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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
GD50PJX65L3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Case: L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD50PJX65L3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Case: L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFX170C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD600HFX170C6S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFX65C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD600HFX65C2S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFX65C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD600HFX65C6S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C6 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C6 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Anzahl je Verpackung: 10 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120P1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: P1.0 Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120P1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: P1.0 Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Anzahl je Verpackung: 9 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGU120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD600SGU120C2S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGX170C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD600SGX170C2S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGY120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Topology: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Semiconductor structure: single transistor	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGY120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Topology: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD650HFX170P1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD650HFX170P1S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFX170C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75FFX170C6S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFX65C5S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75FFX65C5S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFY120C5S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: C5 45mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFY120C5S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: C5 45mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFY120C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: C6 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFY120C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: C6 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FSY120L3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75FSY120L3S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFU120C1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75HFU120C1S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFX170C1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75HFX170C1S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFX65C1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75HFX65C1S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFY120C1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFY120C1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HHU120C5S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75HHU120C5S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75MLX65L3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75MLX65L3S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75PIX65C6S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75PIX65C6S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75PIY120C6SN	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD75PIY120C6SN IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800HFX170C3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD800HFX170C3S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800HFY120C3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 800A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C3 130mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 800A Pulsed collector current: 1.6kA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800HFY120C3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 800A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C3 130mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 800A Pulsed collector current: 1.6kA Anzahl je Verpackung: 8 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800SGX170C3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD800SGX170C3S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD80TLQ120F1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	GD80TLQ120F1S IGBT modules	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD900HFY120P1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 900A Case: P1.0 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.8kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD900HFY120P1S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 900A Case: P1.0 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.8kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 9 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD120HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 120A; C2 62mm; Idm: 548A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 548A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 120A On-state resistance: 15mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD120HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 120A; C2 62mm; Idm: 548A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 548A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 120A On-state resistance: 15mΩ Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD15FSR120L2SF	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 15A; L2; Press-in PCB; 101W Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 101W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 77A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: L2	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD15FSR120L2SF	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 15A; L2; Press-in PCB; 101W Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 101W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 77A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: L2 Anzahl je Verpackung: 24 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD200HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 822A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 200A On-state resistance: 10mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD200HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 822A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 200A On-state resistance: 10mΩ Anzahl je Verpackung: 6 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFC170C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	MD300HFC170C2S Transistor modules MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFR120B3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; B3.7; Idm: 1.096kA; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: B3.7 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 300A On-state resistance: 7.5mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFR120B3S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; B3.7; Idm: 1.096kA; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: B3.7 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 300A On-state resistance: 7.5mΩ Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; C2 62mm; Idm: 1.096kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 300A On-state resistance: 7.5mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; C2 62mm; Idm: 1.096kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 300A On-state resistance: 7.5mΩ Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD30FSR120L2SF	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; L2; Press-in PCB; 203W Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 203W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 154A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: L2	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD30FSR120L2SF	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; L2; Press-in PCB; 203W Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 203W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 154A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: L2 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD400HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 400A; C2 62mm; Idm: 1.664kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.664kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 400A On-state resistance: 5.8mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD400HFR120C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 400A; C2 62mm; Idm: 1.664kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.664kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 400A On-state resistance: 5.8mΩ Anzahl je Verpackung: 12 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD75FSC120L3SF	STARPOWER SEMICONDUCTOR	MD75FSC120L3SF Transistor modules MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GD50PJX65L3S

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw

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