Produkte > FF2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 200A Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KES4 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KS4 | EUPEC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FF200R12KS4 Produktcode: 51740
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| Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4, | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KS4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 1.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 275A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 275A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon | FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4 IGBT MOD 1200V 275A 1400W Силові IGBT-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Medium Power 62mm IGBT-Module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 295A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KT4 | INFINEON | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.1kW Verlustleistung: 1.1kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 320A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 320A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon | FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4 IGBT MOD 1200V 320A 1100W Силові IGBT-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12MT4 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 295 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12MT4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 1050 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12W2T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 165 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 165A Produktpalette: EasyDUAL Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3 | EUPEC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FF200R17KE3 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 390A | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R17KE3HDLA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 1250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 310 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-62MMHB NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Single Switch Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 310A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon | FF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3 IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Силові IGBT-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 1700V | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon | FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4 IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Силові IGBT-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 1.25kW Verlustleistung: 1.25kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 310A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | FF200R17KE4PHPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 1250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 310 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-62MMHB NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R33KF2 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R33KF2C | Infineon | Силові IGBT-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R33KF2C Produktcode: 107908
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
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| FF200R33KF2C | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 200A DUAL | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 2200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF20L | TELESTE | Category: F connectors Description: Connector: F; terminator; male; 75Ω Kind of connector: male Connector: terminator Wave impedance: 75Ω Type of connector: F | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2100 | QFP | auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FF225R12ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 325A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Part Status: Not For New Designs IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Part Status: Not For New Designs IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 225A | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF225R12ME4 | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-4 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF225R12 - IGBT MODULE | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME4BDLA1 | Infineon Technologies | Description: FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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