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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 6843 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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IR irf3205spbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 191 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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IR irf3205z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 481 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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IR irf3415pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF IRF3703PBF
Produktcode: 33794
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IR irf3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df45fc1924 IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3704ZS IRF3704ZS
Produktcode: 99466
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IR irf3704z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 20
Idd,A: 47
Rds(on), Ohm: 7.9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 07.08.1220
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.88 EUR
10+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 518 Stück
5 Stück - stock Köln
513 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.72 EUR
10+0.70 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 18 Stück
3 Stück - stock Köln
15 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Gate charge: 89nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Gate charge: 89nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
338+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+1.62 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+1.62 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.68 EUR
1600+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+3.19 EUR
100+2.31 EUR
250+2.13 EUR
500+1.76 EUR
800+1.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.68 EUR
1600+1.61 EUR
2400+1.54 EUR
4800+1.43 EUR
5600+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.68 EUR
1600+1.61 EUR
2400+1.54 EUR
4800+1.43 EUR
5600+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.56 EUR
10+15.51 EUR
25+10.05 EUR
100+8.68 EUR
250+8.66 EUR
400+8.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.60 EUR
25+10.47 EUR
100+8.86 EUR
500+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.33 EUR
25+10.45 EUR
50+9.68 EUR
100+8.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON 2718692.pdf Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.95 EUR
13+12.69 EUR
50+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.13 EUR
14+11.91 EUR
50+8.45 EUR
100+6.61 EUR
200+6.05 EUR
800+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74 Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.27 EUR
25+7.92 EUR
100+6.64 EUR
500+5.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies Infineon_IRF300P227_DataSheet_v02_01_EN-3362709.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+11.88 EUR
25+7.87 EUR
100+6.58 EUR
400+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 IRF300P227 INFINEON INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.50 EUR
21+7.76 EUR
50+6.87 EUR
100+6.31 EUR
200+5.81 EUR
400+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
528+1.15 EUR
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IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
528+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
60+1.20 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
60+1.20 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 35666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.50 EUR
100+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
2000+1.00 EUR
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 10315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
50+1.63 EUR
100+1.51 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 524
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+1.16 EUR
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 65034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.55 EUR
109+1.43 EUR
250+1.32 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
10000+0.96 EUR
25000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.86 EUR
191+0.82 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 524
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.86 EUR
200+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.87 EUR
188+0.83 EUR
190+0.79 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.60 EUR
10+5.99 EUR
100+5.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S International Rectifier/Infineon description N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+6.39 EUR
100+5.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF International Rectifier/Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.42 EUR
10+2.94 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.22 EUR
10+3.69 EUR
100+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 9720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+2.38 EUR
100+1.72 EUR
250+1.58 EUR
500+1.36 EUR
800+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.52 EUR
10+2.39 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 6843 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 191 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 481 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF
Produktcode: 33794
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irf3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df45fc1924 IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF3703PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3704ZS
Produktcode: 99466
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irf3704z-datasheet.pdf
IRF3704ZS
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 20
Idd,A: 47
Rds(on), Ohm: 7.9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 07.08.1220
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 518 Stück
5 Stück - stock Köln
513 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.70 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 18 Stück
3 Stück - stock Köln
15 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description irf3007.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Gate charge: 89nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description irf3007.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Gate charge: 89nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
338+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
374+1.62 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
374+1.62 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.68 EUR
1600+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.47 EUR
10+3.19 EUR
100+2.31 EUR
250+2.13 EUR
500+1.76 EUR
800+1.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.68 EUR
1600+1.61 EUR
2400+1.54 EUR
4800+1.43 EUR
5600+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.68 EUR
1600+1.61 EUR
2400+1.54 EUR
4800+1.43 EUR
5600+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.56 EUR
10+15.51 EUR
25+10.05 EUR
100+8.68 EUR
250+8.66 EUR
400+8.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.60 EUR
25+10.47 EUR
100+8.86 EUR
500+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+11.33 EUR
25+10.45 EUR
50+9.68 EUR
100+8.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 2718692.pdf
IRF300P226
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+14.95 EUR
13+12.69 EUR
50+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+14.13 EUR
14+11.91 EUR
50+8.45 EUR
100+6.61 EUR
200+6.05 EUR
800+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.27 EUR
25+7.92 EUR
100+6.64 EUR
500+5.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 Infineon_IRF300P227_DataSheet_v02_01_EN-3362709.pdf
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.71 EUR
10+11.88 EUR
25+7.87 EUR
100+6.58 EUR
400+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF300P227
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+9.50 EUR
21+7.76 EUR
50+6.87 EUR
100+6.31 EUR
200+5.81 EUR
400+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205LPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
528+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 528
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205LPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
528+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 528
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
60+1.20 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
60+1.20 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 35666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+1.50 EUR
100+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
2000+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
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7+2.82 EUR
50+1.63 EUR
100+1.51 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.97 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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524+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
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IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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109+1.43 EUR
250+1.32 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
10000+0.96 EUR
25000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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189+0.86 EUR
191+0.82 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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524+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
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180+0.86 EUR
200+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 180
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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186+0.87 EUR
188+0.83 EUR
190+0.79 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 894 Stücke:
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1+9.60 EUR
10+5.99 EUR
100+5.22 EUR
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IRF3205S description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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Anzahl Preis
20+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S description
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+6.39 EUR
100+5.62 EUR
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IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 16 Stücke:
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Anzahl Preis
2+3.42 EUR
10+2.94 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 226 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.22 EUR
10+3.69 EUR
100+3.38 EUR
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IRF3205STRL
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3205STRLPBF Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 9720 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.54 EUR
10+2.38 EUR
100+1.72 EUR
250+1.58 EUR
500+1.36 EUR
800+1.18 EUR
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.52 EUR
10+2.39 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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