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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTN60N50L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+102.05 EUR
5+92.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+107.64 EUR
10+90.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LIXYSMOSFET Modules 62 Amps 500V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+171.11 EUR
10+137.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L
Produktcode: 29989
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4IXYSMOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.51 EUR
10+52 EUR
100+45.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+71.2 EUR
10+60.96 EUR
30+52.18 EUR
100+48.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4. - MOSFET, N-CH, 40V, 660A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.49 EUR
5+70.96 EUR
10+62.84 EUR
25+58.26 EUR
100+53.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN79N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN79N20IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN79N20IXYSMOSFET Modules 79 Amps 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 485ns
Gate charge: 660nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 7.5A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150LIXYSMOSFET Modules 8 Amps 1500V
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2IXYSMOSFET Modules 90 Amps 250V
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.3 EUR
10+69.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+112.38 EUR
5+98.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+110.1 EUR
10+83.82 EUR
50+75.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.16 EUR
10+59.89 EUR
50+51.27 EUR
100+50.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20PIXYSMOSFET Modules -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.36 EUR
10+58.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+12.29 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
On-state resistance: 80Ω
Reverse recovery time: 2ns
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.39 EUR
10+10.34 EUR
50+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.41 EUR
11+16.49 EUR
50+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.99 EUR
10+12.32 EUR
50+9.89 EUR
100+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP01N100D. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.17 EUR
25+14.07 EUR
100+9.29 EUR
250+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.46 EUR
58+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
auf Bestellung 7095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
50+4.06 EUR
100+3.68 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.61 EUR
5000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P
Produktcode: 161462
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 75Ω
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.28 EUR
55+3.11 EUR
100+2.94 EUR
250+2.78 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PIXYSMOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+3.77 EUR
100+3.31 EUR
500+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DN-Channel, Depletion Mode, 500V, 200mA, 30 Ohm, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.57 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP03N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.35 EUR
10+5.51 EUR
50+4.28 EUR
100+3.89 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+4.16 EUR
100+3.86 EUR
500+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
10+7.34 EUR
50+5.78 EUR
100+5.27 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MIXYSMOSFETs 0.5 Amps 1000V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+5.7 EUR
100+4.99 EUR
500+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100PIXYSMOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.42 EUR
10+6.62 EUR
100+6.01 EUR
500+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.32 EUR
10+6.18 EUR
50+4.82 EUR
100+4.39 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+2.73 EUR
100+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
50+2.81 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+3.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO220AB; 900ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 25Ω
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 50W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.51 EUR
100+5.01 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+4.02 EUR
100+3.53 EUR
500+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.25 EUR
50+4.07 EUR
100+3.69 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.4 EUR
33+5.2 EUR
50+4.08 EUR
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.56 EUR
22+3.93 EUR
27+3.21 EUR
50+2.58 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2
Produktcode: 208088
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP08N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
39+6.01 EUR
48+4.47 EUR
63+3.43 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP100N04T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 7000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
31+7.59 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.51 EUR
27+3.18 EUR
50+2.43 EUR
100+2.06 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.77 EUR
100+3.64 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
50+3.32 EUR
100+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N15X4IXYSMOSFETs TO220 150V 100A N-CH HIPER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 97ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
50+5.5 EUR
100+4.71 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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