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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMC4015SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT64M8LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT69M5LFVW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4148W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N4148W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 500096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN3009SSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3009SSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMBT3906-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 310 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AP2125N-1.8TRG1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP2125N-1.8TRG1 - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 85°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 3Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 6V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsstrom, max.: 300mA euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: SOT-23 rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.3V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 1.8V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 300V Nennausgangsspannung: 1.8V Ausgangsspannung, nom.: 1.8V Ausgangsstrom, max.: 300mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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74AHC1G08W5-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHC1G08W5-7 - AND-Gatter, 74AHC1G08, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, SOT-25-5tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74AHC Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 8mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 74AHC1G08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DDZ30DSF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDZ30DSF-7 - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe DDZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DDZ30DSF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDZ30DSF-7 - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe DDZ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SBR0330CW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBR0330CW-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 300 mA, 580 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 580mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SBR productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SBR0330CW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBR0330CW-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 300 mA, 580 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 580mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMG6602SVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXCT1107SA-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXCT1107SA-7 - Strommessverstärker, geringe Leistungsaufnahme, High-Side, 650 kHz, SOT-23, 3 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423390 CMRR: - rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Verstärkung: - MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 650kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 36V Strommessverstärker: High-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 51671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXCT1109SA-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXCT1109SA-7 - Strommessverstärker, geringe Leistungsaufnahme, High-Side, 650 kHz, SOT-23, 3 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 CMRR: - rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Verstärkung: - MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 650kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 36V Strommessverstärker: High-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN3032LFDBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN3032LFDBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP3050LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP3050LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZT52C5V6-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C5V6-7-F - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXLD1350ET5 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXLD1350ET5 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck (Abwärts), 7V-30Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 30V/350mAout, TSOT-23-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 380mA Eingangsspannung, min.: 7V Topologie: Buck Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAT54C-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAT54C-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 565814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H700S-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
auf Bestellung 9930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H700S-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
auf Bestellung 9930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC846B-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAV21W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAV21W-7-F - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2.5 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 2.5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAV21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 12745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AZ23C30-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AZ23C30-7-F - Zener-Diodenarray, 30 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 PinstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Produktreihe AZ23C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AZ23C30-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AZ23C30-7-F - Zener-Diodenarray, 30 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 PinstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Produktreihe AZ23C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMAJ12CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMAJ12CA-13-F - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 12 V, 19.9 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 13.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 14.7V isCanonical: N Sperrspannung: 12V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMAJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 19.9V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXMN3A04DN8TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXMN3A04DN8TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S3GB-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - S3GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S3GB-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - S3GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N4448W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N4448W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 500 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4448 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 13515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DXTN03060CFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DXTN03060CFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DXTN3C60PSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DXT696BK-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DXTN3C60PSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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3.0SMCJ28A-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 3.0SMCJ28A-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 34.4V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 28V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 45.4V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S1M-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - S1M-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1M-1 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S1A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - S1A-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZX5T1951GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZX5T1951GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZX5T1951GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZX5T1951GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXMN6A11DN8TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXMP6A17GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXT690BKTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT690BKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXTN2031FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2031FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZUMT619 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZUMT619 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 385 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAS70-04-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS70-04-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 747713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMG6898LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMG6898LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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D5V0F2U3LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0F2U3LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 5.5 V, 12 V, X1-DFN1006, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 5.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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D5V0F2U3LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0F2U3LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 5.5 V, 12 V, X1-DFN1006, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 5.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN1260UFA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP1555UFA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP1555UFA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H170SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN1260UFA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMC4015SSD-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMT64M8LSS-13 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMT69M5LFVW-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1N4148W-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N4148W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - 1N4148W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 500096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN3009SSS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN3009SSS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBT3906-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AP2125N-1.8TRG1 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2125N-1.8TRG1 - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 6V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 300V
Nennausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - AP2125N-1.8TRG1 - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 6V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 300V
Nennausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 74AHC1G08W5-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHC1G08W5-7 - AND-Gatter, 74AHC1G08, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AHC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74AHC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - 74AHC1G08W5-7 - AND-Gatter, 74AHC1G08, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AHC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74AHC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DDZ30DSF-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ30DSF-7 - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DDZ30DSF-7 - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DDZ30DSF-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ30DSF-7 - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DDZ30DSF-7 - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SBR0330CW-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR0330CW-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 300 mA, 580 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 580mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SBR0330CW-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 300 mA, 580 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 580mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SBR0330CW-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR0330CW-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 300 mA, 580 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 580mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SBR0330CW-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 300 mA, 580 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 580mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMG6602SVT-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXCT1107SA-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXCT1107SA-7 - Strommessverstärker, geringe Leistungsaufnahme, High-Side, 650 kHz, SOT-23, 3 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Verstärkung: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 650kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 36V
Strommessverstärker: High-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXCT1107SA-7 - Strommessverstärker, geringe Leistungsaufnahme, High-Side, 650 kHz, SOT-23, 3 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Verstärkung: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 650kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 36V
Strommessverstärker: High-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 51671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXCT1109SA-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXCT1109SA-7 - Strommessverstärker, geringe Leistungsaufnahme, High-Side, 650 kHz, SOT-23, 3 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
CMRR: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Verstärkung: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 650kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 36V
Strommessverstärker: High-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXCT1109SA-7 - Strommessverstärker, geringe Leistungsaufnahme, High-Side, 650 kHz, SOT-23, 3 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
CMRR: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Verstärkung: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 650kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 36V
Strommessverstärker: High-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN3032LFDBQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN3032LFDBQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP3050LSS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP3050LSS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BZT52C5V6-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C5V6-7-F - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BZT52C5V6-7-F - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXLD1350ET5 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXLD1350ET5 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck (Abwärts), 7V-30Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 30V/350mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 380mA
Eingangsspannung, min.: 7V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXLD1350ET5 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck (Abwärts), 7V-30Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 30V/350mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 380mA
Eingangsspannung, min.: 7V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BAT54C-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54C-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BAT54C-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 565814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H700S-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H700S-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC846B-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC846B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BC846B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BAV21W-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAV21W-7-F - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAV21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BAV21W-7-F - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAV21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AZ23C30-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AZ23C30-7-F - Zener-Diodenarray, 30 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - AZ23C30-7-F - Zener-Diodenarray, 30 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AZ23C30-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AZ23C30-7-F - Zener-Diodenarray, 30 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - AZ23C30-7-F - Zener-Diodenarray, 30 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMAJ12CA-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMAJ12CA-13-F - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 12 V, 19.9 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 14.7V
isCanonical: N
Sperrspannung: 12V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 19.9V
Description: DIODES INC. - SMAJ12CA-13-F - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 12 V, 19.9 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 14.7V
isCanonical: N
Sperrspannung: 12V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 19.9V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXMN3A04DN8TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXMN3A04DN8TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S3GB-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S3GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - S3GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S3GB-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S3GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - S3GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1N4448W-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N4448W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 500 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - 1N4448W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 500 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN03060CFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN03060CFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN3C60PSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXT696BK-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN3C60PSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 3.0SMCJ28A-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 3.0SMCJ28A-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 34.4V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 45.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - 3.0SMCJ28A-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 34.4V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 45.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S1M-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S1M-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1M-1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - S1M-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1M-1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S1A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S1A-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - S1A-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZX5T1951GTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZX5T1951GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZX5T1951GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZX5T1951GTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZX5T1951GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZX5T1951GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXMN6A11DN8TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXMP6A17GTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXT690BKTC |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT690BKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXT690BKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXTN2031FTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2031FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN2031FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ZUMT619 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZUMT619 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 385 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZUMT619 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 385 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BAS70-04-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS70-04-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - BAS70-04-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 747713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMG6898LSDQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMG6898LSDQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| D5V0F2U3LP-7B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0F2U3LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 5.5 V, 12 V, X1-DFN1006, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - D5V0F2U3LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 5.5 V, 12 V, X1-DFN1006, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| D5V0F2U3LP-7B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0F2U3LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 5.5 V, 12 V, X1-DFN1006, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - D5V0F2U3LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 5.5 V, 12 V, X1-DFN1006, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN1260UFA-7B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP1555UFA-7B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP1555UFA-7B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H170SK3-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN1260UFA-7B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
























