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DMN3010LFG-7

Description: DIODES INC. - DMN3010LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 6500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
169+	1.38 EUR
258+	0.83 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
10000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF

auf Bestellung 4748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.62 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.55 EUR
2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 777500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13
Produktcode: 191700

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1369 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.96 EUR
185+	1.26 EUR
271+	0.8 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	2.07 EUR
16+	1.31 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1369 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.96 EUR
185+	1.26 EUR
271+	0.8 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LSS

Diodes Incorporated

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A

auf Bestellung 1832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V

auf Bestellung 194584 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.68 EUR
18+	1.2 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V

auf Bestellung 192500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3011LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.58W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3011LSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.58W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.35 EUR
5000+	0.32 EUR
7500+	0.31 EUR
12500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3011LSSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 1347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.55 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.35 EUR
5000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 1K

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.65 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 719 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.03 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LEG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3012LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3013LDG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3013LDG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.16W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN3013LDG-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; Idm: 80A; 1.25W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17.7mΩ

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DMN3013LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

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DMN3013LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.82 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)

auf Bestellung 1602 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.7 EUR
20+	1.06 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A

auf Bestellung 2564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.32 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DMN3015LSD-13

Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1427 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.78 EUR
200+	1.17 EUR
300+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 140 Stücke

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DMN3015LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

377+	0.46 EUR
401+	0.43 EUR
407+	0.4 EUR
496+	0.32 EUR
499+	0.3 EUR
510+	0.29 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 377 Stücke

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DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3015LSD-13

Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1427 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.78 EUR
200+	1.17 EUR
300+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 140 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDN-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMN3016LDN-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-8 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V

auf Bestellung 163878 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.05 EUR
24+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V

auf Bestellung 162000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

auf Bestellung 3146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.07 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.89 EUR
212+	1.09 EUR
324+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.89 EUR
212+	1.09 EUR
324+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.86 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.54 EUR
2000+	0.46 EUR
4000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDE-13

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.71 EUR
470+	0.5 EUR
893+	0.24 EUR
971+	0.23 EUR
1026+	0.21 EUR
5000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 350 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

MOSFETs N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

auf Bestellung 6930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.61 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.24 EUR
1000+	0.21 EUR
10000+	0.19 EUR
20000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 268632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.63 EUR
44+	0.48 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.2 EUR
5000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDE-13

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.71 EUR
470+	0.5 EUR
893+	0.24 EUR
971+	0.23 EUR
1026+	0.21 EUR
5000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 350 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 250000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	1.26 EUR
319+	0.73 EUR
642+	0.33 EUR
676+	0.32 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 198 Stücke

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DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN3016LFDE-7

MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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DMN3016LFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	1.26 EUR
319+	0.73 EUR
642+	0.33 EUR
676+	0.32 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 198 Stücke

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DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

auf Bestellung 4977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.55 EUR
22+	0.95 EUR
27+	0.8 EUR
50+	0.7 EUR
100+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

auf Bestellung 14605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.83 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.36 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMN3016LFDF-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMN3016LFDF-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 14398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.32 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 4024 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

159+	1.57 EUR
252+	0.93 EUR
384+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
1500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 159 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

auf Bestellung 17900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.34 EUR
26+	0.82 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3054 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	1.57 EUR
271+	0.86 EUR
388+	0.55 EUR
511+	0.42 EUR
1500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.26 EUR
15000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-7-90

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 504000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDF-7-90

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDFQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDFQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDFQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LFDFQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

auf Bestellung 26163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.59 EUR
22+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC

auf Bestellung 3266 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.35 EUR
5000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR
7500+	0.35 EUR
12500+	0.32 EUR
17500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF

auf Bestellung 2836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.89 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.35 EUR
2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 4087 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
29+	0.73 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
30+	0.71 EUR
100+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3016LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 9178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.43 EUR
23+	0.94 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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DMN3016LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W

auf Bestellung 6391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.32 EUR
5000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DMN3016LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.31 EUR
7500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN3018SFG-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF

auf Bestellung 177 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DMN3018SFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 33796 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.9 EUR
35+	0.61 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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DMN3018SFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
15000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3018SFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V

auf Bestellung 16005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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DMN3018SFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.94 EUR
29+	0.74 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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DMN3018SFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMN3018SFG-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF

auf Bestellung 6469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.99 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
2000+	0.24 EUR
4000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMN3018SFGQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

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