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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DI022P06D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs DPAK, P, -60V, -22A, 45m?, 150C, AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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500+1.08 EUR
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2500+0.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DI022P06D1-QDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16.1A; Idm: 60A; 43W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI024N15D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; Idm: 68A; 60W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 60W
Pulsed drain current: 68A
Case: DPAK; TO252AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06BPTDiotec Semiconductor PowerQFN 3x3, N, 65V, 25A, 21m, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06BPTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 25A; Idm: 100A; 20W; PQFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 20W
Case: PQFN3X3
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 4788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.55 EUR
249+0.35 EUR
309+0.27 EUR
336+0.25 EUR
374+0.23 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.57 EUR
439+0.52 EUR
488+0.44 EUR
582+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N20PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
5000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI025N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028N10PQ2Diotec SemiconductorDescription: DI028N10PQ2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028N10PQ2Diotec Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028N10PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
76+3.08 EUR
100+2.42 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.8 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028N10PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+2.42 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.8 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028P03PTDiotec SemiconductorDescription: IC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI028P03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI02HApemDIP Switches/SIP Switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI030N03D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI030N03D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
206+1.13 EUR
343+0.63 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI030N03D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI030N03D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
206+1.13 EUR
343+0.63 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI030N03D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI032N03PTKDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI034N10PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N06PQ2Diotec Semiconductor PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 35A, 15m?, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N06PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N06PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
90+2.59 EUR
133+1.62 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N06PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N06PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N06PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
133+1.62 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.46 EUR
100+0.88 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.36 EUR
100+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
94+0.9 EUR
144+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035N10PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
279+0.83 EUR
325+0.65 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P02PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 52W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 52W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
143+0.6 EUR
159+0.54 EUR
180+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P02PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P02PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 3900 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
159+1.46 EUR
192+1.12 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.19 EUR
100+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
187+1.25 EUR
278+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 4474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
187+1.25 EUR
278+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
182+1.27 EUR
284+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.96 EUR
100+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI035P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 4954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
182+1.27 EUR
284+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI036N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 200V, 36A,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.59 EUR
100+1.56 EUR
500+1.55 EUR
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2500+1.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
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 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8-POWERVDFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8-POWERVDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.56 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.71 EUR
100+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.007 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.86 EUR
320+0.73 EUR
372+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1Diotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 100V, 40A, 15m?, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17M,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1192 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 37.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 37.5W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 38.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17M,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1192 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N10D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17m, 175C, AEC-Q101
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.58 EUR
100+0.95 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
136+1.71 EUR
157+1.37 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.78 EUR
152+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.49 EUR
184+1.26 EUR
214+1 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI045N03PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 280A; 16W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 16W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI045N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5000 Stücke:
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12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI045N03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI045N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N, AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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