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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STPSC10065D | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065D | STMicroelectronics | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 900uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 42A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Leakage current: 0.9mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode | auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 42A Max. forward impulse current: 210A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 1133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 51 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006D | STMicroelectronics | Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006D Produktcode: 108577
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| ST | Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006D | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode | auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC1006D | STM | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006G-TR | STM | DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: I2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10C065RY | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-262 Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10G065DY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STM | DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065D | STMicroelectronics | Description: 650 V 10 A power Schottky silico Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220 | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065DI | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065DI | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 470A Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.75V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 4078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065DI | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode | auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065DI | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065DLF | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065DLF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065DLF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065DY | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode | auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065DY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065G-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065G-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065G-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK | auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065G-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065G-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065G2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065G2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065G2-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 1668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065GY-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065GY-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode | auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065GY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065GY-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065GY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12B-TR1 | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER | auf Bestellung 1488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12B-TR1 | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12B-TR1 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DPAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK HV Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | auf Bestellung 3452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode | auf Bestellung 1123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK HV Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | STMicroelectronics | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.25V Max. load current: 25A Leakage current: 0.4mA Max. forward impulse current: 71A Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12CWL | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12CWL | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12CWL | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12CWL | STMicroelectronics | Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12D | STM | Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H12D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12D | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12DY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12DY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H12DY | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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