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SI3447CDV-T1-GE3 SI3447CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3447cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
auf Bestellung 1712 Stücke:
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SI3475DV-T1-GE3 SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3475dv.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
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SI4276DY-T1-GE3 SI4276DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4276dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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SI4396DY-T1-GE3 SI4396DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 74252.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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SI4418DY-T1-GE3 SI4418DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4418dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
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SI4472DY-T1-GE3 SI4472DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4472dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
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SI4487DY-T1-GE3 SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4487dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
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SI4622DY-T1-GE3 SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4622dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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SI4636DY-T1-GE3 SI4636DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4636dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
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SI4666DY-T1-GE3 SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4666dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
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SI5433BDC-T1-GE3 SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73208.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
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SI5456DU-T1-GE3 SI5456DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5456du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
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SI5458DU-T1-GE3 SI5458DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5458du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
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SI5920DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5920dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
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SI5933CDC-T1-GE3 SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
auf Bestellung 3753 Stücke:
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SI5947DU-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5980DU-T1-GE3 SI5980DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5980du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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SI6443DQ-T1-GE3 SI6443DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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SI6467BDQ-T1-GE3 SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72087.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6544BDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6981DQ-T1-GE3 SI6981DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6981dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
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SI6993DQ-T1-GE3 SI6993DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
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SI7222DN-T1-GE3 SI7222DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 73439.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
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SI7236DP-T1-GE3 SI7236DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7236dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
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SI7454CDP-T1-GE3 SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454cd.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
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SI7703EDN-T1-GE3 SI7703EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
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SI7774DP-T1-GE3 SI7774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7774dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7911DN-T1-GE3 SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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SI7913DN-T1-GE3 SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72615.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
auf Bestellung 7489 Stücke:
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SI7946DP-T1-GE3 SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73130.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
auf Bestellung 16869 Stücke:
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Si8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8451DB.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
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SI8467DB-T2-E1 SI8467DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8467db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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SI8475EDB-T1-E1 SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix si8475edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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SIA425EDJ-T1-GE3 SIA425EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia425ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
auf Bestellung 1374 Stücke:
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SIA778DJ-T1-GE3 SIA778DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia778dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
auf Bestellung 874 Stücke:
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SIB488DK-T1-GE3 SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib488dk.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
auf Bestellung 6038 Stücke:
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SIE832DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie832df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
auf Bestellung 750 Stücke:
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SIE836DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie836df.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
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SIE854DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie854df.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
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SIE860DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie860df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
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SIE864DF-T1-GE3 SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE864DF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
auf Bestellung 526 Stücke:
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SIE868DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie868df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
auf Bestellung 988 Stücke:
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SIJ420DP-T1-GE3 SIJ420DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij420dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 500 Stücke:
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SIR838DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir838dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
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SIR844DP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir844dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 751 Stücke:
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SIR862DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir862dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 2925 Stücke:
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SI1072X-T1-GE3 SI1072X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1072x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
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SI1033X-T1-GE3 SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix 71428.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
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SI1058X-T1-GE3 SI1058X-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2001DV-T1-E3 DG2001DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG2001.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 10ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 900pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2002DL-T1-E3 DG2002DL-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC SWITCH SPDT X 1 7.8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7.8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -69dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 6ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2003DQ-T1-E3 DG2003DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71754.pdf Description: IC SW SPST-NOX2 2.5OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -67dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2004DQ-T1-E3 DG2004DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71754.pdf Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2005DQ-T1-E3 DG2005DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71754.pdf Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG200BDJ-E3 DG200BDJ-E3 Vishay Siliconix dg200b.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPST 14DIP
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2011DXA-T1-E3 DG2011DXA-T1-E3 Vishay Siliconix dg2011.pdf Description: IC SWITCH SPDT SC89-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3447CDV-T1-GE3 si3447cd.pdf
SI3447CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV-T1-GE3 si3475dv.pdf
SI3475DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-GE3 si4276dy.pdf
SI4276DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4396DY-T1-GE3 74252.pdf
SI4396DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-GE3 si4418dy.pdf
SI4418DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4472DY-T1-GE3 si4472dy.pdf
SI4472DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
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SI4487DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
auf Bestellung 9523 Stücke:
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SI4622DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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SI4636DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
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SI4666DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
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SI5433BDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
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SI5456DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
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SI5458DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
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SI5933CDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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SI5947DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5980DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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SI6443DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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SI6467BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6544BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6981DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
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SI6993DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
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SI7222DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
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SI7236DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 3014 Stücke:
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SI7454CDP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
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SI7703EDN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
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SI7774DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 4517 Stücke:
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SI7911DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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SI7913DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
auf Bestellung 7489 Stücke:
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SI7946DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
SI7949DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
auf Bestellung 16869 Stücke:
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
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SI8467DB-T2-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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SI8475EDB-T1-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
auf Bestellung 2750 Stücke:
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SIA425EDJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
auf Bestellung 1374 Stücke:
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SIA778DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
auf Bestellung 874 Stücke:
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SIB488DK-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
auf Bestellung 6038 Stücke:
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SIE832DF-T1-GE3 sie832df.pdf
SIE832DF-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
auf Bestellung 750 Stücke:
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SIE836DF-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
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SIE854DF-T1-GE3 sie854df.pdf
SIE854DF-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
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SIE860DF-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
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SIE864DF-T1-GE3 SIE864DF.pdf
SIE864DF-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
auf Bestellung 526 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIE868DF-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
auf Bestellung 988 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIJ420DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIR838DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
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SIR844DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 751 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIR862DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 2925 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI1072X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI1033X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
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SI1058X-T1-GE3
SI1058X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002-T1-GE3 70226.pdf
2N7002-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2001DV-T1-E3 DG2001.pdf
DG2001DV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 10ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 900pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2002DL-T1-E3
DG2002DL-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7.8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7.8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -69dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 6ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2003DQ-T1-E3 71754.pdf
DG2003DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX2 2.5OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -67dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2004DQ-T1-E3 71754.pdf
DG2004DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2005DQ-T1-E3 71754.pdf
DG2005DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG200BDJ-E3 dg200b.pdf
DG200BDJ-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST 14DIP
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG2011DXA-T1-E3 dg2011.pdf
DG2011DXA-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT SC89-6
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