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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGA50T65SHDonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDONS/FAIIGBT 650V 100A 319W TO-3PN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA50T65SHDON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHD-01onsemiDescription: FGA50T65SHD-01
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
Power - Max: 306 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGA60N60UFDonsemi FSPIGBT TO3PN 60A 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUON-SemiconductorIGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+24.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+10.89 EUR
100+9.62 EUR
450+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU
Produktcode: 101205
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.08 EUR
27+6.22 EUR
100+5.02 EUR
120+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.95 EUR
32+5.28 EUR
100+4.57 EUR
120+4.3 EUR
450+4.12 EUR
510+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.2 EUR
120+6.56 EUR
270+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 650V 120A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.08 EUR
27+6.37 EUR
100+5.21 EUR
120+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
13+6.74 EUR
15+5.71 EUR
30+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.94 EUR
32+5.39 EUR
100+4.72 EUR
120+4.53 EUR
450+4.44 EUR
510+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.42 EUR
30+7.74 EUR
120+6.49 EUR
510+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON-SemiconductorIGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDonsemiIGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD
Produktcode: 60090
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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FGA60N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.7 EUR
32+7.47 EUR
100+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 176 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 37.4 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 960µJ (on), 162µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS3 650V SHD prolferation
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDF
Produktcode: 183278
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 55.5 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.18 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.46 EUR
10000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 26790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6560WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max: 306 W
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+8.13 EUR
100+6.58 EUR
450+5.82 EUR
900+4.99 EUR
2700+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.18 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA66XABMDQuectelMultiprotocol Modules Wi-Fi 6 (2.4GHz/5GHz), IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax, BLE 5.4, Thread 802.15.4, Antenna 1 1 (1T1R), 2 antennas, Wi-Fi application: SDIO 3.0, -40C +85C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
Power - Max: 201 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Gate Charge: 125 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 300V, N-CHANNEL
Power - Max: 201 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Gate Charge: 125 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N33BTDLDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N33BTDTUON SemiconductorDescription: IGBT 330V 149W TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
auf Bestellung 70390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
262+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 219 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 87 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDonsemi PTTIGBT TO3PN 90A 330V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUonsemi / FairchildIGBTs 330V 90A PDP Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 95 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTU
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO-3P
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 95 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATTU
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33TFAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
121+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns
Switching Energy: 452µJ (on), 141µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600 V 40 A 62.5 W
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiDescription: IGBT 650V 20A TO-3PF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiIGBT Transistors 650V 20A FS4 SA IGBT
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+5.3 EUR
120+4.33 EUR
510+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDONS/FAIIGBT 600V 80A 79W TO-3PF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON-SemiconductorIGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+16.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.66 EUR
30+6.03 EUR
120+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDonsemiIGBTs 600 V 80 A 79 W
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
38+4.45 EUR
120+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFON SemiconductorON Semiconductor PTPIGBT TO3PF 40A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors Ultrafast
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
107+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUON Semiconductor
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
30+4.57 EUR
120+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V
MSL: -
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
47+4.96 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTUON Semiconductor
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
143+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTUonsemiIGBTs 40A/600V/ IGBT
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.08 EUR
10+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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