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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMTH10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 7025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.12 EUR
100+1.49 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.01 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
112+1.92 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.25 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.53 EUR
100+1.77 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
79+2.98 EUR
114+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 67972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H010SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
110+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
auf Bestellung 8655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.68 EUR
7500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
119+1.81 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 54980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
15+1.42 EUR
100+1.09 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.44 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
77+3.03 EUR
119+1.81 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SK3Q-13DiodesMOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 56A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 56A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 170000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
auf Bestellung 214744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
10+2.28 EUR
100+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.68 EUR
100+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.3 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 212500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+1.11 EUR
12500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
59+3.95 EUR
100+2.25 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 86435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.31 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H017LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1030000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.3 EUR
100+0.87 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.77 EUR
12500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 5425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.65 EUR
100+1.25 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
14+1.59 EUR
100+1.25 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 440000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.3 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
197+1.18 EUR
289+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T and R 2.5K
auf Bestellung 3344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.3 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
197+1.18 EUR
289+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H030LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H030LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO252-4L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+1.01 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
22+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T and R 2K
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
auf Bestellung 4771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H032SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.17 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H038SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 25A PWRDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H038SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H038SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 25A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H038SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H071LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
206+1.13 EUR
233+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
206+1.13 EUR
233+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7SPGW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7SPGWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7STLW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.02 EUR
24+9.82 EUR
100+6.64 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7STLW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.64 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7STLWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 85113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
10+7.63 EUR
100+5.64 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7STLWQ-13Diodes ZetexDiodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package.
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7STLWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H1M7STLWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.26 EUR
10+7.46 EUR
100+5.74 EUR
1000+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.02 EUR
19+12.48 EUR
100+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+6.71 EUR
100+5.43 EUR
500+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.22 EUR
39+5.99 EUR
100+5.22 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.79 EUR
10+7.58 EUR
25+6.97 EUR
100+6.18 EUR
250+5.78 EUR
500+5.4 EUR
1000+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.22 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H2M5STLWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.81 EUR
10+6.7 EUR
100+4.89 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H4M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H4M5LPSWDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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