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PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 131556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
12+1.57 EUR
100+1.12 EUR
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 130500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.67 EUR
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia 1730027854893108psmn020-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia 1730027854893108psmn020-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.015 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia 1730027854893108psmn020-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 43500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.62 EUR
250+0.60 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
728+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 728
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA PSMN026-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA PSMN026-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 NEXPERIA PSMN027-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 NEXPERIA PSMN027-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
34+2.10 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.20 EUR
90+0.80 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.20 EUR
90+0.80 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 702000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 604330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1229+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1229
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.30 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 702000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN034-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
auf Bestellung 3293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
10+2.11 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN034-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.96 EUR
1600+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 Nexperia 4381312228926423psmn034-100ps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 9444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 Nexperia 4381312228926423psmn034-100ps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.84 EUR
250+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 199
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN034-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.0293 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0293ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 Nexperia 4381312228926423psmn034-100ps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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135+1.10 EUR
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
89+0.80 EUR
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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auf Bestellung 801 Stücke:
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89+0.80 EUR
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX Nexperia 3013457329714759psmn038-100yl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
10500+0.41 EUR
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2857 Stücke:
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc. PSMN040-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 27315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
14+1.34 EUR
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc. PSMN040-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.53 EUR
10500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX NEXPERIA NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.32 EUR
3000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN057-200B NXP N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
7500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 7819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS.pdf
PSMN020-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 131556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.41 EUR
12+1.57 EUR
100+1.12 EUR
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS.pdf
PSMN020-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 130500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.67 EUR
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN020-100YS,115 1730027854893108psmn020-100ys.pdf
PSMN020-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN020-100YS,115 1730027854893108psmn020-100ys.pdf
PSMN020-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN020-100YS,115 NEXP-S-A0003059611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN020-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.015 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN020-100YS,115 1730027854893108psmn020-100ys.pdf
PSMN020-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 43500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+0.62 EUR
250+0.60 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
123+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
728+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 728
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PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS.pdf
PSMN027-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS.pdf
PSMN027-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
34+2.10 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
90+0.80 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
90+0.80 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 702000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 604330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1229+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1229
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
485+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
485+0.30 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 4380952282246247psmn030-60ys.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 702000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS.pdf
PSMN034-100BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
auf Bestellung 3293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.27 EUR
10+2.11 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS.pdf
PSMN034-100BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.96 EUR
1600+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
PSMN034-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 4381312228926423psmn034-100ps.pdf
PSMN034-100PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 9444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
135+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 4381312228926423psmn034-100ps.pdf
PSMN034-100PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
199+0.84 EUR
250+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 199
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 NEXP-S-A0003059636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN034-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN034-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.0293 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0293ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 4381312228926423psmn034-100ps.pdf
PSMN034-100PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 9444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
135+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
89+0.80 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
89+0.80 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
965+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 965
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.39 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX 3013457329714759psmn038-100yl.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
PSMN039-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
10500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
PSMN039-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 34697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.25 EUR
19+0.96 EUR
100+0.70 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSE.pdf
PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 27315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
14+1.34 EUR
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSE.pdf
PSMN040-100MSEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.58 EUR
3000+0.53 EUR
10500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN040-100MSEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN045-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
PSMN045-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.32 EUR
3000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN057-200B
Hersteller: NXP
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y.pdf
PSMN059-150Y,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
7500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y.pdf
PSMN059-150Y,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 7819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.62 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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PSMN059-150Y,115 PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN059-150Y,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN069-100YS,115 NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN069-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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