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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094 		IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13355 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Produktcode: 36593 		IR irf3205spbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997 		IR irf3205z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 534 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
10+ 0.68 EUR
IRF3415PBF IRF3415PBF
Produktcode: 34305 		IR irf3415pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3703PBF IRF3703PBF
Produktcode: 33794 		IR irf3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df45fc1924 IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.92 EUR
IRF3704ZS IRF3704ZS
Produktcode: 99466 		IR irf3704z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 20
Idd,A: 47
Rds(on), Ohm: 7.9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 07.08.1220
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.88 EUR
IRF3710PBF IRF3710PBF
Produktcode: 43009 		IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 872 Stück
1+0.72 EUR
10+ 0.7 EUR
100+ 0.69 EUR
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Produktcode: 43364 		IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 34 Stück
1+1.08 EUR
10+ 1.06 EUR
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954 		JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 94 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978 		IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
IRF3808PBF IRF3808PBF
Produktcode: 33009 		IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
IRF3007PBF IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRF3007PBF IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRF3007PBF IRF3007PBF Infineon Technologies irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
338+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.6 EUR
1600+ 1.52 EUR
2400+ 1.44 EUR
4800+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf MOSFET MOSFET 75V D2PAK
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.75 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.82 EUR
500+ 3.54 EUR
800+ 2.56 EUR
2400+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.6 EUR
1600+ 1.52 EUR
2400+ 1.44 EUR
4800+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+3.2 EUR
1600+ 2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Infineon Technologies irf3007spbf.pdf Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 4.74 EUR
100+ 3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.84 EUR
13+ 12.03 EUR
50+ 10.81 EUR
100+ 9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.25 EUR
13+ 12.35 EUR
25+ 9.9 EUR
50+ 9.41 EUR
100+ 8.54 EUR
250+ 6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf MOSFET IFX OPTIMOS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.01 EUR
25+ 18.3 EUR
100+ 16.43 EUR
250+ 16.12 EUR
400+ 13.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.78 EUR
13+ 11.99 EUR
50+ 10.78 EUR
100+ 9.2 EUR
200+ 8.24 EUR
800+ 7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.21 EUR
13+ 12.32 EUR
25+ 9.87 EUR
50+ 9.38 EUR
100+ 8.52 EUR
250+ 6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineon-irf300p226-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON 2718692.pdf Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.85 EUR
25+ 18.24 EUR
100+ 16.32 EUR
500+ 14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.38 EUR
16+ 9.97 EUR
50+ 8.69 EUR
100+ 7.91 EUR
200+ 7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74 Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.25 EUR
25+ 14.57 EUR
100+ 13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF300P227 IRF300P227 Infineon Technologies Infineon_IRF300P227_DataSheet_v02_01_EN-3362709.pdf MOSFET IFX OPTIMOS
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
3+18.38 EUR
10+ 17 EUR
25+ 14.69 EUR
100+ 13.13 EUR
250+ 12.04 EUR
400+ 10.43 EUR
1200+ 9.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF3205 Infineon description N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.44 EUR
128+ 1.2 EUR
139+ 1.06 EUR
151+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 110
IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.5 EUR
2000+ 1.34 EUR
2500+ 1.23 EUR
3000+ 1.15 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.5 EUR
2000+ 1.34 EUR
2500+ 1.23 EUR
3000+ 1.15 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 106
IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.68 EUR
110+ 1.39 EUR
128+ 1.15 EUR
139+ 1.02 EUR
151+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
49+ 1.49 EUR
53+ 1.37 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
49+ 1.49 EUR
53+ 1.37 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.34 EUR
129+ 1.19 EUR
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500+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 118
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10829 Stücke:
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87+1.82 EUR
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2000+ 0.8 EUR
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10000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 87
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 49605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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92+1.74 EUR
97+ 1.58 EUR
112+ 1.32 EUR
200+ 1.21 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.02 EUR
2000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 92
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
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15+3.54 EUR
18+ 2.91 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.64 EUR
2000+ 1.54 EUR
5000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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72+2.22 EUR
87+ 1.76 EUR
117+ 1.26 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.86 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.69 EUR
10000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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168+ 0.91 EUR
189+ 0.78 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.53 EUR
10000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 158
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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129+1.23 EUR
150+ 1.02 EUR
500+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45421 Stücke:
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169+0.94 EUR
190+ 0.81 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.6 EUR
5000+ 0.56 EUR
10000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 169
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+ 5.87 EUR
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 22494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
50+ 3.08 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.69 EUR
2000+ 1.59 EUR
5000+ 1.51 EUR
10000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3205S International Rectifier/Infineon description N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+ 6.59 EUR
100+ 5.79 EUR
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+ 3.61 EUR
IRF3205SPBF International Rectifier/Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.52 EUR
10+ 3.04 EUR
100+ 2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+ 1.22 EUR
77+ 0.93 EUR
82+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+ 1.22 EUR
77+ 0.93 EUR
82+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3205STRLPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+ 8.27 EUR
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13355 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
IRF3205SPBF
Produktcode: 36593		 irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997		 description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 534 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.72 EUR
10+ 0.68 EUR
IRF3415PBF
Produktcode: 34305		 irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3703PBF
Produktcode: 33794		 irf3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df45fc1924 IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF3703PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.92 EUR
IRF3704ZS
Produktcode: 99466		 irf3704z-datasheet.pdf
IRF3704ZS
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 20
Idd,A: 47
Rds(on), Ohm: 7.9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 07.08.1220
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.88 EUR
IRF3710PBF
Produktcode: 43009		 irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 872 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.72 EUR
10+ 0.7 EUR
100+ 0.69 EUR
IRF3710SPBF
Produktcode: 43364		 irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 34 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.08 EUR
10+ 1.06 EUR
IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954		 IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 94 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978		 irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.72 EUR
IRF3808PBF
Produktcode: 33009		 description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
IRF3007PBF description irf3007.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRF3007PBF description irf3007.pdf
IRF3007PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
IRF3007PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
338+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3007STRLPBF Infineon_IRF3007S_DataSheet_v01_01_EN-3362967.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET 75V D2PAK
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IRF3007STRLPBF infineon-irf3007s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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2400+ 1.44 EUR
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IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
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800+3.2 EUR
1600+ 2.71 EUR
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IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
IRF3007STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
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5+5.72 EUR
10+ 4.74 EUR
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IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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13+ 12.03 EUR
50+ 10.81 EUR
100+ 9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
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12+13.25 EUR
13+ 12.35 EUR
25+ 9.9 EUR
50+ 9.41 EUR
100+ 8.54 EUR
250+ 6.83 EUR
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IRF300P226 Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS
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3+23.01 EUR
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250+ 16.12 EUR
400+ 13.03 EUR
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IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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10+16.78 EUR
13+ 11.99 EUR
50+ 10.78 EUR
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IRF300P226 infineon-irf300p226-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
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12+13.21 EUR
13+ 12.32 EUR
25+ 9.87 EUR
50+ 9.38 EUR
100+ 8.52 EUR
250+ 6.82 EUR
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IRF300P226 infineon-irf300p226-ds-v01_01-en.pdf
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
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IRF300P226 2718692.pdf
IRF300P226
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 558 Stücke:
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IRF300P226 Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d
IRF300P226
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+22.85 EUR
25+ 18.24 EUR
100+ 16.32 EUR
500+ 14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF300P227 infineon-irf300p227-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 281 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
12+13.38 EUR
16+ 9.97 EUR
50+ 8.69 EUR
100+ 7.91 EUR
200+ 7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRF300P227 Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+18.25 EUR
25+ 14.57 EUR
100+ 13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF300P227 Infineon_IRF300P227_DataSheet_v02_01_EN-3362709.pdf
IRF300P227
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS
auf Bestellung 395 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3+18.38 EUR
10+ 17 EUR
25+ 14.69 EUR
100+ 13.13 EUR
250+ 12.04 EUR
400+ 10.43 EUR
1200+ 9.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF3205 description
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3205LPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
110+1.44 EUR
128+ 1.2 EUR
139+ 1.06 EUR
151+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 110
IRF3205LPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+1.5 EUR
2000+ 1.34 EUR
2500+ 1.23 EUR
3000+ 1.15 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRF3205LPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3205LPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
106+1.5 EUR
2000+ 1.34 EUR
2500+ 1.23 EUR
3000+ 1.15 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 106
IRF3205LPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
95+1.68 EUR
110+ 1.39 EUR
128+ 1.15 EUR
139+ 1.02 EUR
151+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
49+ 1.49 EUR
53+ 1.37 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
49+ 1.49 EUR
53+ 1.37 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
118+1.34 EUR
129+ 1.19 EUR
150+ 0.98 EUR
500+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 118
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
87+1.82 EUR
117+ 1.31 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.89 EUR
2000+ 0.8 EUR
5000+ 0.72 EUR
10000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 87
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 49605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
92+1.74 EUR
97+ 1.58 EUR
112+ 1.32 EUR
200+ 1.21 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.02 EUR
2000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 92
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 67234 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+3.54 EUR
18+ 2.91 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.64 EUR
2000+ 1.54 EUR
5000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+2.22 EUR
87+ 1.76 EUR
117+ 1.26 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.86 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.69 EUR
10000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
158+1 EUR
168+ 0.91 EUR
189+ 0.78 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.53 EUR
10000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 158
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+1.23 EUR
150+ 1.02 EUR
500+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.94 EUR
190+ 0.81 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.6 EUR
5000+ 0.56 EUR
10000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 169
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
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IRF3205S description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
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IRF3205S description
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
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Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
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IRF3205STRL
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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54+1.34 EUR
59+ 1.22 EUR
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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54+1.34 EUR
59+ 1.22 EUR
77+ 0.93 EUR
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IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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