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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGA50N100BNTDTU
Produktcode: 143764
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTDTU - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50N100BNTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N100BNTTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
102+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50N60LSonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/146ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 240 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110Ponsemi / FairchildIGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+5.82 EUR
100+4.88 EUR
450+4.32 EUR
900+3.92 EUR
2700+3.83 EUR
5400+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3.07 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.64 EUR
10000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110PonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110PONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110PFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
181+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110P.ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P. - IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDONS/FAIIGBT 650V 100A 319W TO-3PN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 47150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.74 EUR
500+4.43 EUR
1000+4.07 EUR
10000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHD IGBT-транзистор
Produktcode: 223840
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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erwartet: 4 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHD-01onsemiDescription: FGA50T65SHD-01
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDonsemi FSPIGBT TO3PN 60A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+10.89 EUR
100+9.62 EUR
450+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU
Produktcode: 101205
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUON-SemiconductorIGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.64 EUR
28+6.32 EUR
120+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON-SemiconductorIGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
26+9.01 EUR
100+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 284nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 180A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.98 EUR
27+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.06 EUR
35+5.06 EUR
120+4.52 EUR
510+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD
Produktcode: 60090
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
30+8.21 EUR
120+6.89 EUR
510+5.91 EUR
1020+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 650V 120A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.64 EUR
28+6.19 EUR
120+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.06 EUR
35+4.95 EUR
120+4.36 EUR
510+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.98 EUR
27+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.32 EUR
120+7.62 EUR
270+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDonsemiIGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.04 EUR
120+6.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
Switching Energy: 960µJ (on), 162µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 37.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA6530WDFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS3 650V SHD prolferation
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGA6540WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
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FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGA6540WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 55.5 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 238 W
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FGA6540WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA6540WDF
Produktcode: 183278
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FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6560WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.3 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FGA6560WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+8.13 EUR
100+6.58 EUR
450+5.82 EUR
900+4.99 EUR
2700+4.69 EUR
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FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.3 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.57 EUR
10000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 26790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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FGA66XABMDQuectelMultiprotocol Modules Wi-Fi 6 (2.4GHz/5GHz), ?IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax, BLE 5.4, Thread 802.15.4, Antenna 1 1 (1T1R), 2 antennas, Wi-Fi application: SDIO 3.0, -40C +85C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA66XACMDQuectelMultiprotocol Modules Wi-Fi 6 (2.4GHz/5GHz), IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax, BLE 5.4, Thread 802.15.4, Antenna 1 1 (1T1R), 2 antennas, Wi-Fi & Bluetooth application: USB 2.0, -40C +85C
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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FGA70N30TDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 125 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 201 W
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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FGA70N30TDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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FGA70N30TTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 125 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 201 W
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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FGA70N30TTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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FGA70N33BTDLDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors
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FGA70N33BTDTUON SemiconductorDescription: IGBT 330V 149W TO3P
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA90N30DTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FGA90N30DTUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
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FGA90N30DTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
auf Bestellung 70390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FGA90N30DTUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
262+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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FGA90N33ATDonsemi PTTIGBT TO3PN 90A 330V
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FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 223 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTU
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUonsemi / FairchildIGBTs 330V 90A PDP Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 95 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 223 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATTU
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33TFAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-3PF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600 V 40 A 62.5 W
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiIGBT Transistors 650V 20A FS4 SA IGBT
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+5.3 EUR
120+4.33 EUR
510+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3PF-3
auf Bestellung 792420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
183+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3PF-3
Produkt ist nicht verfügbar
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FGAF40N60SMDON-SemiconductorIGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+16.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
30+6.4 EUR
120+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.12 EUR
36+4.89 EUR
120+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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FGAF40N60SMDONS/FAIIGBT 600V 80A 79W TO-3PF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH