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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKA08N65F5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKA08N65H5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP08N65F5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP08N65H5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA8N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP8N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP8N65X2M | IXYS |
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auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTY8N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH68N65DM6AG | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG28N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP28N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB28N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB38N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB8N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD18N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD8N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STE88N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF18N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF28N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF38N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STFU18N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFU28N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFW38N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STI18N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STI18N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL18N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 1916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18N65M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DIW018N65 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.84 EUR |
23+ | 3.19 EUR |
24+ | 3 EUR |
IKA08N65F5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.14 EUR |
10+ | 3.34 EUR |
100+ | 2.55 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
1000+ | 1.83 EUR |
2500+ | 1.74 EUR |
IKA08N65H5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.59 EUR |
10+ | 2.29 EUR |
100+ | 1.59 EUR |
500+ | 1.35 EUR |
1000+ | 1.13 EUR |
2500+ | 1.04 EUR |
5000+ | 0.99 EUR |
IKP08N65F5 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.22 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
2500+ | 0.94 EUR |
5000+ | 0.89 EUR |
IKP08N65F5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.22 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
2500+ | 0.94 EUR |
5000+ | 0.89 EUR |
IKP08N65H5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.48 EUR |
10+ | 2.22 EUR |
100+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.12 EUR |
2500+ | 1.03 EUR |
5000+ | 1 EUR |
IKP08N65H5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.48 EUR |
10+ | 1.94 EUR |
100+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
5000+ | 1 EUR |
IKP28N65ES5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.89 EUR |
10+ | 2.99 EUR |
100+ | 2.46 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.63 EUR |
IXFA8N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
IXFA8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
IXFP8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 2.99 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
29+ | 2.55 EUR |
50+ | 2.49 EUR |
IXFP8N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 2.99 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
29+ | 2.55 EUR |
50+ | 2.49 EUR |
IXFY8N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
IXFY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.8 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.8 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
300+ | 1.36 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.65 EUR |
10+ | 3.29 EUR |
500+ | 3.22 EUR |
IXTH48N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.45 EUR |
8+ | 9.21 EUR |
9+ | 8.69 EUR |
10+ | 8.37 EUR |
IXTH48N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.45 EUR |
8+ | 9.21 EUR |
9+ | 8.69 EUR |
10+ | 8.37 EUR |
IXTH48N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.47 EUR |
10+ | 9.66 EUR |
IXTP8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.86 EUR |
10+ | 2.18 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
1000+ | 2.09 EUR |
IXTP8N65X2M |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.77 EUR |
10+ | 3.29 EUR |
100+ | 3.08 EUR |
500+ | 2.97 EUR |
1000+ | 2.82 EUR |
IXTQ48N65X2M |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.13 EUR |
8+ | 9.62 EUR |
IXTQ48N65X2M |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.13 EUR |
8+ | 9.62 EUR |
IXTY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.66 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
IXTY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.66 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
140+ | 1.22 EUR |
560+ | 1.19 EUR |
IXTY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.65 EUR |
10+ | 4.47 EUR |
70+ | 2.9 EUR |
SH68N65DM6AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 42.43 EUR |
10+ | 32.33 EUR |
100+ | 26.61 EUR |
SIHG28N65EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.37 EUR |
10+ | 8.48 EUR |
100+ | 6.86 EUR |
500+ | 5.44 EUR |
SIHP28N65EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.68 EUR |
10+ | 7.9 EUR |
100+ | 6.39 EUR |
500+ | 5.68 EUR |
1000+ | 5.09 EUR |
STB18N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.93 EUR |
10+ | 3.68 EUR |
100+ | 2.76 EUR |
500+ | 2.32 EUR |
1000+ | 2.02 EUR |
2000+ | 1.92 EUR |
STB28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.64 EUR |
10+ | 4.38 EUR |
100+ | 3.1 EUR |
500+ | 2.85 EUR |
1000+ | 2.41 EUR |
STB38N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.74 EUR |
10+ | 7.5 EUR |
100+ | 6.16 EUR |
500+ | 5.46 EUR |
1000+ | 4.58 EUR |
STB8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
STB8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
STB8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.24 EUR |
10+ | 3.57 EUR |
100+ | 2.53 EUR |
500+ | 2.2 EUR |
1000+ | 1.9 EUR |
2000+ | 1.85 EUR |
STD18N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.97 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
100+ | 1.77 EUR |
250+ | 1.74 EUR |
STD18N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.97 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
100+ | 1.77 EUR |
250+ | 1.74 EUR |
STD18N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.1 EUR |
10+ | 3.61 EUR |
100+ | 2.52 EUR |
500+ | 2.22 EUR |
1000+ | 2.2 EUR |
2500+ | 1.87 EUR |
STD8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.76 EUR |
STD8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.76 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
STD8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.48 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.88 EUR |
500+ | 1.83 EUR |
1000+ | 1.8 EUR |
2500+ | 1.67 EUR |
STE88N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 59.01 EUR |
10+ | 52.92 EUR |
100+ | 38.05 EUR |
STF18N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.24 EUR |
10+ | 2.01 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.56 EUR |
1000+ | 1.54 EUR |
5000+ | 1.48 EUR |
10000+ | 1.47 EUR |
STF28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
STF28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
17+ | 4.2 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
STF28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.81 EUR |
10+ | 3.03 EUR |
100+ | 2.73 EUR |
500+ | 2.2 EUR |
1000+ | 2.02 EUR |
STF38N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.23 EUR |
16+ | 4.55 EUR |
17+ | 4.3 EUR |
STF38N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.03 EUR |
10+ | 4.36 EUR |
100+ | 4.35 EUR |
500+ | 4.07 EUR |
STF8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFU18N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.4 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
500+ | 1.81 EUR |
1000+ | 1.66 EUR |
2000+ | 1.61 EUR |
STFU28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.53 EUR |
10+ | 2.34 EUR |
100+ | 2.32 EUR |
500+ | 2.24 EUR |
STFW38N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.6 EUR |
10+ | 7.74 EUR |
100+ | 5.49 EUR |
600+ | 4.56 EUR |
STI18N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.47 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
100+ | 1.56 EUR |
STI18N65M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.8 EUR |
10+ | 3.15 EUR |
100+ | 2.41 EUR |
500+ | 2.01 EUR |
1000+ | 1.64 EUR |
2000+ | 1.62 EUR |
5000+ | 1.59 EUR |
STL18N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
auf Bestellung 3893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.35 EUR |
10+ | 3.24 EUR |
100+ | 2.25 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
1000+ | 1.78 EUR |
3000+ | 1.63 EUR |
STL18N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.59 EUR |
10+ | 3.4 EUR |
100+ | 2.66 EUR |
500+ | 2.46 EUR |
1000+ | 2.43 EUR |
3000+ | 2.01 EUR |
6000+ | 1.92 EUR |
STP18N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.01 EUR |
10+ | 2.24 EUR |
100+ | 2.2 EUR |
500+ | 1.8 EUR |
1000+ | 1.65 EUR |
2000+ | 1.6 EUR |
STP18N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.27 EUR |
10+ | 2.39 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 2.01 EUR |
2000+ | 1.95 EUR |
STP28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 5.3 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
100+ | 2.43 EUR |
500+ | 2.18 EUR |
1000+ | 2.08 EUR |
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