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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1732 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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IR irf3205spbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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IR irf3205z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 285 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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IR irf3415pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 97 St.
5 St. - stock Köln
92 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
300 St. - erwartet 21.05.2026
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 12 St.
3 St. - stock Köln
9 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3717PBF IRF3717PBF
Produktcode: 26533
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IR IRF3717PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.0044
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
JHGF: SMD
auf Bestellung 12 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.62 EUR
10+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 109927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
231+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 231
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineonirf3007datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineonirf3007datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 105477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
10000+1.23 EUR
100000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF International Rectifier HiRel Products irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies infineonirf3007datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.98 EUR
10+3.24 EUR
100+2.25 EUR
500+1.95 EUR
800+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.57 EUR
1600+1.46 EUR
2400+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.68 EUR
10+3.04 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3007sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.25 EUR
1600+1.2 EUR
2400+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3007sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.37 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3007sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.25 EUR
1600+1.2 EUR
2400+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.59 EUR
16+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.95 EUR
17+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74 Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.7 EUR
25+6.98 EUR
100+5.85 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 IRF300P227 INFINEON INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
50+1.72 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.68 EUR
93+1.49 EUR
119+1.12 EUR
135+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39117 Stücke:
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
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IRF3205STRL International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF3205STRL Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 50
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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30+2.43 EUR
47+1.53 EUR
60+1.21 EUR
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800+0.82 EUR
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
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1+3.8 EUR
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500+1.68 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
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5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.7 EUR
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IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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328+1.63 EUR
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1855 Stücke:
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55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
64+1.12 EUR
72+0.99 EUR
100+0.92 EUR
200+0.85 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.24 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.59 EUR
10+2.31 EUR
100+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.64 EUR
50+1.77 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS Infineon irf3205z.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.62 EUR
55+1.3 EUR
63+1.14 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.32 EUR
1600+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+2.66 EUR
100+1.81 EUR
500+1.49 EUR
800+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.01 EUR
100+2.89 EUR
250+2.78 EUR
500+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1732 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 285 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 97 St.
5 St. - stock Köln
92 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
300 St. - erwartet 21.05.2026
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 12 St.
3 St. - stock Köln
9 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3717PBF
Produktcode: 26533
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description IRF3717PBF.pdf
IRF3717PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.0044
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
JHGF: SMD
auf Bestellung 12 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.62 EUR
10+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 109927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
231+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 231
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description infineonirf3007datasheetv0101en.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description infineonirf3007datasheetv0101en.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 105477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
10000+1.23 EUR
100000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description infineonirf3007datasheetv0101en.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.98 EUR
10+3.24 EUR
100+2.25 EUR
500+1.95 EUR
800+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.57 EUR
1600+1.46 EUR
2400+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.68 EUR
10+3.04 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF infineonirf3007sdatasheeten.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.25 EUR
1600+1.2 EUR
2400+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF infineonirf3007sdatasheeten.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
226+2.37 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007STRLPBF infineonirf3007sdatasheeten.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.25 EUR
1600+1.2 EUR
2400+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+12.59 EUR
16+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+11.95 EUR
17+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.7 EUR
25+6.98 EUR
100+5.85 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF300P227
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-CN
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.54 EUR
50+1.72 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.68 EUR
93+1.49 EUR
119+1.12 EUR
135+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
386+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRL
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRL
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
47+1.53 EUR
60+1.21 EUR
100+1.1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.88 EUR
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 9148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.8 EUR
10+2.53 EUR
100+1.76 EUR
500+1.68 EUR
800+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
328+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 328
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z irf3205z.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z irf3205z.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
64+1.12 EUR
72+0.99 EUR
100+0.92 EUR
200+0.85 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
431+1.24 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
431+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+2.31 EUR
100+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.64 EUR
50+1.77 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
55+1.3 EUR
63+1.14 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.32 EUR
1600+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.92 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.1 EUR
10+2.66 EUR
100+1.81 EUR
500+1.49 EUR
800+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+3.01 EUR
100+2.89 EUR
250+2.78 EUR
500+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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