Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPU80R2K0P7AKMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R450P7ATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R1K4CEATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 8314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW11N80C3FKSA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R1K0CEATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R900P7ATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 2607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R1K4P7ATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPU80R4K5P7AKMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R360P7XKSA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R1K4P7XKSA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R450P7XKSA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK80R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK80R1K4P7ATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK80R1K4P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK80R900P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 54W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK80R2K0P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK80R750P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR3411TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 130W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDI20N12AFXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 115ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 22727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISS55EP06LMXTSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISS17EP06LMXTSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISS55EP06LMXTSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISS17EP06LMXTSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN8550BXTSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISO1H801GAUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISO1H801GAUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7512GXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7512BXTSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2213STRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 225ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2213STRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 225ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ITS711L1FUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.165ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 4A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -30°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 34V Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0901NSIATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm |
auf Bestellung 5045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3250MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3121MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3241MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 18A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 18A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3121MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3241MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 18A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 18A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3250MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3240MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3240MC12HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3323MC12NXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: DSO Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 85ns Ausgabeverzögerung: 85ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3127MU12FXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3323MC12NXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 85ns Ausgabeverzögerung: 85ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1ED3127MU12FXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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6ED2231S12TXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423190 Sinkstrom: -650mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 350mA Versorgungsspannung, min.: 13V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 700ns Ausgabeverzögerung: 650ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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6ED2231S12TXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423190 Sinkstrom: -650mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 350mA Versorgungsspannung, min.: 13V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 700ns Ausgabeverzögerung: 650ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 13W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTN9990LVAUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTN9990LVAUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS7728NH6327XTSA2 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
auf Bestellung 10894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TLE5012BDE1200XUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance) Bauform - Sensor: TSSOP euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TLE5012BDE1200XUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance) Bauform - Sensor: TSSOP euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 16142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SHIELDBTS500101TADTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
IPU80R2K0P7AKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R450P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R1K4CEATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 8314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SPW11N80C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R1K0CEATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R900P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R1K4P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPN80R900P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPU80R4K5P7AKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPP80R360P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPP80R1K4P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPP80R450P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 73W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 73W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPN80R600P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPLK80R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPLK80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPLK80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPLK80R900P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPLK80R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPLK80R750P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFR3411TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 130W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 130W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1EDI20N12AFXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20N12AFXUMA1 - MOSFET-Treiber, 3.5V-15V Versorgungsspannung, 4A Ausgangsspannung, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 115ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1EDI20N12AFXUMA1 - MOSFET-Treiber, 3.5V-15V Versorgungsspannung, 4A Ausgangsspannung, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 115ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ISS55EP06LMXTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ISS17EP06LMXTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ISS55EP06LMXTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ISS17EP06LMXTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1EDN8550BXTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ISO1H801GAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ISO1H801GAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ISO1H801GAUMA1 - Spezielle Schnittstelle, Parallel
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Prozessleitsysteme, allgemeine Steuerungen, SPSen, Robotik, Halbleiterrelais
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1EDN7512GXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1EDN7512BXTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7512BXTSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V bis 20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1EDN7512BXTSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V bis 20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FF17MR12W1M1HB70BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IR2213STRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IR2213STRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ITS711L1FUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ITS711L1FUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 34V, 4A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.165ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ITS711L1FUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 34V, 4A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.165ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BSC0901NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3250MC12HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3121MC12HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3241MC12HXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3121MC12HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3121MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED31xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3241MC12HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 18A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3250MC12HXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3250MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3240MC12HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3240MC12HXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3240MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3323MC12NXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3127MU12FXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3323MC12NXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1ED3323MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 1ED332xMC12N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1ED3127MU12FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)6ED2231S12TXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)6ED2231S12TXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: -650mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3415STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 13W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 13W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BTN9990LVAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BTN9990LVAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BTN9990LVAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, 8V bis 18V, PG-HSOF-7, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Gleichstrom-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-HSOF
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BSS7728NH6327XTSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 10894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)TLE5012BDE1200XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)TLE5012BDE1200XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SHIELDBTS500101TADTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS500101TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50010-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - SHIELDBTS500101TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50010-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)