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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGA50S110Ponsemi / FairchildIGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+5.82 EUR
100+4.88 EUR
450+4.32 EUR
900+3.92 EUR
2700+3.83 EUR
5400+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50S110P.ONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50S110P. - IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDONS/FAIIGBT 650V 100A 319W TO-3PN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA50T65SHD-01onsemiDescription: FGA50T65SHD-01
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
Power - Max: 306 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDonsemi FSPIGBT TO3PN 60A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+10.89 EUR
100+9.62 EUR
450+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTUON-SemiconductorIGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+24.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU
Produktcode: 101205
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
13+6.74 EUR
15+5.71 EUR
30+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.97 EUR
27+6.3 EUR
120+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 650V 120A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD
Produktcode: 60090
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.08 EUR
26+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.94 EUR
35+4.95 EUR
120+4.43 EUR
510+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.97 EUR
27+6.15 EUR
120+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.94 EUR
35+4.84 EUR
120+4.26 EUR
510+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
30+8.19 EUR
120+6.85 EUR
510+5.89 EUR
1020+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.59 EUR
28+8.52 EUR
100+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON-SemiconductorIGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDonsemiIGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.08 EUR
26+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.12 EUR
120+6.49 EUR
270+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 176 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 37.4 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 960µJ (on), 162µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS3 650V SHD prolferation
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 55.5 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6540WDF
Produktcode: 183278
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6560WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 26790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max: 306 W
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+8.13 EUR
100+6.58 EUR
450+5.82 EUR
900+4.99 EUR
2700+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.41 EUR
10000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FGA66XABMDQuectelMultiprotocol Modules Wi-Fi 6 (2.4GHz/5GHz), ?IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax, BLE 5.4, Thread 802.15.4, Antenna 1 1 (1T1R), 2 antennas, Wi-Fi application: SDIO 3.0, -40C +85C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
Power - Max: 201 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Gate Charge: 125 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N30TTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 300V, N-CHANNEL
Power - Max: 201 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Gate Charge: 125 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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FGA70N33BTDLDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA70N33BTDTUON SemiconductorDescription: IGBT 330V 149W TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30DTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
auf Bestellung 70390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FGA90N30DTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FGA90N30TUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N30TUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
262+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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FGA90N30TUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 219 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 87 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDonsemi PTTIGBT TO3PN 90A 330V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUonsemi / FairchildIGBTs 330V 90A PDP Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTU
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 95 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGA90N33ATTU
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33ATTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO-3P
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 95 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA90N33TFAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGAF20N60SMDFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FGAF20N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-3PF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600 V 40 A 62.5 W
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiDescription: IGBT 650V 20A TO-3PF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF20S65AQonsemiIGBT Transistors 650V 20A FS4 SA IGBT
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+5.3 EUR
120+4.33 EUR
510+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDonsemiIGBTs 600 V 80 A 79 W
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDONS/FAIIGBT 600V 80A 79W TO-3PF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.41 EUR
38+4.4 EUR
120+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON-SemiconductorIGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+16.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
30+6.01 EUR
120+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFON SemiconductorON Semiconductor PTPIGBT TO3PF 40A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors Ultrafast
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUON Semiconductor
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGAF40N60UFDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
107+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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