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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP02N120P
Produktcode: 161462
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.03 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PIXYSMOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+3.77 EUR
100+3.31 EUR
500+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
55+3.14 EUR
100+2.98 EUR
250+2.82 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.57 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DN-Channel, Depletion Mode, 500V, 200mA, 30 Ohm, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP03N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+4.32 EUR
100+3.77 EUR
500+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
50+4.39 EUR
100+3.99 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MIXYSMOSFETs 0.5 Amps 1000V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+5.7 EUR
100+4.99 EUR
500+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
50+5.8 EUR
100+5.28 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.12 EUR
2000+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100PIXYSMOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.42 EUR
10+6.62 EUR
100+6.01 EUR
500+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+2.73 EUR
100+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.77 EUR
50+3.95 EUR
100+3.58 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+3.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
50+2.81 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.51 EUR
100+5.01 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO220AB; 900ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 25Ω
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 50W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
50+4.08 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.56 EUR
22+3.93 EUR
27+3.21 EUR
50+2.58 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+3.81 EUR
100+3.25 EUR
500+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2
Produktcode: 208088
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP08N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
43+5.4 EUR
100+3.24 EUR
250+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+4.9 EUR
100+3.64 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.75 EUR
2500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
50+3.32 EUR
100+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
38+2.25 EUR
50+1.98 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N15X4IXYSMOSFETs TO220 150V 100A N-CH HIPER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTP100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 97ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+7.31 EUR
100+5.37 EUR
500+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
50+5.5 EUR
100+4.71 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PMOSFET P-CH 500V 10A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.22 EUR
50+7.71 EUR
100+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.51 EUR
50+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.4 EUR
18+12.99 EUR
22+9.96 EUR
50+7.9 EUR
100+7.26 EUR
250+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
50+3.4 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Reverse recovery time: 38ns
On-state resistance: 6.6mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 180W
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.44 EUR
23+3.81 EUR
26+3.39 EUR
32+2.73 EUR
36+2.38 EUR
38+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
52+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+4.05 EUR
100+3.39 EUR
500+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Reverse recovery time: 35ns
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2IXYSMOSFETs 120 Amps 75V
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+5.59 EUR
100+5.46 EUR
500+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2
Produktcode: 207087
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.7mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2IXYS/LittelfuseP-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4740, Qg, нКл = 78, Rds = 7,7 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N20X4IXYSDescription: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.25 EUR
50+11.3 EUR
100+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N20X4IXYSMOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.34 EUR
10+11.35 EUR
100+10.47 EUR
500+10.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N20X4LittelfuseIXTP120N20X4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.11 EUR
28+8.59 EUR
100+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.76 EUR
10+10.56 EUR
100+9.53 EUR
500+8.21 EUR
1000+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.53 EUR
50+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
23+3.81 EUR
26+3.37 EUR
50+3.05 EUR
250+3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50PIXYSMOSFETs 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50PMLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50PMIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1830, Qg, нКл = 29, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 5,5 В, Р, Вт = 50 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50PMIXYSMOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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