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Preis
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1520+0.047 EUR
1700+0.042 EUR
1920+0.038 EUR
3000+0.034 EUR
12000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+0.06 EUR
2220+0.032 EUR
2500+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1200+0.06 EUR
2220+0.032 EUR
2500+0.029 EUR
3000+0.026 EUR
12000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.042 EUR
15000+0.04 EUR
30000+0.037 EUR
60000+0.035 EUR
120000+0.032 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
15000+0.037 EUR
30000+0.033 EUR
60000+0.032 EUR
120000+0.028 EUR
300000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
15000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.035 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1240+0.058 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1240+0.058 EUR
2000+0.036 EUR
3000+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1620+0.044 EUR
2120+0.034 EUR
2390+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1620+0.044 EUR
2120+0.034 EUR
2390+0.03 EUR
3000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1220+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1220+0.059 EUR
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 640
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
640+0.11 EUR
3000+0.036 EUR
12000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 640
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1300+0.055 EUR
1440+0.05 EUR
1620+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.055 EUR
60000+0.051 EUR
120000+0.046 EUR
300000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1300+0.055 EUR
1440+0.05 EUR
1620+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
15000+0.074 EUR
30000+0.07 EUR
60000+0.065 EUR
120000+0.058 EUR
300000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.093 EUR
120000+0.084 EUR
300000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1280+0.056 EUR
1400+0.051 EUR
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Mindestbestellmenge: 1280
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1280+0.056 EUR
1400+0.051 EUR
1580+0.045 EUR
3000+0.041 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1280
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
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3000+0.088 EUR
15000+0.083 EUR
30000+0.079 EUR
60000+0.074 EUR
120000+0.067 EUR
300000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+0.13 EUR
1245+0.057 EUR
1400+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
550+0.13 EUR
1245+0.057 EUR
1400+0.051 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.093 EUR
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300000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.097 EUR
120000+0.088 EUR
300000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
311+0.23 EUR
619+0.12 EUR
889+0.081 EUR
1112+0.064 EUR
1244+0.057 EUR
1480+0.048 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
311+0.23 EUR
619+0.12 EUR
889+0.081 EUR
1112+0.064 EUR
1244+0.057 EUR
1480+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
980+0.074 EUR
1560+0.046 EUR
1750+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 980
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
980+0.074 EUR
1560+0.046 EUR
1750+0.041 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 980
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A-YAN SMD N channel transistors
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
310+0.23 EUR
495+0.14 EUR
2500+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.2 EUR
12500+0.19 EUR
25000+0.18 EUR
50000+0.17 EUR
100000+0.15 EUR
250000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJP25N15B YJP25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
60000+0.12 EUR
120000+0.11 EUR
300000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ2012A YJQ2012A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.099 EUR
120000+0.088 EUR
300000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ20N04A YJQ20N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.23 EUR
25000+0.21 EUR
50000+0.2 EUR
100000+0.19 EUR
200000+0.17 EUR
500000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ20P03A YJQ20P03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.25 EUR
25000+0.23 EUR
50000+0.22 EUR
100000+0.21 EUR
200000+0.19 EUR
500000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ2301A YJQ2301A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
60000+0.12 EUR
120000+0.11 EUR
300000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
545+0.13 EUR
960+0.075 EUR
1080+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 545
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
545+0.13 EUR
960+0.075 EUR
1080+0.066 EUR
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 545
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCAB8550BF3FC540CE&compId=YJQ3407A.pdf?ci_sign=fbe9f91bf85954caa161eb5143fe6bada378ad49 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ35G10A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ35N04A YJQ35N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.31 EUR
25000+0.3 EUR
50000+0.28 EUR
100000+0.26 EUR
200000+0.23 EUR
500000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4606A YJQ4606A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
50000+0.18 EUR
100000+0.17 EUR
200000+0.15 EUR
500000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
890+0.081 EUR
1160+0.062 EUR
1300+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 890
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
890+0.081 EUR
1160+0.062 EUR
1300+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 890
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ50N03A YJQ50N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.25 EUR
200000+0.23 EUR
500000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ50P03A YJQ50P03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.6 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ60N03A YJQ60N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQD12N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQD25N04A YJQD25N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJR20N06A YJR20N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS03N10A YJS03N10A Yangjie Technology Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJS03N10A-YAN SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS05N06A YJS05N06A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
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80000+0.22 EUR
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400000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS05N15B YJS05N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS12G06D YJS12G06D Yangjie Technology Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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20000+0.45 EUR
40000+0.42 EUR
80000+0.39 EUR
160000+0.35 EUR
400000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb
YJL2301D
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1520+0.047 EUR
1700+0.042 EUR
1920+0.038 EUR
3000+0.034 EUR
12000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24
YJL2301F
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+0.06 EUR
2220+0.032 EUR
2500+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24
YJL2301F
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+0.06 EUR
2220+0.032 EUR
2500+0.029 EUR
3000+0.026 EUR
12000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301G
YJL2301G
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.042 EUR
15000+0.04 EUR
30000+0.037 EUR
60000+0.035 EUR
120000+0.032 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2301N
YJL2301N
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.039 EUR
15000+0.037 EUR
30000+0.033 EUR
60000+0.032 EUR
120000+0.028 EUR
300000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.048 EUR
15000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.035 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2302A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f
YJL2302A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1240+0.058 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2302A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f
YJL2302A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1240+0.058 EUR
2000+0.036 EUR
3000+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2304A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42
YJL2304A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1620+0.044 EUR
2120+0.034 EUR
2390+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2304A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42
YJL2304A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1620+0.044 EUR
2120+0.034 EUR
2390+0.03 EUR
3000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1220+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1220+0.059 EUR
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
640+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 640
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
640+0.11 EUR
3000+0.036 EUR
12000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 640
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1300+0.055 EUR
1440+0.05 EUR
1620+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312A
YJL2312A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.062 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.055 EUR
60000+0.051 EUR
120000+0.046 EUR
300000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1300+0.055 EUR
1440+0.05 EUR
1620+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312AL
YJL2312AL
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.079 EUR
15000+0.074 EUR
30000+0.07 EUR
60000+0.065 EUR
120000+0.058 EUR
300000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.093 EUR
120000+0.084 EUR
300000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3400B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3400B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162
YJL3401A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1280+0.056 EUR
1400+0.051 EUR
1580+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1280
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162
YJL3401A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1280+0.056 EUR
1400+0.051 EUR
1580+0.045 EUR
3000+0.041 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1280
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AL
YJL3401AL
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.088 EUR
15000+0.083 EUR
30000+0.079 EUR
60000+0.074 EUR
120000+0.067 EUR
300000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90
YJL3401AL
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
550+0.13 EUR
1245+0.057 EUR
1400+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90
YJL3401AL
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
550+0.13 EUR
1245+0.057 EUR
1400+0.051 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.093 EUR
120000+0.084 EUR
300000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.097 EUR
120000+0.088 EUR
300000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
311+0.23 EUR
619+0.12 EUR
889+0.081 EUR
1112+0.064 EUR
1244+0.057 EUR
1480+0.048 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
311+0.23 EUR
619+0.12 EUR
889+0.081 EUR
1112+0.064 EUR
1244+0.057 EUR
1480+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
980+0.074 EUR
1560+0.046 EUR
1750+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 980
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
980+0.074 EUR
1560+0.046 EUR
1750+0.041 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 980
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJM04N10A
YJM04N10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJM04N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
YJM04N10A-YAN SMD N channel transistors
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
310+0.23 EUR
495+0.14 EUR
2500+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJM05N06A
YJM05N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.2 EUR
12500+0.19 EUR
25000+0.18 EUR
50000+0.17 EUR
100000+0.15 EUR
250000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJP25N15B
YJP25N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
60000+0.12 EUR
120000+0.11 EUR
300000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ2012A
YJQ2012A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.099 EUR
120000+0.088 EUR
300000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ20N04A
YJQ20N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.23 EUR
25000+0.21 EUR
50000+0.2 EUR
100000+0.19 EUR
200000+0.17 EUR
500000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ20P03A
YJQ20P03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.25 EUR
25000+0.23 EUR
50000+0.22 EUR
100000+0.21 EUR
200000+0.19 EUR
500000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ2301A
YJQ2301A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
60000+0.12 EUR
120000+0.11 EUR
300000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
545+0.13 EUR
960+0.075 EUR
1080+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 545
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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545+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCAB8550BF3FC540CE&compId=YJQ3407A.pdf?ci_sign=fbe9f91bf85954caa161eb5143fe6bada378ad49
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ35G10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ35N04A
YJQ35N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
auf Bestellung 500000 Stücke:
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5000+0.31 EUR
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200000+0.23 EUR
500000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4606A
YJQ4606A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 500000 Stücke:
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5000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
50000+0.18 EUR
100000+0.17 EUR
200000+0.15 EUR
500000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4666B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652
YJQ4666B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1500 Stücke:
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890+0.081 EUR
1160+0.062 EUR
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Mindestbestellmenge: 890
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4666B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652
YJQ4666B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
890+0.081 EUR
1160+0.062 EUR
1300+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 890
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ50N03A
YJQ50N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
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25000+0.29 EUR
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200000+0.23 EUR
500000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ50P03A
YJQ50P03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
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5000+0.6 EUR
25000+0.56 EUR
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100000+0.5 EUR
200000+0.45 EUR
500000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ60N03A
YJQ60N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
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500000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQD12N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQD25N04A
YJQD25N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 500000 Stücke:
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5000+0.31 EUR
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200000+0.23 EUR
500000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJR20N06A
YJR20N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 495000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4950+0.25 EUR
24750+0.24 EUR
49500+0.22 EUR
99000+0.21 EUR
198000+0.19 EUR
495000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS03N10A
YJS03N10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
15000+0.15 EUR
30000+0.14 EUR
120000+0.12 EUR
300000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS03N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A-YAN SMD N channel transistors
auf Bestellung 18040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
379+0.19 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 379
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS05N06A
YJS05N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.26 EUR
20000+0.25 EUR
40000+0.23 EUR
80000+0.22 EUR
160000+0.2 EUR
400000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS05N15B
YJS05N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJS12G06D
YJS12G06D
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.47 EUR
20000+0.45 EUR
40000+0.42 EUR
80000+0.39 EUR
160000+0.35 EUR
400000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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