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PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Nexperia PSMN1R2-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.83 EUR
100+1.17 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.03 EUR
3000+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Nexperia MOSFETs NextPower 100 V, 1.3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12 EUR
10+8.73 EUR
100+7.29 EUR
500+6.74 EUR
1000+5.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJ PSMN1R3-80SSFJ Nexperia MOSFETs PSMN1R3-80SSF/SOT123
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+7.2 EUR
100+6.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASEJ Nexperia PSMN1R4-100ASE.pdf MOSFETs N-channel, 100 V, 1.
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.77 EUR
10+8.32 EUR
100+6.93 EUR
500+6.42 EUR
1000+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLEJ Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.28 EUR
10+6.85 EUR
50+5.38 EUR
100+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX Nexperia PSMN1R5-50YLH.pdf MOSFETs SOT1023 N-CH 50V 200
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.34 EUR
100+2.43 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.74 EUR
1500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127 NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.2 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127 NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 8735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.2 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127 NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.2 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS NXP N-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.98 EUR
11+6.84 EUR
12+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.98 EUR
11+6.84 EUR
12+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Nexperia PSMN1R8-30MLH.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 150
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.28 EUR
100+1.23 EUR
9000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127 NXP Semiconductors PSMN1R9-40PL.pdf PSMN1R9-40PL127
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127 NXP Semiconductors PSMN1R9-40PL.pdf PSMN1R9-40PL127
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+4.79 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLD NXP N-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.35 EUR
13+5.75 EUR
15+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.35 EUR
13+5.75 EUR
15+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLDX Nexperia PSMN2R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 6028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.87 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE/S50X Nexperia PSMN2R0-30YLE/S50X
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+1.61 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 340
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R1-30YLEX PSMN2R1-30YLEX Nexperia psmn2r1-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia PSMN2R2-25YLC.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.71 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5 EUR
18+4 EUR
100+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5 EUR
18+4 EUR
100+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 15303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Nexperia 3012848346891952psmn2r5-60pl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+4.79 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Nexperia 3012848346891952psmn2r5-60pl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+4.79 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
auf Bestellung 73500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.52 EUR
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
auf Bestellung 73815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.86 EUR
10+3.13 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R7-30PL,127 NXP Semiconductors 4376366179327314psmn2r7-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+2.69 EUR
500+2.47 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R7-30PL,127 Nexperia 4376366179327314psmn2r7-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+2.69 EUR
500+2.47 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
13+1.41 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.18 EUR
10+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.18 EUR
10+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NXP Semiconductors 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+4.84 EUR
500+4.42 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX Nexperia PSMN3R2-40YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 13424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+1.14 EUR
100+1.04 EUR
24000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.09 EUR
10+4.64 EUR
50+3.59 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.52 EUR
1600+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127 PSMN3R3-80ES,127 Nexperia 4377004727715355psmn3r3-80es.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 74W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.32 EUR
17+4.23 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 74W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.32 EUR
17+4.23 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSDX Nexperia PSMN3R5-40YSD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 5024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.18 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.91 EUR
10+5.89 EUR
50+4.6 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.29 EUR
1600+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX Nexperia PSMN3R9-100YSF.pdf MOSFETs SOT1023 100V 120A N-
auf Bestellung 4163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.99 EUR
100+2.55 EUR
9000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX Nexperia psmn3r9-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+2.96 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.58 EUR
11+6.84 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.58 EUR
11+6.84 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-25YLC,115 Nexperia PSMN4R0-25YLC.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 84A
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
100+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
122+0.59 EUR
134+0.53 EUR
140+0.51 EUR
200+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.63 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 29615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS NXP N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia TPSMN4r0-40ys
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia PSMN4R0-40YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
auf Bestellung 46131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+1.56 EUR
100+1.03 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
25+2.89 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC.pdf
PSMN1R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.66 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLD.pdf
PSMN1R2-30YLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.03 EUR
10+1.83 EUR
100+1.17 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.03 EUR
3000+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJ
PSMN1R3-100ASFJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 1.3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12 EUR
10+8.73 EUR
100+7.29 EUR
500+6.74 EUR
1000+5.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJ
PSMN1R3-80SSFJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN1R3-80SSF/SOT123
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.38 EUR
10+7.2 EUR
100+6.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASE.pdf
PSMN1R4-100ASEJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel, 100 V, 1.
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.77 EUR
10+8.32 EUR
100+6.93 EUR
500+6.42 EUR
1000+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLE.pdf
PSMN1R5-30BLEJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.28 EUR
10+6.85 EUR
50+5.38 EUR
100+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLH.pdf
PSMN1R5-50YLHX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 50V 200
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.84 EUR
10+3.34 EUR
100+2.43 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.74 EUR
1500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-30PL.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
172+3.2 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-30PL.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 8735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
172+3.2 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-30PL.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
172+3.2 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS
Hersteller: NXP
N-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.98 EUR
11+6.84 EUR
12+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.98 EUR
11+6.84 EUR
12+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLH.pdf
PSMN1R8-30MLHX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 150
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.59 EUR
10+1.28 EUR
100+1.23 EUR
9000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127 PSMN1R9-40PL.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
PSMN1R9-40PL127
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127 PSMN1R9-40PL.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
PSMN1R9-40PL127
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+4.79 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLD
Hersteller: NXP
N-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.35 EUR
13+5.75 EUR
15+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.35 EUR
13+5.75 EUR
15+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLD.pdf
PSMN2R0-30YLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 6028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.87 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE/S50X
Hersteller: Nexperia
PSMN2R0-30YLE/S50X
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
340+1.61 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 340
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R1-30YLEX psmn2r1-30yle.pdf
PSMN2R1-30YLEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-25YLC.pdf
PSMN2R2-25YLC,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.47 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.71 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
18+4 EUR
100+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
18+4 EUR
100+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 15303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.8 EUR
10+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQ 3012848346891952psmn2r5-60pl.pdf
PSMN2R5-60PLQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+4.79 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQ 3012848346891952psmn2r5-60pl.pdf
PSMN2R5-60PLQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+4.79 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
auf Bestellung 73500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.52 EUR
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
auf Bestellung 73815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.86 EUR
10+3.13 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL,127 4376366179327314psmn2r7-30pl.pdf
PSMN2R7-30PL,127
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
205+2.69 EUR
500+2.47 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL,127 4376366179327314psmn2r7-30pl.pdf
PSMN2R7-30PL,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
205+2.69 EUR
500+2.47 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
PSMN3R0-30MLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.25 EUR
13+1.41 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.18 EUR
10+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.18 EUR
10+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+4.84 EUR
500+4.42 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLD.pdf
PSMN3R2-40YLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 13424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.47 EUR
10+1.14 EUR
100+1.04 EUR
24000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS.pdf
PSMN3R3-80BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.09 EUR
10+4.64 EUR
50+3.59 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS.pdf
PSMN3R3-80BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.52 EUR
1600+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127 4377004727715355psmn3r3-80es.pdf
PSMN3R3-80ES,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 74W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.32 EUR
17+4.23 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 74W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.32 EUR
17+4.23 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSD.pdf
PSMN3R5-40YSDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 5024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.18 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS.pdf
PSMN3R8-100BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.91 EUR
10+5.89 EUR
50+4.6 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS.pdf
PSMN3R8-100BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+3.29 EUR
1600+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
PSMN3R9-100YSFX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1023 100V 120A N-
auf Bestellung 4163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.61 EUR
10+2.99 EUR
100+2.55 EUR
9000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX psmn3r9-100ysf.pdf
PSMN3R9-100YSFX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+2.96 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.58 EUR
11+6.84 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.58 EUR
11+6.84 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-25YLC.pdf
PSMN4R0-25YLC,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 84A
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
100+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
122+0.59 EUR
134+0.53 EUR
140+0.51 EUR
200+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.63 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 29615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS
Hersteller: NXP
N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia TPSMN4r0-40ys
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
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PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
auf Bestellung 46131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.46 EUR
10+1.56 EUR
100+1.03 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
25+2.89 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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