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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGA3060ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDonsemi FS1TIGBT TO3PN 30A 1200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30N120FTDTU - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 339 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 208 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V 30A FS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDonsemionsemi PTPIGBT TO3PN 30A 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBTs 30A 600V N-Ch Planar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDON Semiconductor
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDTE ConnectivityTE Connectivity
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDFairchild SemiconductorDescription: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
126+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors IGBT, 650V, 30A, Field Stop
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.61 EUR
18+13.16 EUR
22+10.04 EUR
50+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1300V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 348 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PonsemiIGBTs Shorted AnodeTM IGBT
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+9.81 EUR
100+8.16 EUR
450+7.27 EUR
900+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
30+7.77 EUR
100+5.81 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 54.7 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDON Semiconductor
auf Bestellung 14320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDonsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 30A 650V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.09 EUR
10+8.32 EUR
100+7.25 EUR
450+6.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDONS/FAIIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA4060ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PN
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 55.5 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA4060ADFFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA4060ADFonsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N150
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N60UFDTU
Produktcode: 100506
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N60UFDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N60UFDTUFAIRCHILDFGA40N60UFDTU
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N60UFDTUonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Ultrafast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N60UFDTU_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A UFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDONS/FAIFGA40N65SMD FGA40N65 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 48800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.46 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.86 EUR
10000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.46 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDTE Connectivity
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.72 EUR
38+6.13 EUR
100+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 18450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.46 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.86 EUR
10000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.88 EUR
20+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDonsemiIGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+5.53 EUR
120+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.78 EUR
30+5.5 EUR
120+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A
Produktcode: 112251
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FGA40S65SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40S65SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40S65SHonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 73 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 194µJ (on), 388µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/68.8ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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FGA40S65SHON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
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FGA40T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
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3+8.4 EUR
10+5.56 EUR
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FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FGA40T65SHDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
auf Bestellung 441 Stücke:
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18+4.95 EUR
25+3.51 EUR
30+2.94 EUR
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FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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180+3.63 EUR
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FGA40T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
auf Bestellung 65 Stücke:
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1+8.43 EUR
10+5.59 EUR
120+3.5 EUR
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FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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FGA40T65SHDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40T65SHDFonsemiIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 422 Stücke:
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1+8.9 EUR
10+5.89 EUR
100+4.74 EUR
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900+3.67 EUR
2700+3.47 EUR
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FGA40T65SHDF
Produktcode: 164512
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FGA40T65SHDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FGA40T65SHDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 73 Stücke:
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3+8.85 EUR
10+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FGA40T65SHDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65SHDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FGA40T65UQDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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58+3.05 EUR
159+1.06 EUR
160+1.01 EUR
161+0.96 EUR
163+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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FGA40T65UQDFonsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
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FGA40T65UQDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65UQDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA40T65UQDFonsemiIGBTs 650V Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 109 Stücke:
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1+9.38 EUR
10+6.22 EUR
100+4.69 EUR
450+4.05 EUR
900+3.75 EUR
2700+3.52 EUR
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FGA5065ADFonsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 50A 650V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+9.48 EUR
100+7.96 EUR
250+6.62 EUR
450+6.33 EUR
900+5.97 EUR
2700+5.9 EUR
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FGA5065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA5065ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 72.2 nC
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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FGA5065ADFON Semiconductor
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGA5065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA5065ADFFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72.2 nC
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
111+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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FGA50N100BNTD2ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTD2 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 156 W, 1 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
Verlustleistung: 156
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: Trench
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FGA50N100BNTD2onsemiDescription: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
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FGA50N100BNTD2ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 50A 1000V
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGA50N100BNTD2ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGA50N100BNTDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 4 0A UFD
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGA50N100BNTDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTDTU - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTDTUonsemiDescription: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 156 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 275 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTDTU
Produktcode: 143764
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
102+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N60LSonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/146ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 240 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA50S110PonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
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FGA50S110Ponsemi / FairchildIGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+5.82 EUR
100+4.88 EUR
450+4.32 EUR
900+3.92 EUR
2700+3.83 EUR
5400+3.71 EUR
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FGA50S110PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.58 EUR
10000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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FGA50S110PFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
181+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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FGA50S110PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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FGA50S110PONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA50S110P.ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P. - IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA50T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA50T65SHDON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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