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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	2.78 EUR
100+	1.92 EUR
200+	1.59 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

auf Bestellung 815 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.19 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5051 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.12 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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RQ3E180BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 2429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.09 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180BNTB

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3E180BNTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

auf Bestellung 5885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.88 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.42 EUR
3000+	1.36 EUR
6000+	1.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.81 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.3 EUR
20+	1.06 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 2994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G100GNTB

Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4592 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.64 EUR
224+	1.04 EUR
326+	0.65 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.32 EUR
15000+	0.31 EUR
21000+	0.3 EUR
30000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G100GNTB

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

auf Bestellung 18354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.99 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

auf Bestellung 48879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.55 EUR
22+	0.96 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G110ATTB

MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A

auf Bestellung 2253 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.44 EUR
3000+	1.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm

auf Bestellung 2404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.37 EUR
112+	1.92 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 7975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.62 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm

auf Bestellung 2404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.59 EUR
69+	3.37 EUR
112+	1.92 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G110ATTB

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G120BJFRATCB

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.83 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.82 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.33 EUR
11+	2.06 EUR
25+	1.73 EUR
100+	1.34 EUR
250+	1.15 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G120BKFRATCB

MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.08 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.82 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G150GNTB

MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET

auf Bestellung 3905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.06 EUR
3000+	0.99 EUR
6000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

auf Bestellung 1402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.39 EUR
125+	1.73 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.12 EUR
98+	2.39 EUR
125+	1.73 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G270BKFRATCB

MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.21 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3G270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 9600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	3.97 EUR
98+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L050GNTB

Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	2.12 EUR
167+	1.39 EUR
252+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 118 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L050GNTB

auf Bestellung 2740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	2.12 EUR
167+	1.39 EUR
252+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 118 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L050GNTB

MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L060BGTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 60V

auf Bestellung 2762 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.51 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.11 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.79 EUR
6000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
134+	1.61 EUR
500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

auf Bestellung 7279 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.58 EUR
10+	2.3 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L070ATTB

MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET

auf Bestellung 10467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.21 EUR
3000+	1.14 EUR
6000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.34 EUR
91+	2.57 EUR
134+	1.61 EUR
500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1 EUR
6000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L070BGTB1

MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G

auf Bestellung 5770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.75 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

auf Bestellung 17670 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.68 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L090GNTB

MOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET

auf Bestellung 5150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.36 EUR
11+	2.07 EUR
25+	1.74 EUR
100+	1.36 EUR
250+	1.17 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 2795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.87 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.88 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 3090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.12 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L120BLFRATCB

MOSFETs HSMT N CHAN 60V

auf Bestellung 2030 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L270BJFRATCB

Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L270BJFRATCB

Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.42 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L270BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	0.96 EUR
6000+	0.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L270BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.01 EUR
6000+	1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3L270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0146 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

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RQ3L270BLFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.9 EUR
80+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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RQ3L270BLFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.01 EUR
6000+	1 EUR

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RQ3N025ATTB1

MOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.5 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RQ3N025ATTB1

Description: ROHM - RQ3N025ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 7 A, 0.24 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	3.09 EUR
150+	1.56 EUR
227+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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RQ3N040ATTB1

MOSFETs HSMT8 P CHAN 80V

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.95 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RQ3N060ATTB1

Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3N060ATTB1

MOSFETs HSMT8 P-CH 80V 6A

auf Bestellung 2884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3N060ATTB1

Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V

auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.64 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

auf Bestellung 2247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.88 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P045ATTB1

Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.03 EUR
104+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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RQ3P045ATTB1

MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.

auf Bestellung 2619 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.08 EUR
10+	2.56 EUR
100+	2.05 EUR
250+	1.88 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.55 EUR
3000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P045ATTB1

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.4 EUR
77+	3.03 EUR
104+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P120BKFRATCB

MOSFETs Nch 100V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

auf Bestellung 2680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.12 EUR
3000+	0.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P120BLFRATCB

MOSFETs HSMT N CHAN 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.25 EUR
10+	2.64 EUR
25+	2.23 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.52 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	4.68 EUR
84+	2.78 EUR
125+	1.73 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
118+	1.82 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.08 EUR
6000+	2 EUR
9000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P300BHTB1

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

auf Bestellung 4794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.37 EUR
10+	3.69 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.03 EUR
3000+	1.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3P300BHTB1