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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PSMN038-100YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN038-100YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN038-100YLX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94.9W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN038-100YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN038-100YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN039-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN039-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN040-100MSEX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1396 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN045-80YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN045-80YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN045-80YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN045-80YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN045-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
PSMN057-200B | NXP |
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN057-200B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN057-200B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN057-200P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 250W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN057-200P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 250W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN069-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN075-100MSEX | Nexperia |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN075-100MSEX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Nexperia |
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auf Bestellung 39900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R7-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 152988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R7-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R7-25YLDX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN0R7-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.125mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.125mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1196 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLC,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 67742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 7477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 5488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 4258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A Pulsed drain current: 1.8kA Power dissipation: 291W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A Pulsed drain current: 1.8kA Power dissipation: 291W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1363 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 6265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN1R0-100ASEJ | Nexperia |
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auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R0-100CSFJ | Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R0-25YLDX | Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 7002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN038-100YLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.39 EUR |
PSMN038-100YLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN038-100YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN038-100YLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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382+ | 0.37 EUR |
PSMN038-100YLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.39 EUR |
PSMN039-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN039-100YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN040-100MSEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN041-80YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
195+ | 0.37 EUR |
206+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.33 EUR |
PSMN041-80YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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63+ | 1.14 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
195+ | 0.37 EUR |
206+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.33 EUR |
PSMN041-80YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.32 EUR |
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.32 EUR |
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
454+ | 0.32 EUR |
500+ | 0.31 EUR |
1000+ | 0.29 EUR |
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
454+ | 0.32 EUR |
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN057-200B |
Hersteller: NXP
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.89 EUR |
PSMN057-200B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.83 EUR |
PSMN057-200B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.83 EUR |
PSMN057-200P,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.6 EUR |
23+ | 3.23 EUR |
27+ | 2.68 EUR |
29+ | 2.53 EUR |
250+ | 2.43 EUR |
PSMN057-200P,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.6 EUR |
23+ | 3.23 EUR |
27+ | 2.68 EUR |
29+ | 2.53 EUR |
250+ | 2.43 EUR |
PSMN059-150Y,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN069-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN075-100MSEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN075-100MSEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.39 EUR |
PSMN075-100MSEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.46 EUR |
PSMN075-100MSEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1294+ | 0.41 EUR |
10000+ | 0.36 EUR |
PSMN0R7-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 152988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 1.12 EUR |
PSMN0R7-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
83+ | 1.73 EUR |
95+ | 1.46 EUR |
96+ | 1.39 EUR |
103+ | 1.24 EUR |
250+ | 1.18 EUR |
500+ | 1.08 EUR |
PSMN0R7-25YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN0R7-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
83+ | 1.73 EUR |
95+ | 1.46 EUR |
96+ | 1.39 EUR |
103+ | 1.24 EUR |
250+ | 1.18 EUR |
500+ | 1.08 EUR |
PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.89 EUR |
43+ | 1.7 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.24 EUR |
PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.89 EUR |
43+ | 1.7 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.24 EUR |
PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
auf Bestellung 67742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.29 EUR |
10+ | 2.27 EUR |
100+ | 1.5 EUR |
500+ | 1.38 EUR |
1000+ | 1.29 EUR |
1500+ | 1.28 EUR |
9000+ | 1.24 EUR |
PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
MOSFETs N-channel 25 V, 0.85 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3Technology
auf Bestellung 7477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.25 EUR |
10+ | 1.92 EUR |
100+ | 1.63 EUR |
500+ | 1.39 EUR |
1000+ | 1.23 EUR |
9000+ | 1.04 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 1.34 EUR |
108+ | 1.28 EUR |
109+ | 1.22 EUR |
110+ | 1.16 EUR |
250+ | 1.1 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
1000+ | 0.98 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
129+ | 1.11 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.31 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
356+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.31 EUR |
1000+ | 1.16 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
108+ | 1.33 EUR |
109+ | 1.27 EUR |
110+ | 1.21 EUR |
250+ | 1.15 EUR |
500+ | 1.09 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
129+ | 1.11 EUR |
250+ | 1.06 EUR |
500+ | 0.96 EUR |
1000+ | 0.91 EUR |
1500+ | 0.84 EUR |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.51 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.76 EUR |
29+ | 2.5 EUR |
30+ | 2.4 EUR |
32+ | 2.27 EUR |
33+ | 2.2 EUR |
100+ | 2.17 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 2.76 EUR |
29+ | 2.5 EUR |
30+ | 2.4 EUR |
32+ | 2.27 EUR |
33+ | 2.2 EUR |
100+ | 2.17 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.27 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
116+ | 1.24 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
116+ | 1.24 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
83+ | 1.73 EUR |
84+ | 1.65 EUR |
100+ | 1.58 EUR |
250+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.36 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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82+ | 1.75 EUR |
83+ | 1.67 EUR |
84+ | 1.59 EUR |
100+ | 1.52 EUR |
250+ | 1.45 EUR |
500+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.3 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.27 EUR |
PSMN0R9-30YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
MOSFETs N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
auf Bestellung 6265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1 EUR |
10+ | 0.9 EUR |
1000+ | 0.78 EUR |
1500+ | 0.76 EUR |
3000+ | 0.75 EUR |
PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN1R0-100ASEJ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 package
MOSFETs N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 package
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.88 EUR |
10+ | 13.22 EUR |
100+ | 11.02 EUR |
500+ | 9.82 EUR |
1000+ | 8.32 EUR |
PSMN1R0-100CSFJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
MOSFETs NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.78 EUR |
10+ | 13.9 EUR |
100+ | 12.25 EUR |
1000+ | 10.72 EUR |
2000+ | 10.1 EUR |
PSMN1R0-25YLDX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
MOSFETs N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.52 EUR |
10+ | 1.97 EUR |
100+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.1 EUR |
1500+ | 1.06 EUR |
3000+ | 0.98 EUR |
PSMN1R0-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.4 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
44+ | 1.63 EUR |