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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
IPU80R2K0P7AKMA1 IPU80R2K0P7AKMA1 INFINEON 2327439.pdf Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEATMA1 INFINEON Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 8314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 INFINEON INFNS16625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9 Description: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPU80R4K5P7AKMA1 IPU80R4K5P7AKMA1 INFINEON 2354628.pdf Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 INFINEON 2327428.pdf Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP80R1K4P7XKSA1 IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON 2354625.pdf Description: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 73W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON 2718787.pdf Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R1K2P7ATMA1 IPLK80R1K2P7ATMA1 INFINEON 3629117.pdf Description: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R1K4P7ATMA1 IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON 3629118.pdf Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R1K4P7ATMA1 IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON 3629118.pdf Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R900P7ATMA1 IPLK80R900P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK80R900P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1bd6c02c8 Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R2K0P7ATMA1 IPLK80R2K0P7ATMA1 INFINEON 3629119.pdf Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R750P7ATMA1 IPLK80R750P7ATMA1 INFINEON 3629121.pdf Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 130W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDI20N12AFXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1 INFINEON 2334681.pdf Description: INFINEON - 1EDI20N12AFXUMA1 - MOSFET-Treiber, 3.5V-15V Versorgungsspannung, 4A Ausgangsspannung, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 115ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6 Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6 Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDN8550BXTSA1 1EDN8550BXTSA1 INFINEON 2712213.pdf Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISO1H801GAUMA1 ISO1H801GAUMA1 INFINEON Final_Datasheet_ISO1H801_V23_sept.pdf?folderId=db3a30431b3e89eb011b8dbc543010a5&fileId=db3a30431b3e89eb011b8dc2d55810ac Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISO1H801GAUMA1 ISO1H801GAUMA1 INFINEON Final_Datasheet_ISO1H801_V23_sept.pdf?folderId=db3a30431b3e89eb011b8dbc543010a5&fileId=db3a30431b3e89eb011b8dc2d55810ac Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 INFINEON 2718718.pdf Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 INFINEON 2371120.pdf Description: INFINEON - 1EDN7512BXTSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V bis 20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 INFINEON 3968292.pdf Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 FF17MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON 3968291.pdf Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IR2213STRPBF IR2213STRPBF INFINEON 2331319.pdf Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IR2213STRPBF IR2213STRPBF INFINEON 2331319.pdf Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ITS711L1FUMA1 ITS711L1FUMA1 INFINEON ITS711L1_DS13.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30432239cccd0122e560bae03c62&ack=t Description: INFINEON - ITS711L1FUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 34V, 4A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.165ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3250MC12HXUMA1 1ED3250MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3121MC12HXUMA1 1ED3121MC12HXUMA1 INFINEON 3215547.pdf Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3241MC12HXUMA1 1ED3241MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3121MC12HXUMA1 1ED3121MC12HXUMA1 INFINEON 3215547.pdf Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3241MC12HXUMA1 1ED3241MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 897 Stücke:
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1ED3250MC12HXUMA1 1ED3250MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3240MC12HXUMA1 1ED3240MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 INFINEON 3674732.pdf Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 INFINEON 3812603.pdf Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 INFINEON 3674732.pdf Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 INFINEON 3812603.pdf Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6ED2231S12TXUMA1 6ED2231S12TXUMA1 INFINEON 3920492.pdf Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6ED2231S12TXUMA1 6ED2231S12TXUMA1 INFINEON 3920492.pdf Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 INFINEON 2354624.pdf Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 INFINEON 2354624.pdf Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 13W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTN9990LVAUMA1 BTN9990LVAUMA1 INFINEON 3704040.pdf Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTN9990LVAUMA1 BTN9990LVAUMA1 INFINEON 3704040.pdf Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON INFNS19406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 10894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5012BDE1200XUMA1 TLE5012BDE1200XUMA1 INFINEON 2343217.pdf Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5012BDE1200XUMA1 TLE5012BDE1200XUMA1 INFINEON 2343217.pdf Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SHIELDBTS500101TADTOBO1 SHIELDBTS500101TADTOBO1 INFINEON Infineon-High_Side_Switch_Shield_with_BTS50010-1TAD_for_Arduino-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c167f20260000 Description: INFINEON - SHIELDBTS500101TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50010-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPU80R2K0P7AKMA1 2327439.pdf
IPU80R2K0P7AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R450P7ATMA1 Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327
IPD80R450P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPD80R1K4CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 8314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SPW11N80C3FKSA1 INFNS16625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW11N80C3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R1K0CEATMA1 INFN-S-A0010753999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R900P7ATMA1 Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9
IPD80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R1K4P7ATMA1 INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R900P7ATMA1 Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f
IPN80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPU80R4K5P7AKMA1 2354628.pdf
IPU80R4K5P7AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP80R360P7XKSA1 2327428.pdf
IPP80R360P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP80R1K4P7XKSA1 2354625.pdf
IPP80R1K4P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP80R450P7XKSA1 INFN-S-A0004583394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP80R450P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 73W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R600P7ATMA1 2718787.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R1K2P7ATMA1 3629117.pdf
IPLK80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R1K4P7ATMA1 3629118.pdf
IPLK80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R1K4P7ATMA1 3629118.pdf
IPLK80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R900P7ATMA1 Infineon-IPLK80R900P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1bd6c02c8
IPLK80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R2K0P7ATMA1 3629119.pdf
IPLK80R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPLK80R750P7ATMA1 3629121.pdf
IPLK80R750P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR3411TRPBF INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3411TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 130W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDI20N12AFXUMA1 2334681.pdf
1EDI20N12AFXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20N12AFXUMA1 - MOSFET-Treiber, 3.5V-15V Versorgungsspannung, 4A Ausgangsspannung, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 115ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6
ISS17EP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6
ISS17EP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDN8550BXTSA1 2712213.pdf
1EDN8550BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISO1H801GAUMA1 Final_Datasheet_ISO1H801_V23_sept.pdf?folderId=db3a30431b3e89eb011b8dbc543010a5&fileId=db3a30431b3e89eb011b8dc2d55810ac
ISO1H801GAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISO1H801GAUMA1 Final_Datasheet_ISO1H801_V23_sept.pdf?folderId=db3a30431b3e89eb011b8dbc543010a5&fileId=db3a30431b3e89eb011b8dc2d55810ac
ISO1H801GAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDN7512GXTMA1 2718718.pdf
1EDN7512GXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1EDN7512BXTSA1 2371120.pdf
1EDN7512BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7512BXTSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V bis 20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 3968292.pdf
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 3968291.pdf
FF17MR12W1M1HB70BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IR2213STRPBF 2331319.pdf
IR2213STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IR2213STRPBF 2331319.pdf
IR2213STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ITS711L1FUMA1 ITS711L1_DS13.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30432239cccd0122e560bae03c62&ack=t
ITS711L1FUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ITS711L1FUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 34V, 4A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.165ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC0901NSIATMA1 INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3250MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3250MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3121MC12HXUMA1 3215547.pdf
1ED3121MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3241MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3241MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3121MC12HXUMA1 3215547.pdf
1ED3121MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3241MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3241MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3250MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3250MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3240MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3240MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3240MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3240MC12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3323MC12NXUMA1 3674732.pdf
1ED3323MC12NXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3127MU12FXUMA1 3812603.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3323MC12NXUMA1 3674732.pdf
1ED3323MC12NXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1ED3127MU12FXUMA1 3812603.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6ED2231S12TXUMA1 3920492.pdf
6ED2231S12TXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6ED2231S12TXUMA1 3920492.pdf
6ED2231S12TXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R4K5P7ATMA1 2354624.pdf
IPD80R4K5P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD80R4K5P7ATMA1 2354624.pdf
IPD80R4K5P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 13W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTN9990LVAUMA1 3704040.pdf
BTN9990LVAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTN9990LVAUMA1 3704040.pdf
BTN9990LVAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS7728NH6327XTSA2 INFNS19406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS7728NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 10894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5012BDE1200XUMA1 2343217.pdf
TLE5012BDE1200XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5012BDE1200XUMA1 2343217.pdf
TLE5012BDE1200XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SHIELDBTS500101TADTOBO1 Infineon-High_Side_Switch_Shield_with_BTS50010-1TAD_for_Arduino-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c167f20260000
SHIELDBTS500101TADTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS500101TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50010-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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