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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CY9AFB41MAPMC-G-JNE2 Infineon Technologies y9ab40nb_series_32_bit_arm_cortex_m3_fm3_microcontroller.pdf MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 96KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 80-Pin LQFP Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TZ150N26KOFHPSA1 TZ150N26KOFHPSA1 Infineon Technologies tz150n.pdf SCR Module 2.6kV 4.5kA 4-Pin
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY9AFA42LAQN-G-AVE2 Infineon Technologies y9aa40nb_series_32_bit_arm_cortex_m3_fm3_microcontroller.pdf MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 160KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin QFN EP Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM CB SAF-C164CI-8EM CB Infineon Technologies c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAFC164CILMCA+ SAFC164CILMCA+ Infineon Technologies c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf MCU 16-bit C166 CISC/RISC ROMLess 5V 80-Pin MQFP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM DB SAF-C164CI-8EM DB Infineon Technologies c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B63BADES Infineon Technologies CYT2B63BADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B73CADES Infineon Technologies CYT2B73CADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN7970B BTN7970B Infineon Technologies btn7970_ds_11.pdf H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY5677 CY5677 Infineon Technologies quickstartguide_0.pdf CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1523XTMA1 SLB9672VU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1610XTMA1 SLB9672AU20FW1610XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432 TPM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1613XTMA1 SLB9672XU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1612XTMA1 Infineon Technologies SP005750322
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1613XTMA1 SLB9672AU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1522XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021 IPTC025N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 ISC055N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018 ISC044N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 IPF026N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042 IPP089N15NM6AKSA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3401N33TOFS20XPSA1 Infineon Technologies SP000091136
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215C H6327 Infineon Technologies 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.46 EUR
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.58 EUR
24+3.06 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.86 EUR
25+2.9 EUR
28+2.6 EUR
33+2.19 EUR
120+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
18+4.1 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
232+0.31 EUR
285+0.25 EUR
353+0.2 EUR
532+0.13 EUR
589+0.12 EUR
650+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
74+0.98 EUR
84+0.86 EUR
117+0.62 EUR
133+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 3272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.11 EUR
807+0.089 EUR
893+0.08 EUR
1064+0.067 EUR
1183+0.06 EUR
1276+0.056 EUR
1337+0.053 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+0.15 EUR
1000+0.072 EUR
1115+0.064 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 10955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.072 EUR
1214+0.059 EUR
1352+0.053 EUR
1458+0.049 EUR
1534+0.047 EUR
1624+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 14mΩ
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 75nC
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
123+0.58 EUR
140+0.51 EUR
149+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
auf Bestellung 9895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
258+0.28 EUR
353+0.2 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857AE6327 BC857AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783DF60124ED30259&compId=BC857B-DTE.pdf?ci_sign=ba25cefced3e9fb3bec3567afbe372972cd47a0a Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.05 EUR
1557+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 166ns
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.55 EUR
27+2.69 EUR
29+2.5 EUR
50+2.37 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
69+1.05 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
100+0.85 EUR
250+0.8 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY9AFB41MAPMC-G-JNE2 y9ab40nb_series_32_bit_arm_cortex_m3_fm3_microcontroller.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 96KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 80-Pin LQFP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TZ150N26KOFHPSA1 tz150n.pdf
TZ150N26KOFHPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SCR Module 2.6kV 4.5kA 4-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY9AFA42LAQN-G-AVE2 y9aa40nb_series_32_bit_arm_cortex_m3_fm3_microcontroller.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 160KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM CB c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf
SAF-C164CI-8EM CB
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAFC164CILMCA+ c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf
SAFC164CILMCA+
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC ROMLess 5V 80-Pin MQFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM DB c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf
SAF-C164CI-8EM DB
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B63BADES
Hersteller: Infineon Technologies
CYT2B63BADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B73CADES
Hersteller: Infineon Technologies
CYT2B73CADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN7970B btn7970_ds_11.pdf
BTN7970B
Hersteller: Infineon Technologies
H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Hersteller: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Hersteller: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY5677 quickstartguide_0.pdf
CY5677
Hersteller: Infineon Technologies
CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1523XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672VU20FW1523XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1610XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672AU20FW1610XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432
Hersteller: Infineon Technologies
TPM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672XU20FW1613XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1612XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SP005750322
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672AU20FW1613XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1522XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021
Hersteller: Infineon Technologies
IPTC025N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9
Hersteller: Infineon Technologies
ISC055N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018
Hersteller: Infineon Technologies
ISC044N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
Hersteller: Infineon Technologies
IPF026N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042
Hersteller: Infineon Technologies
IPP089N15NM6AKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3401N33TOFS20XPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SP000091136
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215C H6327 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.46 EUR
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
24+3.06 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
25+2.9 EUR
28+2.6 EUR
33+2.19 EUR
120+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
18+4.1 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
232+0.31 EUR
285+0.25 EUR
353+0.2 EUR
532+0.13 EUR
589+0.12 EUR
650+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
74+0.98 EUR
84+0.86 EUR
117+0.62 EUR
133+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 3272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
807+0.089 EUR
893+0.08 EUR
1064+0.067 EUR
1183+0.06 EUR
1276+0.056 EUR
1337+0.053 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
465+0.15 EUR
1000+0.072 EUR
1115+0.064 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 10955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.072 EUR
1214+0.059 EUR
1352+0.053 EUR
1458+0.049 EUR
1534+0.047 EUR
1624+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 14mΩ
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 75nC
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
123+0.58 EUR
140+0.51 EUR
149+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
auf Bestellung 9895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
258+0.28 EUR
353+0.2 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783DF60124ED30259&compId=BC857B-DTE.pdf?ci_sign=ba25cefced3e9fb3bec3567afbe372972cd47a0a
BC857AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1441+0.05 EUR
1557+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 166ns
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
27+2.69 EUR
29+2.5 EUR
50+2.37 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
69+1.05 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
100+0.85 EUR
250+0.8 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
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