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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.56 EUR
71+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF-3
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 64 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/193ns
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WAG - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
104+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.41 EUR
10+9.01 EUR
120+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 66518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+8.59 EUR
100+8.03 EUR
500+7.46 EUR
1000+6.89 EUR
10000+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
auf Bestellung 66548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 291570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WGonsemiIGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+7.91 EUR
120+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 91ns/228ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120IHLWGONS/FAIIGBT 1200V 50A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120IHLWGonsemiIGBTs IGBT 1200V 25A FS1 Induction Heating
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 50A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120LWGonsemiIGBT Transistors 1200/25A IGBT LPT TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/235ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120SWGON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
Power - Max: 452 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 220 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.17 EUR
10+14.72 EUR
30+13.72 EUR
120+12.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120FL2WG - TRANSISTOR, IGBT, 2V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHLWGON Semiconductor
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHRonsemionsemi 1200V/30A RC IGBT FSII TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A RC IGBT FSII
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHRWGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 384W TO247
Power - Max: 384 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 225 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHSWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120IHSWG - IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
auf Bestellung 5342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
134+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHSWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 192 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 220 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120L2WG - TRANSISTOR, IGBT, 1.7V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120L2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 534W TO247
Part Status: Active
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Gen Mkt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 560 W
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
79+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Power - Max: 560 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHRonsemionsemi 1350V/30A IGBT FSII TO-24
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHR1WGON SemiconductorIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHR1WG
Produktcode: 129042
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHR1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+7 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+9.7 EUR
30+9.17 EUR
120+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N135IHRWGON Semiconductor
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N140IHR3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1400V 60A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N140IHR3WGonsemionsemi 1400V, 30A, IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode IGBT - 1400 V 30 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FLWGON Semiconductor
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FLWGON SemiconductorDescription: IGBT 600V 60A 250W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FLWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FWGON Semiconductor
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60FWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 7834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
99+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/30A IGBT FS1 IH TO-2
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60IHLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 600V 30A IGBT TO-247
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.17 EUR
30+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 225 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 166 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60SWG - 600V-30A IGBT FSI TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60SWGON Semiconductor
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB30N65IHL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.32 EUR
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NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NGTB30N65IHL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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NGTB35N60FL2onsemionsemi 600V/35A FAST IGBT FSII T
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NGTB35N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
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NGTB35N60FL2WGON Semiconductor
auf Bestellung 100 Stücke:
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NGTB35N60FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/35A FAST IGBT FSII T
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NGTB35N60FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NGTB35N65FL2WGonsemiIGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 7 Stücke:
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1+12.98 EUR
10+6.83 EUR
120+5.68 EUR
540+5.51 EUR
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NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NGTB35N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 125nC
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.34 EUR
13+6.77 EUR
20+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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NGTB35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
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NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
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34+5.16 EUR
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