Produkte > SCT

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT4013DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 105A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.33 EUR
30+29.55 EUR
120+25.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4013DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.0169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.5 EUR
10+39.46 EUR
50+37.19 EUR
100+34.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DTWRohm SemiconductorDescription: SIC FET TOP SIDE COOLING
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.24 EUR
10+41.36 EUR
100+40.7 EUR
1000+40.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.23 EUR
10+40.46 EUR
50+40.11 EUR
100+39.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.29 EUR
10+42.73 EUR
100+41.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+34.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+40.46 EUR
50+40.11 EUR
100+39.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.09 EUR
30+31.09 EUR
120+29.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+66.79 EUR
5+54.53 EUR
10+43.4 EUR
50+42.52 EUR
100+41.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.14 EUR
10+37.07 EUR
25+35.99 EUR
50+35.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.6 EUR
10+37.76 EUR
100+35.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.08 EUR
30+38.48 EUR
120+34.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4018KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+69.07 EUR
5+58.04 EUR
10+47.92 EUR
50+46.96 EUR
100+46.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.84 EUR
10+47.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
auf Bestellung 4197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.34 EUR
30+45.09 EUR
120+41.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4018KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+43.83 EUR
50+41.08 EUR
100+38.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4018KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+63.93 EUR
5+53.42 EUR
10+43.83 EUR
50+41.08 EUR
100+38.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.59 EUR
10+45.62 EUR
100+37.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.47 EUR
10+42.14 EUR
100+41.14 EUR
500+39.57 EUR
1000+36.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+29.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.24 EUR
10+36.57 EUR
100+34.91 EUR
500+34.89 EUR
1000+33.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4018KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.21 EUR
10+37.26 EUR
100+35.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4020DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 80A SIC
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.91 EUR
10+33.21 EUR
100+31.12 EUR
2000+29.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4020DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 80A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 500 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.79 EUR
10+33.86 EUR
100+31.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4020DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4020DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 750 V, 0.026 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+32.69 EUR
50+31.21 EUR
100+29.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4020DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 80A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4020DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4020DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 750 V, 0.026 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.66 EUR
6+41.23 EUR
10+32.69 EUR
50+31.21 EUR
100+29.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.86 EUR
7+35.44 EUR
10+28.66 EUR
50+26.37 EUR
100+24.95 EUR
250+24.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.13 EUR
10+21.17 EUR
100+20.44 EUR
450+20.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
auf Bestellung 4843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.2 EUR
30+23.95 EUR
120+20.82 EUR
510+20.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
10+22.62 EUR
100+21.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.79 EUR
30+30.24 EUR
120+26.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4026DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.53 EUR
8+31.77 EUR
10+26.45 EUR
50+24.68 EUR
100+22.87 EUR
250+22.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4026DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 750 V, 0.034 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.08 EUR
8+31.68 EUR
10+24.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4026DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 750 V, 0.034 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 61A SIC
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.76 EUR
10+26.26 EUR
100+23.45 EUR
1000+22.93 EUR
2000+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.65 EUR
10+23.79 EUR
100+22.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 3281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.2 EUR
10+27.31 EUR
450+20.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.85 EUR
10+24.92 EUR
100+23.2 EUR
450+23.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.99 EUR
10+33.26 EUR
100+27.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4026DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.63 EUR
10+38.08 EUR
50+37.32 EUR
100+36.57 EUR
250+35.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.99 EUR
9+26.23 EUR
11+20.11 EUR
50+19.71 EUR
100+19.3 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.23 EUR
11+20.11 EUR
50+19.71 EUR
100+19.3 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.18 EUR
10+27.1 EUR
100+24.78 EUR
500+24.59 EUR
1000+21.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.1 EUR
10+27.99 EUR
100+25.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.15 EUR
10+22.6 EUR
100+20.04 EUR
1000+17.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.14 EUR
10+25.48 EUR
11+20.33 EUR
50+18.91 EUR
100+17.5 EUR
250+17.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.48 EUR
11+20.33 EUR
50+18.91 EUR
100+17.5 EUR
250+17.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.15 EUR
10+23.5 EUR
100+20.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.7 EUR
10+20.93 EUR
100+17.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.28 EUR
12+18.48 EUR
50+17.41 EUR
100+16.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.66 EUR
10+26.41 EUR
100+21.99 EUR
500+19.62 EUR
1000+19.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.54 EUR
10+23.28 EUR
12+18.48 EUR
50+17.41 EUR
100+16.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.69 EUR
10+25.13 EUR
12+19.23 EUR
50+17.91 EUR
100+16.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.86 EUR
10+22.53 EUR
100+19.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.25 EUR
10+22.12 EUR
100+19.04 EUR
500+19.02 EUR
1000+17.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4026DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.13 EUR
12+19.23 EUR
50+17.91 EUR
100+16.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT403DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL .040" WITH 3" NOSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.79 EUR
10+15.65 EUR
100+13.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 42A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.47 EUR
30+15.46 EUR
120+13.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.39 EUR
10+16.04 EUR
100+14.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 42A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.07 EUR
30+15.85 EUR
120+13.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 46A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+15.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4036DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 750 V, 0.047 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.33 EUR
10+23.72 EUR
50+22.28 EUR
100+20.84 EUR
250+20.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 46A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31 EUR
10+21.91 EUR
100+18.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 46A SIC
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.49 EUR
10+24.75 EUR
100+20.63 EUR
500+18.77 EUR
2000+17.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4036DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 750 V, 0.047 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.72 EUR
50+22.28 EUR
100+20.84 EUR
250+20.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.54 EUR
10+15.66 EUR
100+12.46 EUR
1000+11.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+15.96 EUR
100+12.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.46 EUR
10+15.57 EUR
100+12.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 38A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.04 EUR
10+15.27 EUR
100+12.09 EUR
1000+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+32.83 EUR
50+24.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.93 EUR
7+36.81 EUR
10+29.4 EUR
50+29.24 EUR
100+29.07 EUR
250+28.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.13 EUR
10+22.13 EUR
450+22.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
auf Bestellung 4652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.69 EUR
30+24.28 EUR
120+21.12 EUR
510+20.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.43 EUR
5+36.44 EUR
10+34.18 EUR
50+28.08 EUR
100+25.04 EUR
200+24.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+32.83 EUR
50+24.28 EUR
250+23.67 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.89 EUR
7+36.59 EUR
10+31.64 EUR
50+29.11 EUR
100+23.29 EUR
250+22.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.87 EUR
10+30.73 EUR
100+24.61 EUR
450+24.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.6 EUR
10+28.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.2 EUR
10+33.87 EUR
50+31.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.84 EUR
10+29.79 EUR
100+25.61 EUR
450+23.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.69 EUR
10+27.68 EUR
450+20.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4036KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.71 EUR
8+29.31 EUR
10+22.65 EUR
50+21.69 EUR
100+20.73 EUR
250+20.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.96 EUR
10+23.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.6 EUR
30+24.89 EUR
120+21.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.51 EUR
8+29.95 EUR
10+23.13 EUR
50+21.29 EUR
100+19.15 EUR
250+18.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.56 EUR
10+23.81 EUR
100+20.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Nächste Seite >> ]