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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| DMN3023L-7 | Diodes | MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3023L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A | auf Bestellung 127396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3023L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3023L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 9498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3023L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3023L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3023L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V | auf Bestellung 273000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3023L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 5.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 28mΩ | auf Bestellung 7829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3023L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3024LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3024LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V | auf Bestellung 13534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL | auf Bestellung 7991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.78A; Idm: 46.5A; 2.17W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.78A Pulsed drain current: 46.5A Power dissipation: 2.17W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.9nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3024LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3024LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3024LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A | auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3024SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Power dissipation: 1.4W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A Gate charge: 10.5nC | auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K | auf Bestellung 3576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 13.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.3W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | auf Bestellung 179882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3025LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | auf Bestellung 177000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3025LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.3W Gate charge: 13.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.3W Gate charge: 11.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.3W Gate charge: 11.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 248000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 249949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 20837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 2655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 9.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 9.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | auf Bestellung 164826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | auf Bestellung 162500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.1W Gate charge: 13.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF | auf Bestellung 4541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 261 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) | auf Bestellung 3489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 261 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 300018000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 300018000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 2967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 300018000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 18854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 580 @ 15, Qg, нКл = 11,3 @ 10 В, Rds = 18,6 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerDI3333-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 8655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3028LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.4W Gate charge: 10.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3028LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN3029LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W | auf Bestellung 2068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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