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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGA25N120ANTDTU-F109onsemiDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU-F109ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU-F109onsemiIGBTs Copak Discrete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTUonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/170ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120DFAIRCHILD2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120FTDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 770 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/210ns
Switching Energy: 340µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 313 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125PonsemiDescription: IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 204 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125Ponsemi / FairchildIGBT Transistors Shorted Anode IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/502ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 204 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.32 EUR
23+7.64 EUR
100+6.28 EUR
106+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337onsemi / FairchildIGBT Transistors SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.06 EUR
10+9.95 EUR
25+9.4 EUR
100+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA25S125P-SN00337 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337Fairchild SemiconductorFGA25S125P-SN00337
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.76 EUR
25+7.14 EUR
100+5.87 EUR
106+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
Switching Energy: 960µJ (on), 165µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 37.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
30+3.63 EUR
120+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFonsemiIGBTs 600V proliferation PFC home application
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.67 EUR
100+3 EUR
450+2.93 EUR
900+2.75 EUR
2700+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADF
Produktcode: 218756
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA3060ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDonsemi FS1TIGBT TO3PN 30A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30N120FTDTU - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N120FTDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V 30A FS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDonsemionsemi PTPIGBT TO3PN 30A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBTs 30A 600V N-Ch Planar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDTE ConnectivityTE Connectivity
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N65SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors IGBT, 650V, 30A, Field Stop
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.11 EUR
17+14.34 EUR
20+10.92 EUR
50+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1300V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 348 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30S120PonsemiIGBTs Shorted AnodeTM IGBT
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.18 EUR
10+10.69 EUR
100+8.65 EUR
450+7.69 EUR
900+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDONS/FAIIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns
Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 54.7 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 238 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDonsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 30A 650V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.09 EUR
10+8.32 EUR
100+7.25 EUR
450+6.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
30+7.77 EUR
100+5.81 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA4060ADFFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.47 EUR
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FGA4060ADFonsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation
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FGA4060ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 55.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 238 W
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FGA40N150
auf Bestellung 500 Stücke:
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FGA40N60UFDTUonsemiDescription: IGBT 600V 40A 160W TO3P
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FGA40N60UFDTU
Produktcode: 100506
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FGA40N60UFDTUFAIRCHILDFGA40N60UFDTU
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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FGA40N60UFDTUonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Ultrafast IGBT
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FGA40N60UFDTU_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A UFD
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FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA40N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.84 EUR
38+6.2 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 48800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.56 EUR
500+4.25 EUR
1000+3.95 EUR
10000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FGA40N65SMDONS/FAIFGA40N65SMD FGA40N65 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Транзистори
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FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.56 EUR
500+4.25 EUR
1000+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FGA40N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 119nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 18450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.56 EUR
500+4.25 EUR
1000+3.95 EUR
10000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FGA40N65SMDonsemiIGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+5.53 EUR
120+4.57 EUR
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FGA40N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
30+5.97 EUR
120+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A
Produktcode: 112251
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FGA40S65SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+4 EUR
500+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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FGA40S65SHON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGA40S65SHonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/68.8ns
Switching Energy: 194µJ (on), 388µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
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FGA40S65SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+4 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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FGA40T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+5.9 EUR
120+3.5 EUR
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FGA40T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
10+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FGA40T65SHDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 72.2nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65SHDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FGA40T65SHDF
Produktcode: 164512
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FGA40T65SHDFonsemiIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.89 EUR
100+4.74 EUR
450+3.94 EUR
900+3.67 EUR
2700+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65SHDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65UQDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA40T65UQDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65UQDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.68 EUR
37+4.78 EUR
100+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65UQDFonsemiIGBTs 650V Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+6.12 EUR
100+4.63 EUR
450+4 EUR
900+3.8 EUR
2700+3.58 EUR
5400+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65UQDFonsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA40T65UQDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.68 EUR
37+4.68 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA5065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA5065ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 268 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA5065ADFonsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 50A 650V
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+9.48 EUR
100+7.96 EUR
250+6.62 EUR
450+6.33 EUR
900+5.97 EUR
2700+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA5065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA5065ADFFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
111+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTD2onsemiDescription: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTD2ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 50A 1000V
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTD2ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTD2ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTD2 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 156 W, 1 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
Verlustleistung: 156
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: Trench
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTDTUonsemiIGBTs 600V 4 0A UFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTDTU
Produktcode: 143764
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