Produkte > SCT

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT4036KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.51 EUR
8+29.95 EUR
10+23.13 EUR
50+21.29 EUR
100+19.15 EUR
250+18.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.56 EUR
10+23.81 EUR
100+20.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.6 EUR
10+20.85 EUR
100+17.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4036KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.02 EUR
10+20.47 EUR
100+17.3 EUR
1000+16.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.74 EUR
8+29.4 EUR
10+22.79 EUR
50+19.94 EUR
100+19.49 EUR
250+19.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.61 EUR
10+13.99 EUR
100+13.61 EUR
450+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 500 V
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.1 EUR
10+18.24 EUR
450+12.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.68 EUR
10+18.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4045DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.09 EUR
15+15.85 EUR
16+13.76 EUR
50+11.72 EUR
100+11.7 EUR
250+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.93 EUR
10+15.57 EUR
100+14.47 EUR
450+12.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4045DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 750 V, 0.059 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.06 EUR
11+20.11 EUR
50+18.93 EUR
100+17.73 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4045DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 750 V, 0.059 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.49 EUR
10+25.06 EUR
11+20.11 EUR
50+18.93 EUR
100+17.73 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 37A SIC
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.57 EUR
10+18.64 EUR
100+15.43 EUR
1000+14.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 37A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.1 EUR
10+18.98 EUR
100+15.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 37A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.43 EUR
10+14.71 EUR
100+14.09 EUR
450+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
auf Bestellung 3515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.1 EUR
10+18.24 EUR
450+12.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4045DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.04 EUR
11+22.11 EUR
12+18.48 EUR
50+18.42 EUR
100+18.34 EUR
250+18.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.37 EUR
12+19.17 EUR
50+15.55 EUR
100+13.73 EUR
250+13.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.35 EUR
10+15.9 EUR
100+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.68 EUR
30+16.22 EUR
120+13.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.25 EUR
10+18.58 EUR
100+16.29 EUR
500+15.14 EUR
1000+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Power Dissipation (Max): 93W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.65 EUR
12+20.61 EUR
13+17.78 EUR
50+16.58 EUR
100+15.36 EUR
250+14.91 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.65 EUR
12+20.61 EUR
13+17.78 EUR
50+16.58 EUR
100+15.36 EUR
250+14.91 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.8 EUR
10+19.09 EUR
100+14.47 EUR
500+13.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.34 EUR
12+20.98 EUR
13+16.98 EUR
50+15.64 EUR
100+13.02 EUR
250+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.34 EUR
12+20.98 EUR
13+16.98 EUR
50+15.64 EUR
100+13.02 EUR
250+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.07 EUR
10+14.58 EUR
100+12.23 EUR
500+12.02 EUR
1000+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.35 EUR
10+15.49 EUR
100+12.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.76 EUR
12+20.4 EUR
14+15.55 EUR
50+14.3 EUR
100+11.3 EUR
250+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.93 EUR
10+15.21 EUR
100+12.02 EUR
1000+11.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.76 EUR
12+20.4 EUR
14+15.55 EUR
50+14.3 EUR
100+11.3 EUR
250+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.6 EUR
10+15.33 EUR
100+12.46 EUR
500+11.66 EUR
1000+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.85 EUR
10+15.12 EUR
100+11.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.9 EUR
14+17.39 EUR
17+13.33 EUR
50+12.08 EUR
100+10.84 EUR
250+10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4045DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.9 EUR
14+17.39 EUR
17+13.33 EUR
50+12.08 EUR
100+10.84 EUR
250+10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4050KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 32A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 800 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.41 EUR
30+16.08 EUR
120+13.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4050KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 32A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.04 EUR
30+16.49 EUR
120+14.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4050KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 32A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.23 EUR
10+19.59 EUR
100+16.92 EUR
450+16.02 EUR
900+13.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4050KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 32A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.94 EUR
10+17.89 EUR
100+14.89 EUR
450+13.26 EUR
900+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4050KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 29A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4050KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 29A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.9 EUR
10+15.89 EUR
100+12.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
auf Bestellung 4636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.64 EUR
30+16.17 EUR
120+13.89 EUR
510+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4062KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.24 EUR
12+20.96 EUR
14+15.32 EUR
50+14.09 EUR
100+12.72 EUR
250+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.23 EUR
25+13.39 EUR
50+12.57 EUR
100+11.85 EUR
250+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.8 EUR
10+13.4 EUR
100+12.92 EUR
450+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4062KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.99 EUR
11+19.55 EUR
50+17.99 EUR
100+14.54 EUR
250+14.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.02 EUR
10+16.02 EUR
100+13.32 EUR
450+13.28 EUR
900+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.2 EUR
10+20.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
10+14.35 EUR
100+14.28 EUR
450+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 4413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.64 EUR
10+18.65 EUR
450+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.81 EUR
10+24.28 EUR
11+20.94 EUR
50+19.54 EUR
100+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.25 EUR
10+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.99 EUR
11+19.55 EUR
50+17.99 EUR
100+14.54 EUR
250+14.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.15 EUR
10+17.58 EUR
100+14.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.25 EUR
10+19.1 EUR
100+15.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.73 EUR
10+18.74 EUR
100+15.57 EUR
1000+14.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.49 EUR
10+21.44 EUR
50+19.71 EUR
100+17.97 EUR
250+17.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+12.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.44 EUR
50+19.71 EUR
100+17.97 EUR
250+17.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.28 EUR
12+19.28 EUR
50+17.67 EUR
100+16.06 EUR
250+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.15 EUR
10+16.09 EUR
100+12.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.28 EUR
12+19.28 EUR
50+17.67 EUR
100+16.06 EUR
250+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.71 EUR
10+15.79 EUR
100+12.59 EUR
1000+11.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.26 EUR
11+16.54 EUR
50+14.34 EUR
100+11.86 EUR
200+11.21 EUR
500+9.76 EUR
1000+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.4 EUR
12+19.35 EUR
15+14.83 EUR
50+13.65 EUR
100+11.59 EUR
250+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.9 EUR
10+17.93 EUR
25+16.26 EUR
100+14.91 EUR
250+14.05 EUR
500+13.17 EUR
1000+11.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.76 EUR
10+15.8 EUR
100+12.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.86 EUR
500+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.4 EUR
12+19.35 EUR
15+14.83 EUR
50+13.65 EUR
100+11.59 EUR
250+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWATLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.79 EUR
15+15.9 EUR
18+12.36 EUR
50+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.05 EUR
11+16.27 EUR
50+14.11 EUR
100+11.66 EUR
200+11.01 EUR
500+9.46 EUR
1000+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWATLROHMDescription: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.79 EUR
15+15.9 EUR
18+12.36 EUR
50+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.6 EUR
50+10.5 EUR
100+9.35 EUR
250+9.09 EUR
500+8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4062KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.61 EUR
10+15.41 EUR
100+11.54 EUR
500+10.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+13.7 EUR
100+11.41 EUR
450+9.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 25A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.15 EUR
30+11.94 EUR
120+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.15 EUR
10+14.08 EUR
100+11.77 EUR
450+9.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4065DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 750 V, 0.085 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.44 EUR
14+17.17 EUR
17+13.33 EUR
50+12.51 EUR
100+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 26A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.49 EUR
10+15.59 EUR
100+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4065DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 750 V, 0.085 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.44 EUR
14+17.17 EUR
17+13.33 EUR
50+12.51 EUR
100+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 26A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 26A SIC
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.07 EUR
10+15.32 EUR
100+12.13 EUR
1000+12.09 EUR
2000+11.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 25A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.5 EUR
30+10.27 EUR
120+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 25A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.93 EUR
30+10.53 EUR
120+8.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.86 EUR
10+11.52 EUR
100+8.51 EUR
1000+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
10+11.73 EUR
100+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 22A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 71W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.15mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 500 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.78 EUR
10+11.46 EUR
100+8.44 EUR
500+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4065DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.46 EUR
10+11.25 EUR
100+8.29 EUR
500+8.25 EUR
1000+7.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT407DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL .040" WITH 7" NOSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4090KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 19A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.44mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 800 V
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.29 EUR
30+12.04 EUR
120+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4090KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 19A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.44mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.78 EUR
30+12.35 EUR
120+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Nächste Seite >> ]