Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN3025LFV-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 9.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 2655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 20837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 9.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | auf Bestellung 162500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.1W Gate charge: 13.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | auf Bestellung 164826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) | auf Bestellung 3489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF | auf Bestellung 4541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 261 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 261 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3026LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 300018000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 300018000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 2967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | auf Bestellung 300018000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 18854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 580 @ 15, Qg, нКл = 11,3 @ 10 В, Rds = 18,6 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerDI3333-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A | auf Bestellung 3972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 8655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 46659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3028LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.4W Gate charge: 10.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W | auf Bestellung 2068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3030LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3030LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3030LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CH 30V VDSS 25V VGSS | auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3030LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3030LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3030LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3030LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3030LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V | auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3030LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.75A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V | auf Bestellung 107089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC | auf Bestellung 17605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 486-490 Tag (e) |
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| DMN3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 11366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W | auf Bestellung 69531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | auf Bestellung 15645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W | auf Bestellung 5314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 820mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 820mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6/SWP(Type B) T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LFDBWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 820mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 820mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 820mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 820mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 820mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 820mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3032LFDBWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6/SWP(Type B) T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3032LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |