Produkte > VISHAY SILICONIX > Alle Produkte des Herstellers VISHAY SILICONIX (11114) > Seite 59 nach 186
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SUD50N10-18P-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V |
auf Bestellung 15786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P08-25L-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 4173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SUM90N06-4M4P-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V |
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SUM90N08-6M2P-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V |
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SUP90N04-3M3P-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB |
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SI1300BDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3 |
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SI1307EDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3 |
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SI1400DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6 |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1406DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6 |
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SI1426DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 |
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SI1473DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 |
auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1903DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 |
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SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 |
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SI3447CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP |
auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP |
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SI4276DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
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SI4396DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
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SI4418DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC |
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SI4472DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC |
auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4487DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC |
auf Bestellung 9523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4622DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
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SI4636DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC |
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SI4666DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC |
auf Bestellung 9639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5433BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 |
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SI5456DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
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| SI5920DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
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SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 |
auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5947DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
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SI5980DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET |
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SI6443DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP |
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SI6467BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
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SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP |
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SI6981DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP |
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SI6993DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP |
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SI7222DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 |
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SI7236DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7454CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 |
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SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK |
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SI7774DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 4517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7911DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
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SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 |
auf Bestellung 7489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7946DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 |
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SI7949DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 16869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si8451DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT |
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SI8467DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
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SI8475EDB-T1-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 |
auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIB488DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 |
auf Bestellung 6038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIE832DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIE836DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIE854DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIE860DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIE864DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK |
auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIE868DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJ420DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUD50N10-18P-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SUD50P04-08-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
auf Bestellung 15786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.03 EUR |
| 10+ | 2.11 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| SUD50P08-25L-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 4173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.12 EUR |
| 10+ | 3.34 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 2 EUR |
| SUM110N08-07P-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SUM90N06-4M4P-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SUM90N08-6M2P-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SUM90N10-8M2P-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.91 EUR |
| 10+ | 6.63 EUR |
| 100+ | 4.77 EUR |
| SUP50N03-5M1P-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SUP90N04-3M3P-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI1300BDL-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI1307EDL-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI1400DL-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI1406DH-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI1426DH-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI1473DH-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI1903DL-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI1988DH-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI3447CDV-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI3475DV-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4276DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4396DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4418DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4472DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI4487DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
auf Bestellung 9523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI4622DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4636DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4666DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
auf Bestellung 9639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI5433BDC-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI5456DU-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI5920DC-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI5933CDC-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI5947DU-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI5980DU-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI6443DQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI6467BDQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI6544BDQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI6981DQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI6993DQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7222DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7236DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7454CDP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7703EDN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7774DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7911DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7913DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
auf Bestellung 7489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7946DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7949DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
auf Bestellung 16869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Si8451DB-T2-E1 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI8467DB-T2-E1 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SI8475EDB-T1-E1 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIA425EDJ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIA778DJ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIB488DK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
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auf Bestellung 6038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIE832DF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIE836DF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIE854DF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIE860DF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIE864DF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIE868DF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIJ420DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH






