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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
VS-GP300TD60SVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GP400TD60SVishay SemiconductorsIGBT Transistors Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench P
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+294.54 EUR
12+293.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GP400TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 758A INT-A-PAK
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1563 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 758 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT, Trench
Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GR-10PL
Produktcode: 135411
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT-227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 893 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 258 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100DA120UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 187 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.13 EUR
10+59.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100DA120UFVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.76 EUR
10+58.89 EUR
100+58.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100DA120UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100DA120UF - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 187 A, 890 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 187A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+88.71 EUR
5+79.8 EUR
10+71.27 EUR
50+68.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100DA120UFVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+65.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100LA120UXVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 94 A, 230 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 94A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.57 EUR
5+64.72 EUR
10+55.54 EUR
50+51.81 EUR
100+48.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 94A 230W SOT-227
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Power - Max: 230 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 100A LS CHOPPR
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.64 EUR
10+60.8 EUR
100+53.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT-227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 463 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 180A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.8 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 652 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 160A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.71 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 417 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 96A INT-A-PAK IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 259 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 72A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 72A
Case: INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 96A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+162.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 185A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 185A
Case: INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 660A
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 247A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+190.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.53 EUR
10+120.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 247A INTA-PAK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 247 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 517 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100YG120UTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100YG120UTVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: ECONO3
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT105LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 463 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT105NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 463 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT120DA65UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 577 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT120DA65UVishay SemiconductorsIGBT Transistors SW Mod SOT-227 IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT140DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 652 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT140DA60UVishay SemiconductorsIGBTs 600 Volt 140 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 372A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+217.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.26 EUR
10+163.3 EUR
105+140.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 280A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 280A
Case: INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 750A
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 372 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 789 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+185.31 EUR
15+143.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150YG120NTVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: ECONO3
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 675A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT175DA120UVishayIGBT Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT175DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 1087 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 288 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT180DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.81 EUR
10+70 EUR
100+61.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT180DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 281A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+117.38 EUR
5+99.32 EUR
10+82.74 EUR
50+81.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT180DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+90.44 EUR
10+70.5 EUR
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VS-GT200TP065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TP065NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+165.56 EUR
10+145.08 EUR
105+123.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 517 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 193 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+156.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 193A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+197.6 EUR
5+181.68 EUR
10+166 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+193.04 EUR
10+184.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 476 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+244.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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VS-GT250SA60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.04 EUR
10+58.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 359A 750W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.16V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 359 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.72 EUR
10+58.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT250SA60SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 359A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.12 EUR
5+75.77 EUR
10+60.06 EUR
50+58.86 EUR
100+57.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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VS-GT300FD060NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300FD060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 379 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 23.3 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 1250 W
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+405.29 EUR
10+296.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.47V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 466 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 882 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300YH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+538.4 EUR
12+444.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300YH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1042 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300YH120NVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400LH060NVishayIGBT Modules INT-A-PAK 600V 400A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400LH060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 492A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 492 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1363 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+513.7 EUR
10+410.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 711A INT-A-PAK
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1364 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 711 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 600A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2119 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51.2 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2344 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 530A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 59A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.27 EUR
5+67.34 EUR
10+57.24 EUR
50+53.66 EUR
100+50.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 50A LS CHOPPR
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.01 EUR
10+62.77 EUR
100+54.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 59A 163W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 163 W
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 100A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.24 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 405 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50YF120NTVishay SemiconductorsIGBTs ECONO-4PACK IGBT MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+233.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT51YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+169.84 EUR
12+141.29 EUR
108+130.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.28 EUR
10+46.1 EUR
100+40.78 EUR
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VS-GT55LA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT
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1+61.34 EUR
10+50.84 EUR
100+47.84 EUR
500+44.38 EUR
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VS-GT55LA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55LA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+72.27 EUR
5+65.37 EUR
10+58.71 EUR
50+57.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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VS-GT55NA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-HI SIDE CHOPPER IGBT
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.37 EUR
10+50.84 EUR
100+47.84 EUR
500+44.38 EUR
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VS-GT55NA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55NA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+55.44 EUR
10+49.69 EUR
50+48.2 EUR
100+46.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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VS-GT55NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.28 EUR
10+46.1 EUR
100+40.78 EUR
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VS-GT600TH060SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75LA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.15 EUR
10+68.76 EUR
100+60.05 EUR
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VS-GT75LA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75LA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 231W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+100.41 EUR
5+83.91 EUR
10+65.82 EUR
50+60.56 EUR
100+55.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75LP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 543W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75NA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75NA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 231W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.82 EUR
5+64.26 EUR
10+54.49 EUR
50+50.1 EUR
100+45.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75NA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.98 EUR
10+60.19 EUR
100+52.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75NP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+246.97 EUR
12+228.65 EUR
252+214.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+222.97 EUR
12+191.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120UTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+243.56 EUR
12+213.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120UTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+257.84 EUR
12+238.71 EUR
252+224.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT76YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+220.73 EUR
12+183.62 EUR
108+169.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT80DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+83.22 EUR
5+74.02 EUR
10+65.31 EUR
50+62.31 EUR
100+59.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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