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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRF3205PBF Produktcode: 25094
18
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IR/Infineon |
  Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 110 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76 Montage: THT |
erwartet: 100 St.
auf Bestellung: 3601 St.
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IRF3205SPBF Produktcode: 36593
3
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 110 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146 Montage: SMD |
auf Bestellung: 17 St.
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IRF3205ZPBF Produktcode: 34997
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110 Montage: THT |
auf Bestellung: 169 St.
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IRF3415PBF Produktcode: 34305
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В Drain-Strom Idd, A: 43 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200 Montage: THT |
erwartet: 50 St.
auf Bestellung: 7 St.
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IRF3710PBF Produktcode: 43009
2
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 57 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130 Montage: THT |
verfügbar: 5 St.
auf Bestellung: 243 St.
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IRF3710SPBF Produktcode: 43364
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40 Bemerkung: 200 Montage: SMD |
verfügbar: 3 St.
auf Bestellung: 3 St.
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IRF3710ZPBF Produktcode: 44978
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 59 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм Montage: THT |
auf Bestellung: 15 St.
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IRF3710ZPBF Produktcode: 190954
2
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JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 60 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146 Montage: THT |
auf Bestellung: 21 St.
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IRF3717PBF Produktcode: 26533
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 10 St.
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IRF3808PBF Produktcode: 33009
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 140 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150 Montage: THT |
erwartet: 50 St.
auf Bestellung: 12 St.
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IRF3007PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 109927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3007PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3007PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3007PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3007PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK |
auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3007STRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF3007STRLPBF |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF300P226 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF300P226 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205 JSMICRO | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 TIRF3205 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205-CN CHIPNOBO | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN TIRF3205 CNB Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205-ML MOSLEADER | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML TIRF3205 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC |
auf Bestellung 68580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 27958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 32042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205S | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205S | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205S JSMICRO | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S TIRF3205s JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
auf Bestellung 11317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 40839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
auf Bestellung 2259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3205PBF Produktcode: 25094
18
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 100 St.
- 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 3601 St.
- 3601 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| IRF3205SPBF Produktcode: 36593
3
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146
Montage: SMD
auf Bestellung: 17 St.
- 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| IRF3205ZPBF Produktcode: 34997
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
auf Bestellung: 169 St.
- 169 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| IRF3415PBF Produktcode: 34305
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
erwartet: 50 St.
- 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 7 St.
- 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| IRF3710PBF Produktcode: 43009
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 243 St.
- 243 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| IRF3710SPBF Produktcode: 43364
1
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40
Bemerkung: 200
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40
Bemerkung: 200
Montage: SMD
verfügbar: 3 St.
- 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3 St.
- 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.67 EUR |
| 10+ | 2.49 EUR |
| IRF3710ZPBF Produktcode: 44978
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 59 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 59 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм
Montage: THT
auf Bestellung: 15 St.
- 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| IRF3710ZPBF Produktcode: 190954
2
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
auf Bestellung: 21 St.
- 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.76 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| IRF3717PBF Produktcode: 26533
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 10 St.
- 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.71 EUR |
| IRF3808PBF Produktcode: 33009
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
erwartet: 50 St.
- 50 St. - erwartet 28.10.2026
auf Bestellung: 12 St.
- 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.9 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| IRF3007PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 109927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 231+ | 2.59 EUR |
| IRF3007PBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| IRF3007PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| IRF3007PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| IRF3007PBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.14 EUR |
| 2400+ | 1.92 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.06 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.03 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.18 EUR |
| 10+ | 4.02 EUR |
| 50+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.44 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 226+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.63 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 226+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.63 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.44 EUR |
| IRF3007STRLPBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF3007STRLPBF
IRF3007STRLPBF
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 226+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.63 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
| IRF300P226 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF300P226 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF3205 | |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.88 EUR |
| IRF3205 JSMICRO |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 TIRF3205 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 TIRF3205 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.3 EUR |
| IRF3205-CN CHIPNOBO |
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.25 EUR |
| IRF3205-ML MOSLEADER |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.49 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 68580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 2000+ | 1.49 EUR |
| 5000+ | 1.44 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 8264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.66 EUR |
| 10+ | 2.99 EUR |
| 50+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 494+ | 1.36 EUR |
| 549+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 10000+ | 0.94 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 32042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.95 EUR |
| 85+ | 2.74 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 5000+ | 1.21 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.5 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 494+ | 1.36 EUR |
| 549+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.5 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 494+ | 1.36 EUR |
| 549+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.31 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.31 EUR |
| IRF3205S |
|
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.33 EUR |
| IRF3205S |
|
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.33 EUR |
| IRF3205S JSMICRO |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.89 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.3 EUR |
| 2400+ | 1.14 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 50+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 11317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 800+ | 1.13 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.36 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.2 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 4.7 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.37 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 250+ | 1.9 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.32 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.2 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.34 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.22 EUR |
| 99+ | 2.37 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 250+ | 1.9 EUR |
| IRF3205Z |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.14 EUR |
| IRF3205Z |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.14 EUR |
| IRF3205ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 431+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| 10000+ | 1.08 EUR |
| IRF3205ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.18 EUR |
| 108+ | 2.17 EUR |
| IRF3205ZPBFAKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.69 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
| 2000+ | 1.4 EUR |
| 5000+ | 1.38 EUR |