Produkte > DMT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMT6005LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V | auf Bestellung 3813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6005LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.7W Gate charge: 47.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 13.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252 Case: TO252 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 3.1W Gate charge: 34.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 71A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6006LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.9 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V Verlustleistung: 1.38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 3079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6006LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6006LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 2.08W Gate charge: 34.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 11.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V | auf Bestellung 2279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6006SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006SPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 2.45W Gate charge: 27.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 13A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6006SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 41.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W | auf Bestellung 4383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6007LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 1041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6007LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8 Case: PowerDI®3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Drain current: 70A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6007LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 6000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6007LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 1118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6007LFG-7 Produktcode: 212393
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6007LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 41.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | Diodes | MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Силові MOSFET-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6007LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6007LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2090 @ 30, Qg, нКл = 41,3, Rds = 6 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVFDN-8 Очікується: 4100 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | verfügbar 99 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 41.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6007LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 7091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 50.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF | auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6008LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 50.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V | auf Bestellung 142000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V | auf Bestellung 143569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3 Case: TO220-3 Kind of package: tube Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 29.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 941 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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| DMT6009LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 2.08W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 19.2W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 34A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson | auf Bestellung 4506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LJ3 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 15632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LJ3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-251 (Type TH) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A | auf Bestellung 1869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252 Case: TO252 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 2.6W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 10.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LPS | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 1694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 2.3W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 9.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | auf Bestellung 1256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.6W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 11.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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