x5.5mm, 5VDC, 2.1CFM, 1W, 54dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM | auf Bestellung 1099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB03505HP-00 | Delta Electronics | Description: BLOWER SQUARE 35X5.5MM 5VDC PWM Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach) Packaging: Box Voltage - Rated: 5VDC Size / Dimension: Square/Rounded - 35mm L x 35mm H Bearing Type: Sleeve RPM: 11000 RPM Air Flow: 2.1 CFM (0.059m³/min) Width: 5.50mm Operating Temperature: 32 ~ 140°F (0 ~ 60°C) Termination: 4 Position Rectangular Connector Fan Type: Blower Noise: 54.0dB(A) Static Pressure: 1.181 in H2O (294.2 Pa) Power (Watts): 1 W | auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB044N08NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3 | auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3 | auf Bestellung 2015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB053N03LP G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB053N03LPG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB056N10NN3 | Infineon | N-Channel 150V 37A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3 | auf Bestellung 776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 82 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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