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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003060223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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382+0.37 EUR
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX NEXPERIA NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2955 Stücke:
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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63+1.14 EUR
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 613 Stücke:
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.32 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 454
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
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454+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 454
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B NXP N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118 PSMN057-200B,118 Nexperia psmn057-200b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118 PSMN057-200B,118 Nexperia psmn057-200b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.68 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.68 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Nexperia 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Nexperia 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Nexperia 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Nexperia 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1294+0.41 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 152988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.73 EUR
95+1.46 EUR
96+1.39 EUR
103+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.73 EUR
95+1.46 EUR
96+1.39 EUR
103+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+1.08 EUR
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia PSMN0R9-25YLC.pdf MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12641 Stücke:
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia PSMN0R9-25YLD.pdf MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
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2+2.25 EUR
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.76 EUR
29+2.5 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
33+2.2 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
29+2.5 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
33+2.2 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.73 EUR
84+1.65 EUR
100+1.58 EUR
250+1.51 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.75 EUR
83+1.67 EUR
84+1.59 EUR
100+1.52 EUR
250+1.45 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Nexperia PSMN102-200Y.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
auf Bestellung 6265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
1500+0.76 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 NEXPERIA PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJ PSMN1R0-100ASEJ Nexperia PSMN1R0-100ASE.pdf MOSFETs N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 package
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.88 EUR
10+13.22 EUR
100+11.02 EUR
500+9.82 EUR
1000+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSFJ Nexperia PSMN1R0-100CSF.pdf MOSFETs NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.78 EUR
10+13.9 EUR
100+12.25 EUR
1000+10.72 EUR
2000+10.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-25YLDX Nexperia PSMN1R0-25YLD.pdf MOSFETs N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.97 EUR
100+1.52 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.1 EUR
1500+1.06 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.4 EUR
34+2.16 EUR
42+1.72 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX NEXP-S-A0003060223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
382+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 382
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN040-100MSEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
454+0.32 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 454
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
454+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 454
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN045-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B
Hersteller: NXP
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118 psmn057-200b.pdf
PSMN057-200B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118 psmn057-200b.pdf
PSMN057-200B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.68 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.68 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115 PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN059-150Y,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115 NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN069-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX 4381412479822469psmn075-100mse.pdf
PSMN075-100MSEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX 4381412479822469psmn075-100mse.pdf
PSMN075-100MSEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX 4381412479822469psmn075-100mse.pdf
PSMN075-100MSEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX 4381412479822469psmn075-100mse.pdf
PSMN075-100MSEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1294+0.41 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 152988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
140+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+1.73 EUR
95+1.46 EUR
96+1.39 EUR
103+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R7-25YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+1.73 EUR
95+1.46 EUR
96+1.39 EUR
103+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
auf Bestellung 67742 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+2.27 EUR
100+1.5 EUR
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9000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12641 Stücke:
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLD.pdf
PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
auf Bestellung 7477 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.25 EUR
10+1.92 EUR
100+1.63 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.23 EUR
9000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+1.34 EUR
108+1.28 EUR
109+1.22 EUR
110+1.16 EUR
250+1.1 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5488 Stücke:
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Anzahl Preis
129+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Anzahl Preis
356+1.51 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf
PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1414 Stücke:
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Anzahl Preis
108+1.33 EUR
109+1.27 EUR
110+1.21 EUR
250+1.15 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Anzahl Preis
129+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.91 EUR
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf
PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
29+2.5 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
33+2.2 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
29+2.5 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
33+2.2 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+1.73 EUR
84+1.65 EUR
100+1.58 EUR
250+1.51 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
82+1.75 EUR
83+1.67 EUR
84+1.59 EUR
100+1.52 EUR
250+1.45 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y.pdf
PSMN102-200Y,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
auf Bestellung 6265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1 EUR
10+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
1500+0.76 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN102-200Y,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJ PSMN1R0-100ASE.pdf
PSMN1R0-100ASEJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 package
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.88 EUR
10+13.22 EUR
100+11.02 EUR
500+9.82 EUR
1000+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSF.pdf
PSMN1R0-100CSFJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.78 EUR
10+13.9 EUR
100+12.25 EUR
1000+10.72 EUR
2000+10.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-25YLD.pdf
PSMN1R0-25YLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.52 EUR
10+1.97 EUR
100+1.52 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.1 EUR
1500+1.06 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839
PSMN1R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
34+2.16 EUR
42+1.72 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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