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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RD3G08CBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+3.12 EUR
100+2.49 EUR
250+2.28 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08CBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
63+3.71 EUR
100+2.51 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08DBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08DBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.59 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08DBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 40V 80A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.36 EUR
100+2.28 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08DBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G400GNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 40.0A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.23 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
10+2.59 EUR
100+2.02 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.24 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
On-state resistance: 6.3mΩ
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G500GNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 50.0A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G600GNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 60.0A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.34 EUR
10+3.44 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
83+2.81 EUR
123+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
10+2.51 EUR
100+1.96 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
107+2.18 EUR
139+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
120+1.94 EUR
168+1.27 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+2.28 EUR
100+1.77 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
118+1.96 EUR
154+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.71 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.96 EUR
100+2.31 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+3.09 EUR
100+2.43 EUR
500+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.091 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
127+1.69 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.091 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
94+2.49 EUR
127+1.69 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H080SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 4978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.26 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
100+1.81 EUR
250+1.62 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
84+2.78 EUR
109+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
108+1.59 EUR
126+1.33 EUR
200+1.24 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
112+1.93 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
85+2.74 EUR
115+1.87 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+3.21 EUR
100+2.5 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H160SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 15734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.49 EUR
100+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.3 EUR
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+2.07 EUR
100+1.69 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 2376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.99 EUR
100+2.4 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 6871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.43 EUR
100+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
101+2.31 EUR
136+1.58 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
101+2.31 EUR
136+1.58 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
10+2.95 EUR
100+2.3 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
11+1.9 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.06 EUR
250+1 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
108+2.15 EUR
162+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.06 EUR
250+1 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 29468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.64 EUR
100+1.25 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
108+2.15 EUR
162+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
108+1.59 EUR
161+1.05 EUR
200+0.96 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
85+2.74 EUR
120+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 18569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
auf Bestellung 4586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
88+1.95 EUR
100+1.82 EUR
200+1.69 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
120+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
250+1.48 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.74 EUR
116+1.48 EUR
250+1.44 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
73+3.2 EUR
106+2.03 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
10+2.48 EUR
100+1.96 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
106+2.03 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 60V 40A
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
83+2.81 EUR
125+1.71 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L03BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
125+1.71 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.67 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L04BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L04BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L04BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L04BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.37 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L04BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
92+2.53 EUR
142+1.51 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L04BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.02 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
128+1.82 EUR
154+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.9 EUR
25+2.45 EUR
100+1.94 EUR
250+1.69 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.36 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
128+1.82 EUR
154+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.82 EUR
103+2.27 EUR
153+1.4 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 5A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.96 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
115+2.02 EUR
162+1.33 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
auf Bestellung 1822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.43 EUR
100+2.28 EUR
250+2.14 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
50+3.51 EUR
100+3.02 EUR
200+2.75 EUR
500+2.46 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
61+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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