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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFHS8342TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-6
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.42 EUR
348+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.12 EUR
10+0.75 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.28 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF
Produktcode: 180301
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.41 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
auf Bestellung 22252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
23+0.77 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.34 EUR
8000+0.33 EUR
12000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
auf Bestellung 28042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
10+0.7 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.31 EUR
8000+0.3 EUR
12000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.89 EUR
230+0.63 EUR
290+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.34 EUR
8000+0.32 EUR
12000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TR2PBF
Produktcode: 57893
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.33 EUR
200+0.83 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1430+0.38 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
auf Bestellung 6267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.55 EUR
10+0.95 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.35 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1430+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
8000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.33 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NInternational RectifierN-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 49
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NInternational RectifierN-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 21087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.1 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 12927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.8 EUR
63+2.27 EUR
100+1.96 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.19 EUR
5000+1.04 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
50+2.32 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 12925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 11077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.09 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.97 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.76 EUR
123+1.18 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBF
Produktcode: 182563
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.14 EUR
131+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.89 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.31 EUR
120+1.21 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.43 EUR
4000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 17875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.15 EUR
131+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.89 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.31 EUR
119+1.21 EUR
500+1.04 EUR
1000+1 EUR
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.03 EUR
125+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI2807Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 40A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI3205
Produktcode: 83093
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
JHGF: THT
verfügbar: 5 St.
    1+1.26 EUR
    10+0.84 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205International RectifierN-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 45 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    10+5.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205GIR09+
    auf Bestellung 5030 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 64A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 63W
    Bauform - Transistor: TO-220FP
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 2271 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205PBFInternational RectifierTO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
    auf Bestellung 2790 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    64+2.3 EUR
    69+2.11 EUR
    100+2.05 EUR
    500+1.61 EUR
    1000+1.5 EUR
    2000+1.25 EUR
    Mindestbestellmenge: 64 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
    auf Bestellung 2793 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    65+2.27 EUR
    70+2.03 EUR
    100+1.95 EUR
    500+1.5 EUR
    1000+1.36 EUR
    2000+1.11 EUR
    Mindestbestellmenge: 65 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
    auf Bestellung 1048 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    136+1.08 EUR
    Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 64A 8mOhm 113.3nC
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 34A, 10V
    Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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    3+6.69 EUR
    50+3.37 EUR
    100+3.05 EUR
    500+2.48 EUR
    1000+2.3 EUR
    2000+2.15 EUR
    5000+1.99 EUR
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    193+2.85 EUR
    500+2.52 EUR
    1000+2.27 EUR
    Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    IRFI3205PBFInternational RectifierТранзистори
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    Mindestbestellmenge: 796 Stücke
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    IRFI3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    IRFI3205PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
    Case: TO220FP
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    Type of transistor: N-MOSFET
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Polarisation: unipolar
    Gate charge: 113.3nC
    On-state resistance: 8mΩ
    Gate-source voltage: ±20V
    Power dissipation: 48W
    Drain-source voltage: 55V
    Drain current: 56A
    auf Bestellung 30 Stücke:
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    19+3.79 EUR
    25+2.89 EUR
    30+2.39 EUR
    Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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    IRFI3306GPBFInternational RectifierDescription: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
    Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    Packaging: Bulk
    auf Bestellung 494 Stücke:
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    151+3 EUR
    Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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    IRFI3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
    auf Bestellung 25 Stücke:
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    		 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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    IRFI3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    500+3.13 EUR
    1000+2.89 EUR
    10000+2.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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