Produkte > IHW
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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IHW15N120E1 | Infineon / IR | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 Produktcode: 185295
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 1940ns Turn-off time: 1450ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 62.2W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 90nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW15N120E1XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 300µJ (off) Gate Charge: 90 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 1940ns Turn-off time: 1450ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 62.2W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 90nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW15N120R | Infineon Technologies | IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R2 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/282ns Switching Energy: 900µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V Gate Charge: 133 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 357 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R2 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100084 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R2 | Infineon Technologies | IGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R3 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW15N120R3 Produktcode: 140007
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IHW15N120R3 | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod | auf Bestellung 1829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 45A Turn-off time: 346ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 127W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 165nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/300ns Switching Energy: 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 254 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 45A Turn-off time: 346ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 127W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 165nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15T120 | INF | 07+; | auf Bestellung 13680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 113 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 113000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R | Infineon Technologies | IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R2 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100059 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R2 | INFINEON | 07+ SOP20 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R2 | Infineon Technologies | IGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R2 | INFINEON | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N120R2 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/359ns Switching Energy: 1.2mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 143 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 330 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
H20R1202 Produktcode: 105788
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3 | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3 Produktcode: 83109
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| Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247-3 Vces: 1200 V Vce: 1,48 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 310 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3FKSA1 Produktcode: 118248
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/387ns Switching Energy: 950µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 211 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 310 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 310 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R5 | Infineon Technologies | Description: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/260ns Switching Energy: -, 750µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 288 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5 | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N120R5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 41040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/260ns Switching Energy: 750µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 288 W | auf Bestellung 816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R3 Produktcode: 133097
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N135R3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N135R3 | Infineon Technologies | Description: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/335ns Switching Energy: -, 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 195 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 310 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1350V 40A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/335ns Switching Energy: 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 195 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 310 W | auf Bestellung 13692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 13054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R3FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW20N135R3FKSA1 - IHW20N135 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1350V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/335ns Switching Energy: 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 195 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 310 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N135R5 | Infineon technologies | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N135R5 транзистор IGBT 40A ( IHW20N135R5XKSA1) Produktcode: 162475
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA | Infineon Technologies | Description: REVERSE CONDUCTING IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/235ns Switching Energy: 950µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 288 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 79668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1350V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/235ns Switching Energy: 950µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 288 W | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1400V 40A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-44 Td (on/off) @ 25°C: -/150ns Switching Energy: -, 70µJ (off) Test Condition: 25V, 20A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 211 W | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1400 V, 20 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW20N140R5LXKSA1 - IGBT, 40 A, 1.7 V, 211 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N65R5 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 97nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-off time: 257ns Anzahl je Verpackung: 240 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 Produktcode: 182097
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 150 W | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 97nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-off time: 257ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20T120 | INF | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW20T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 178 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120 | MODULE | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW25N120E1 | Infineon / IR | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 92.4W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Turn-off time: 2004ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 800µJ (off) Gate Charge: 147 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 231 W | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 92.4W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Turn-off time: 2004ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120R2 | Infineon Technologies | IGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120R2 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: -/324ns Switching Energy: 1.59mJ Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 60.7 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 365 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120R2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1400 V, 25 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW25N140R5LXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW25N140R5LXKSA1 - IGBT, 68 A, 1.7 V, 246 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 68A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW25N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1400V 68A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-44 Td (on/off) @ 25°C: -/195ns Switching Energy: -, 110µJ (off) Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 68 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 246 W | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N100R | Infineon Technologies | Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/846ns Switching Energy: 2.1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 209 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N100T | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100059 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns Switching Energy: 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/350ns Switching Energy: 1.15mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.1kV Collector current: 30A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Turn-off time: 470ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW30N110R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.1kV Collector current: 30A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Turn-off time: 470ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N110R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TO-247-3 Packaging: Tube Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/350ns Gate Charge: 240 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N120R | Infineon Technologies | IGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R2 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100152 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R2 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/792ns Switching Energy: 3.1mJ Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V Gate Charge: 198 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 390 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R3 | Infineon technologies | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N120R3FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW30N120R3FKSA1 - IHW30N120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: -/326ns Switching Energy: 1.47mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-off time: 363ns | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-off time: 363ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 1641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/330ns Switching Energy: 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N120R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R3 | Infineon Technologies | Description: REVERSE CONDUCTING IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/337ns Switching Energy: 1.93mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R3 Produktcode: 187683
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N135R3 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N135R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1350V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/337ns Switching Energy: 1.93mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 263nC Kind of package: tube Turn-off time: 510ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/310ns Switching Energy: 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 Produktcode: 183681
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 680ns | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 680ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1400 V, 30 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N140R5LXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1400V 80A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-44 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Td (on/off) @ 25°C: -/175ns Switching Energy: -, 140µJ (off) Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 306 W | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N140R5LXKSA1 Produktcode: 196050
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IHW30N160R2 | Infineon Technologies | IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R2 Produktcode: 53306
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IHW30N160R2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1 Verlustleistung Pd: 312 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/525ns Switching Energy: 4.37mJ Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5 | Infineon Technologies | Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N160R5FKSA1 | Infineon Technologies | IHW30N160R5FKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5FKSA1 | Infineon Technologies | IHW30N160R5FKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 411ns | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/290ns Switching Energy: -, 350µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 263 W | auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1 Produktcode: 180199
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 411ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 8965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | Infineon | Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 3876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IHW30N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N60T | Infineon Technologies | Description: IHW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N60T | MODULE | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5 | Infineon technologies | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW30N65R5 | Rochester Electronics, LLC | Description: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IHW30N65R5 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35 Verlustleistung Pd: 176 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 176 W | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 163 W | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package | auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | Reverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005399486 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N65R6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90R | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90R | Infineon Technologies | Description: IGBT 900V 60A 454W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/511ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 454 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90RXK | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90T | Infineon Technologies | Description: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns Switching Energy: 1.8mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 280 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 5809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW30N90T | INF | 07+; | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW30N90TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW30N90TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 900V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns Switching Energy: 1.8mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 280 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/336ns Switching Energy: 2.02mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V Gate Charge: 335 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 429 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 429 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/420ns Switching Energy: 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N120R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Collector current: 40A Technology: TRENCHSTOP™ RC Turn-off time: 440ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Collector current: 40A Technology: TRENCHSTOP™ RC Turn-off time: 440ns Gate-emitter voltage: ±20V | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N120R5XKSA1 Produktcode: 175988
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 3588 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IHW40N135R3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1350V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/343ns Switching Energy: 2.5mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V Gate Charge: 365 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 429 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 Verlustleistung: 429 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP™ SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R5 | Infineon Technologies | Infineon HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 197W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 305nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 0.5µs Type of transistor: IGBT | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/410ns Switching Energy: 2mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 305 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 197W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 305nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 0.5µs Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N135R5XKSA1 (H40PR5) ; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon Produktcode: 182017
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IHW40N135R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IHW40N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1400 V, 40 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1400V 80A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-44 Td (on/off) @ 25°C: -/225ns Switching Energy: -, 240µJ (off) Test Condition: 25V, 40A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 260 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 366 W | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N140R5LXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 366 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 366W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/193ns Switching Energy: 750µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 15396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N60R | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 305 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4 Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RF Produktcode: 101823
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW40N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N60RFFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/175ns Switching Energy: 560µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 305 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW40N60RFFKSA1 - IHW40N60R DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N60RFFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/175ns Switching Energy: 560µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N60RFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 217ns Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N60RFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/193ns Switching Energy: 750µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 305 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW40N60RFKSA1 - IHW40N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/193ns Switching Energy: 750µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N60RFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 217ns Collector-emitter voltage: 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60RFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N60T | auf Bestellung 6645 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IHW40N65R5 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW40N65R5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 193 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 273ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 273ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 83A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 159 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 83 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 210 W | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Monolithic Integrated Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N65R6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 105W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Monolithic Integrated Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 105W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW40N65R6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005399488 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T120 | INF | 07+; | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T120 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T120 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T60 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T60 | INF | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW40T60 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T60 | Infineon Technologies | Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/186ns Switching Energy: 920µJ Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 303 W | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/186ns Switching Energy: 920µJ Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 303 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/186ns Switching Energy: 920µJ Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 303 W | auf Bestellung 11523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW50N65R5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW50N65R5 | Infineon technologies | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 282W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 282 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW50N65R6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 251W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW50N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 108 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 199 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 251 W | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW50N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005399490 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IHW50N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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