Produkte > LSI

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
LSI-L5A9898
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI00197LSI4-Port Internal 6Gb/s SAS/SATA PCIe 2.0 512MB 3.3V/12V
Produkt ist nicht verfügbar
LSI010616-001Q
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI0664C
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI0724
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI100BPLCC
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI100CICSPLCC68
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016-60LJ
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016-60LJ07+
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016-60LJI07+
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016-80LJI07+
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI101660LJLATTICE97+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI101680LJIN/A04+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI101680LTLATTICE
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016E100L44LATTICE
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016E100LT44Lattice03+ QFP
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1016E100LT44LATTICE
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1024-60LJ107+
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1032E/70LT107+
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI104880LQLATTIC
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1048C507080LATTIC
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1048E-70LQ01+ QFP
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1048E125LQLATTIC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI11240LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI1200FNMOTPLCC44
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI131340BT-08-1.05Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 700mW; 8Ω
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Power: 0.7W
Maximum power: 1W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 13x13x4.1mm
Operating temperature: -30...85°C
Resonant frequency: 1.05kHz
Sound output tolerance: ±3dB
Height: 4.1mm
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.3 EUR
33+ 2.2 EUR
48+ 1.52 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
LSI131340BT-08-1.05Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 700mW; 8Ω
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Power: 0.7W
Maximum power: 1W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 13x13x4.1mm
Operating temperature: -30...85°C
Resonant frequency: 1.05kHz
Sound output tolerance: ±3dB
Height: 4.1mm
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
33+ 2.2 EUR
48+ 1.52 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
LSI151540BT-08-0.8Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 800mW; 8Ω
Operating temperature: -40...105°C
Power: 0.8W
Body dimensions: 15x15x4mm
Sound level: 92dB
Maximum power: 1W
Resonant frequency: 800Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Sound output tolerance: ±3dB
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Impedance: 8Ω
Height: 4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
32+ 2.27 EUR
49+ 1.49 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 31
LSI151540BT-08-0.8Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 800mW; 8Ω
Operating temperature: -40...105°C
Power: 0.8W
Body dimensions: 15x15x4mm
Sound level: 92dB
Maximum power: 1W
Resonant frequency: 800Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Sound output tolerance: ±3dB
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Impedance: 8Ω
Height: 4mm
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.37 EUR
32+ 2.27 EUR
49+ 1.49 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 31
LSI153C80S-44QFPLSIQFP
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI16X16-N1LSI2001 QFP
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI176TISOP-8
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2032LSI
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2032-80LJLATTICE
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2032A-80LJ4407+
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2032E110LJ4407+
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2032E110LTNLATTICECategory: Programmable circuits
Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k
Type of integrated circuit: CPLD
Supply voltage: 5V DC
Mounting: SMD
Case: TQFP44
Number of inputs/outputs: 32
DC supply current: 40mA
Number of gates: 1k
Frequency: 111MHz
Delay time: 10ns
Anzahl je Verpackung: 160 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI2032E110LTNLATTICECategory: Programmable circuits
Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k
Type of integrated circuit: CPLD
Supply voltage: 5V DC
Mounting: SMD
Case: TQFP44
Number of inputs/outputs: 32
DC supply current: 40mA
Number of gates: 1k
Frequency: 111MHz
Delay time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
LSI2032VE-110LT44LATTICE2000+
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2041LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE/100LT10007+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE/135LT10007+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE100LT100LATTICE02+ TQFP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE135LT100LATTICE
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE60LTLATTICE
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE60LT44LATTICE
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2064VE60LT44Lattice03+ QFP
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2096VE
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI212880LQLATTICE99+ QFP
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2128A80LQ160LATTICE99+ QFP
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI2128VE100LB20807+
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI4012-A
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI401Z-A
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI402ZXLSIBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI402ZXLSIBGA
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI402ZXLSILOGIC0347+ BGA
auf Bestellung 3589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI402ZX200MHZ
auf Bestellung 3589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI5128VE/100LT128-8007+
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI5256VA
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI5256VE-100LT128-8007+
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI5384VA
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI5384VELATTICA07+
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CLSI06+ QFP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C040LSI03+ QFP
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C040LSI
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C040LSIQFP
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1000BLSI03+ BGA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1000B1LSILOGIC
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1000B1GLSILOGICBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1000RLSI
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1000RLSI03+ BGA
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1000RB1LSILOGIC2003
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010LSI00+ BGA
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-33LSI00+ BGA
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66LSI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66LSIBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66LSIBGA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66 B1LSIBGA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66B1LSI LOGIC
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66B1LSI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66B1LSILOGIC2000
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010-66BILSIBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C101066LSI
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C101066B1LSI
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010RLSILOGIC09+PB
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010RLSI
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010RLSIBGA456
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010RLSILOGIC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010RLSIBGA
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1010RLSIQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020LSIBGA
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020LSI
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020LSIBGA456
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020 B2LSI04+
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020 B2LSIBGA
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020 B2LSIBGA
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020(CO)LSI
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020(CO)LSI05+
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020-B2LSI2002
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020-B2LSI
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020-C0LSI
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020-COBGA
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020/62047A1LSI LogicBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI CONTROLLER 53C1020
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI53C1020/62052A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI 53C1020
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI53C1020ALSI05+
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020ALSIBGA
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020ALSI05+ BGA-384
auf Bestellung 4576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020ALSI LOGIC0620
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020A A1LSIQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020A-CO
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020A384BGA-62072ALSI09+
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020AA1
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020BLSI03+ BGA
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020B2LSI09+
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020B2LSILOGIG2004
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020B2LSIBGA
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020C0LSI
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020COLSIBGA
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1020COLSI
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030LSI0450
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030LSIBGA
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030LSI
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030LSI06+ EPBGA456
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030LSILOGICBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030intech03+ BGA
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030 B2LSI
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030 C0LSI
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030 COLSILOGICBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030 COLSIBGA
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030(CO)LSI05+ BGA-456
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030(CO)LSI05+
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030(CO)LSI
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030-B2LSI02+ BGA
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030-B2LSI
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030-COLSIBGA
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030/62050A1LSI LogicBGA 456/LSI53C1030 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 SCSI CONT 53C1030
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI53C1030BLSI03+ BGA
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030B2LSIBGA
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030B2LSILOGIC2008
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030B2LSI
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030B2LSIBGA
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030CLSI03+ BGA
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030C0LSIBGA
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030C0LSI
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030COLSI
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030TLSILOGICBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030T-A0LSI
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030T-A2LSI
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030T-A2INTELBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030T-C0LSI
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1030T-E1-A2/62070A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1030T REV A.2 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 TARGET 62070
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI53C120LSILOGIC2000
auf Bestellung 7041 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C120B1LSILOGIC2000
auf Bestellung 7041 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C120B1LSILOGIC
auf Bestellung 7041 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C140LSI03+ QFP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C140LSI
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C141CONEXANTQFP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C1510
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180LSILOGIC0052+
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180N/A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180 C1LSIBGA
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180-C1
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180C1N/A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180C1LSIBGA
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180C1YLSI2004
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C180YLSI
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C320/62030D1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62074A1
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI53C320/62074A1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 (LEAD-FREE) U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62030D1
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSI53C710LSI99+ QFP
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C720LSIQFP
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C770LFPLSIQFP
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C80S
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C810AE
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C825ALSI
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875LSI0424+ PQFP-160
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875LSI0424+
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875ALSI03+ QFP
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875JLSI04+
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875JLSI2001
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875JLSI04+ MQFP208
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875JBELSIBGA169
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C875YLSILOGIC2001
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C876LSI00+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C876LSIQFP160
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C876LSIBGA
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C876-208QFPLSILOGIC01+ BGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C885LSI02+ QFP
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C885LSI
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C885LSIQFP
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C895LSIQFP
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C895LSI
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C895-208QFPLSILOGIC5
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C895A BOQFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C895A-208QFP
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C895A208QFPLSI
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896LSIOGIC03+ BGA
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896LSI00+ BGA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896LSI09+
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896LSIOGIC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896LSI0617+
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896LSIBGA
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53C896-328BGALSILOGIC
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CF92ALSI
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CF92ASYMBIOS97+ QFP
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CF92ALSIQFP
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CF96-2LSI99+
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CF96-2LSIQFP
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI53CU98LSA0631LSI0515+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI5512VA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI62N02LSI LOGIC87+
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI62N02LSI LOGIC87+
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64005MOT03+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64005MOT03+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64108MOT03+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64108MOT03+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64363C1
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64364A1
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64712A0LSI9904+
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI64733MAXIMQFP
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI65073B1-004(L64060C)LSIQFP176
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI65181A1LSILOGICBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI68042A1LSILOGIG2002
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI69207A1QFP
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI7240
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI80225LSIPLCC44
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI80225N/A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI8101D
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSI901PCLSI
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC1MO120E0040LittelfuseLSIC1MO120E0040
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080IXYSMOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+50.52 EUR
10+ 44.88 EUR
25+ 41.89 EUR
50+ 40.59 EUR
100+ 39.26 EUR
250+ 38.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO120E0080LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080
Produktcode: 138007		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0080LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0120LittelfuseMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35.15 EUR
10+ 31.75 EUR
25+ 31.41 EUR
50+ 30.73 EUR
100+ 28.68 EUR
250+ 28.34 EUR
450+ 27.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO120E0120LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0120
Produktcode: 183409		Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
LSIC1MO120E0120Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+38.17 EUR
10+ 33.63 EUR
100+ 29.08 EUR
500+ 26.36 EUR
LSIC1MO120E0120LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
LSIC1MO120E0120IXYSMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+39.94 EUR
10+ 35.18 EUR
25+ 34.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0160Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.73 EUR
10+ 23.55 EUR
100+ 20.37 EUR
500+ 18.46 EUR
1000+ 16.93 EUR
LSIC1MO120E0160LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0160LittelfuseMOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.09 EUR
10+ 25.64 EUR
25+ 25.25 EUR
50+ 24.47 EUR
100+ 22.15 EUR
250+ 21.76 EUR
450+ 21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120E0160LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0025LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 25MO TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0025LittelfuseSiC MOSFET 1200V 25mO TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0025LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 265nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0025Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0025LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 265nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0040LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 130A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0040Littelfuse1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0040Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0040LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 130A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0040LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+74.93 EUR
10+ 66.59 EUR
100+ 64.71 EUR
250+ 63.41 EUR
450+ 61.91 EUR
900+ 57.07 EUR
LSIC1MO120G0040LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC1MO120G0040Littelfuse1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0080LittelfuseMOSFET 1200 V, 80 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC1MO120G0080LittelfuseSiC MOSFET 1200V 80mO TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0080Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC1MO120G0120LittelfuseSiC MOSFET 1200V 120mO TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0120Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0120LittelfuseMOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC1MO120G0160Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0160LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 160MO
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120G0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0080-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 95nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0080-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 95nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0120-TULittelfuse1200V/120mohm SiC MOSFET TO-263-7L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0120-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0120-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0160-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0160-TULittelfuse1200V/160mohm SiC MOSFET TO-263-7L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO120T0160-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E0750LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1700V 750MO
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.32 EUR
10+ 16.56 EUR
25+ 15.73 EUR
100+ 13.81 EUR
250+ 13.34 EUR
450+ 12.12 EUR
900+ 10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC1MO170E0750Littelfuse1700 V 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E0750LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.42 EUR
30+ 10.71 EUR
120+ 9.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO170E0750LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E1000LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E1000Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E1000LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170E1000LITTELFUSETrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+28.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO170E1000LittelfuseMOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC1MO170H0750-TRLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170T0750LITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 11nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170T0750LittelfuseMOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+24 EUR
10+ 20.57 EUR
50+ 19.47 EUR
100+ 17.19 EUR
500+ 15.18 EUR
1000+ 13.6 EUR
2500+ 12.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC1MO170T0750LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC1MO170T0750IXYSMOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET
auf Bestellung 4887 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+24 EUR
10+ 20.57 EUR
50+ 19.47 EUR
100+ 17.19 EUR
500+ 15.18 EUR
1000+ 13.6 EUR
2500+ 12.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC1MO170T0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.14 EUR
10+ 22.7 EUR
100+ 18.8 EUR
500+ 16.37 EUR
1000+ 14.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC1MO170T0750LITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 11nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD065A06ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A06ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.94 EUR
10+ 7.49 EUR
100+ 6.06 EUR
500+ 5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC2SD065A06ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 32W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A06ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 32W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A08ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A08A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 29 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.08 EUR
10+ 9.29 EUR
100+ 7.52 EUR
500+ 6.68 EUR
1000+ 5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC2SD065A08ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 38W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A08ALittelfuse650V/8A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A08ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 38W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.9 EUR
10+ 12.77 EUR
100+ 10.63 EUR
250+ 10.19 EUR
500+ 9.39 EUR
1000+ 8.27 EUR
2000+ 8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
LSIC2SD065A10ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A10A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 30 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 30nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD065A10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.48 EUR
10+ 12.41 EUR
100+ 10.34 EUR
500+ 9.12 EUR
1000+ 8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 43W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A10ALittelfuse650V/10A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 43W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD065A16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.08 EUR
10+ 16.37 EUR
100+ 13.64 EUR
500+ 12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065A16ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 54W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A16ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 54W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 60W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 63 nC, TO-220
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650
Kapazitive Gesamtladung: 63
Anzahl der Pins: 2 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 45
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A20ALittelfuse650V/20A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065A20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.17 EUR
10+ 23.32 EUR
100+ 19.42 EUR
250+ 18.62 EUR
500+ 17.13 EUR
1000+ 15.44 EUR
5000+ 15.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065A20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.44 EUR
10+ 22.65 EUR
100+ 18.88 EUR
500+ 16.66 EUR
LSIC2SD065A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 60W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO252; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO252; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065C06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALittelfuseDiode Schottky SiC 650V 18.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C06ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD065C08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO252; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.97 EUR
10+ 9.21 EUR
100+ 7.45 EUR
500+ 6.63 EUR
1000+ 5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC2SD065C08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO252; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C08ALittelfuse650V/8A SiC SBD TO252-2L AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C10ALittelfuseGEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 10 A
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-252-2L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-252-2L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO252; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C16ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD065C16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO252; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C16ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD065C20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO252; 60W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C20ALittelfuseDiode Schottky SiC 650V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-252-2L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065C20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO252; 60W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SBD TO263-2LAEC-Q101
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.15 EUR
10+ 7.72 EUR
100+ 6.24 EUR
250+ 5.9 EUR
500+ 5.54 EUR
800+ 4.73 EUR
2400+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
LSIC2SD065D06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D06ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.39 EUR
10+ 9.57 EUR
100+ 7.75 EUR
250+ 7.31 EUR
500+ 6.89 EUR
800+ 5.85 EUR
2400+ 5.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
LSIC2SD065D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.48 EUR
10+ 12.41 EUR
100+ 10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065D10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SIC SBD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.05 EUR
10+ 13.62 EUR
100+ 11.26 EUR
500+ 9.8 EUR
800+ 8.22 EUR
4800+ 8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
LSIC2SD065D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO263; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.5 EUR
10+ 16.71 EUR
100+ 13.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065D16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO263; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO263; 65W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 95A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D20ALittelfuseSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 45 A
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.44 EUR
10+ 22.65 EUR
100+ 18.88 EUR
LSIC2SD065D20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SIC SBD
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.3 EUR
10+ 23.4 EUR
100+ 19.53 EUR
250+ 19.06 EUR
500+ 17.21 EUR
800+ 15.26 EUR
2400+ 14.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO263; 65W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 95A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 45 A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+14.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800
LSIC2SD065E12CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 650V 18.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.94 EUR
10+ 13.67 EUR
100+ 11.39 EUR
500+ 10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065E12CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E12CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6Ax2; 32/64W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32/64W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E12CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6Ax2; 32/64W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32/64W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E16CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 38/76W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38/76W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E16CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SCHOTTKY SIC 650V 8A DUAL
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.41 EUR
10+ 20.24 EUR
100+ 16.76 EUR
500+ 14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065E16CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E16CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 38/76W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38/76W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E20CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.18 EUR
10+ 22.45 EUR
100+ 18.71 EUR
LSIC2SD065E20CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 43/86W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 43/86W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E20CCALittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E40CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/40A SIC SBD TO247-3L
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+50.26 EUR
10+ 45.08 EUR
25+ 44.28 EUR
50+ 41.65 EUR
100+ 39.44 EUR
250+ 37.47 EUR
450+ 33.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 60/120W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60/120W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065E40CCA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 96 A, 63 nC, SOT-227B
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227B
Kapazitive Gesamtladung: 63nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 96A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 96A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 60/120W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60/120W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E40CCALittelfuseDiode Schottky SiC 650V 96A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD065E40CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.88 EUR
10+ 43.43 EUR
100+ 37.98 EUR
LSIC2SD120A05LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; 43.3W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 43.3W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A05LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120A05LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; 43.3W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 43.3W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 17.5 A, 30 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 30
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A08LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120A08LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; 54W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
Load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A08LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 47nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24.5A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120A08LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; 54W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
Load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120A10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 59W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 59W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120A10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 59W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 59W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A10AIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 10A TO-220-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 65W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 65W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 65W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 65W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A15LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120A15LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 44A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A15LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 93W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 93W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD120A15LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 93W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 93W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A15LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A15 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 44 A, 92 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 92
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 44
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 108W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120A20LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 108W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD120A20AIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 20A TO-220-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 108W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 108W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120A20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 55 A, 125 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 18.1A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 18.1A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120C05ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 05A TO2
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C05ALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C08LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120C08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C08LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 24.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C08LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C08ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 08A TO2
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 08A TO252-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120C10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C10ALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 10A TO252-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120C20LittelfuseDiode Schottky SiC 1.2KV 33A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120D10LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 59W
Technology: SiC
Power dissipation: 59W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120D10LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-263-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.5 EUR
10+ 16.72 EUR
100+ 13.94 EUR
250+ 13.34 EUR
500+ 11.75 EUR
800+ 10.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC2SD120D10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 59W
Technology: SiC
Power dissipation: 59W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10ALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 65W
Technology: SiC
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 65W
Technology: SiC
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D10ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; TO263; 93W
Technology: SiC
Power dissipation: 93W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; TO263; 93W
Technology: SiC
Power dissipation: 93W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-263-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.3 EUR
10+ 25.06 EUR
25+ 24.05 EUR
50+ 23.27 EUR
100+ 21.19 EUR
250+ 20.15 EUR
500+ 18.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD120D15ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 15A TO263-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D15ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-263-2L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
LSIC2SD120D20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120D20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120D20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; TO263; 108W
Technology: SiC
Power dissipation: 108W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; TO263; 108W
Technology: SiC
Power dissipation: 108W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120D20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 20A TO263-2L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 43/86W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A x2
Max. forward voltage: 2.1V
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.16 EUR
14+ 5.35 EUR
15+ 5.06 EUR
100+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12
LSIC2SD120E10CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.28 EUR
10+ 18.54 EUR
100+ 15.76 EUR
450+ 14.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 43/86W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.16 EUR
14+ 5.35 EUR
15+ 5.06 EUR
100+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12
LSIC2SD120E10CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E10CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 35 A, 30 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 30
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120E15CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; 54/108W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 54/108W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 8A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E15CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E15CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; 54/108W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 54/108W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 8A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E15CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+18.65 EUR
90+ 17.55 EUR
300+ 17.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30
LSIC2SD120E15CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-3L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+33.88 EUR
10+ 31.15 EUR
100+ 26.31 EUR
450+ 23.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD120E20CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 59/118W
Technology: SiC
Power dissipation: 59/118W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E20CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 20A
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD120E20CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E20CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 59/118W
Technology: SiC
Power dissipation: 59/118W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 130W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 4V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E20CCAIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 130W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 4V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E20CCALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E30CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 88 A, 92 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 92
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 93/186W
Technology: SiC
Power dissipation: 93/186W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 93/186W
Technology: SiC
Power dissipation: 93/186W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 178W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCAIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x15A TO247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 178W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E30CCALittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E40CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 109 A, 115 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 109
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 108/216W
Technology: SiC
Power dissipation: 108/216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E40CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 40A
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 108/216W
Technology: SiC
Power dissipation: 108/216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.2V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E40CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3L SiC Schottky Diode
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+72.18 EUR
10+ 66.56 EUR
100+ 56.84 EUR
450+ 51.58 EUR
LSIC2SD120E40CCALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 216W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E40CCAIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 216W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N120PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 440A
Load current: 60A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N120PALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/120A SIC SBD IN SOT-227
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 779-793 Tag (e)
1+281.76 EUR
10+ 267.2 EUR
LSIC2SD120N120PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 440A
Load current: 60A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N120PALittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 240A 4-Pin SOT-227B Tube
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N120PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V 120A
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N40PALittelfuse1200V/40A SiC SBD in SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N40PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N40PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N40PALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/40A SIC SBD IN SOT-227
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 888-902 Tag (e)
1+126.91 EUR
10+ 118.38 EUR
20+ 113.44 EUR
50+ 109.9 EUR
LSIC2SD120N40PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N80PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 75A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N80PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 300A
Load current: 40A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N80PALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/80A SIC SBD IN SOT-227
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+191.59 EUR
10+ 181.71 EUR
20+ 176.77 EUR
LSIC2SD120N80PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 300A
Load current: 40A x2
Max. forward voltage: 2.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N80PALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120N80PA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, 240 nC, SOT-227B
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2
Kapazitive Gesamtladung: 240
Anzahl der Pins: 4 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-227B
Diodenkonfiguration: Zweifach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD120N80PALittelfuseSchottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; 76W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 72A
Power dissipation: 76W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B10LittelfuseSIC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; 76W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 72A
Power dissipation: 76W
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 10A
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+38.74 EUR
10+ 34.84 EUR
100+ 30.89 EUR
250+ 30.86 EUR
450+ 26.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
LSIC2SD170B25LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; 147W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 144A
Power dissipation: 147W
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B25LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 25A
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 1212-1226 Tag (e)
1+85.25 EUR
10+ 77.87 EUR
25+ 75.79 EUR
100+ 71.76 EUR
250+ 67.89 EUR
LSIC2SD170B25LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; 147W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 144A
Power dissipation: 147W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B50LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 50A; 280W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Power dissipation: 280W
Produkt ist nicht verfügbar
LSIC2SD170B50LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 50A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+181.01 EUR
10+ 164.94 EUR
50+ 162.81 EUR
100+ 147.91 EUR
450+ 147.34 EUR
LSIC2SD170B50LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 50A; 280W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Power dissipation: 280W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSIFC949E A1BGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIL2A0984HPBGA
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIL2B1635LSI
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIL2D0782LSI01+ BGA
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIL9B0054LSILOGIG96+
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR13733LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR2041LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3331LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3331-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3331/H0-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3331/TBSLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3331/TBS-X-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3331/TRSLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3333LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3333-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3333/TBSLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3333/TRSLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3341/S175-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3341/S201-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3831LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR3831-PFLIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR9033/A Світлодіод d=1.9 мм, інфрачервоний, J= 2.0 mcd, кут огляду 20, SMD
Produkt ist nicht verfügbar
LSIR9033/TR3LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR9353LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR9553/TR1LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSIR9S53/TR1LIGITEK2010+ LED
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISA81064E
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064LSIBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064 A1LSI LOGIC
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064 A2LSI04+
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064 A3LSI LOGICBGA
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064 A4 /62042E1LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.4 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1064
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1064 R:A3LSI LOGIC0630
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064/62042D1LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1064
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1064/62042D2LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 (LEAD-FREE) PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CO SAS1064
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
LSISAS1064A1LSILOGIC2004
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064A2LSI
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064A2LSIBGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064A3LSILOGIC
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064A3LSI06+
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064A4LSILOGIC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064A4LSI06+
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064ELSIbga 08+
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064ELSI08+ bga
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1064E-E1-B2/62097C2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1064E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 GB/S SAS/ 62097
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1064E/62097B2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1064E REV B.1 (LEAD-FREE - ROHS 6) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 SAS1064
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1068
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068 AOLSIBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068 B1 /62089B1LSI LogicEPBGA 636 /LSISAS1068 REV B.1 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1068
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1068-AOLSILOGIC2005
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068/62089A1LSI LogicEPBGA 636LSISAS1068 REV B.0 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1068
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1068/62089B2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068 REV B.1 (LEAD-FREE) PCI X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CON SAS1068
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
LSISAS1068AD
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068B0
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068BCLSILOGIC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068BOLSI
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068ELSI
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068E B1LSIBGA 09+
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068E B2 /62095C2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095C2
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1068E B3 /62095D2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.3 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095D2
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1068E/62095C1LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLL
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISAS1068EB3LSI09+ TSSOP16
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1068EЎЎB3
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078 C1LSIBGA
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078 C2LSIBGA
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078BOLSILOGIC2005
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078C1LSI LOGIC
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078C2LSILOGBGA 04+
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078C2LSILOG04+ BGA
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISAS1078COLSILOGIC05+
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12LSILOGIC0451+N
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12 A1LSIBGA
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12 A1LSILOGIC0451+N
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12 A1LSILOGIC0451+
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12ALSI
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12A AOBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX12A/62084A2LSI LogicEPBGA 472/LSISASX12A REV A.0 (LEAD-FREE) 12-PORT 3 GB/S SAS/SATA EXPANDER
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISASX28-E1/62081B2LSI LogicEPBGA 672/LSISASX28 REV A.1 (LEAD-FREE) 28-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER 62081B2
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
LSISASX36LSILOGIG2007
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LSISASX36/62067A1LSI LogicEPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISASX36/62067A2LSI LogicEPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 (LEAD-FREE) 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
LSISS1320-CALSI LogicBGA 117/RESTRICTED SALE - SELL LSISS9132 INTERPOSER CARD FIRST (CONTACT LSI LSISS1320 LSILSISS1320CL
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar