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IPT60R037CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.32 EUR
20+	11.95 EUR
100+	8.91 EUR
500+	7.93 EUR
1000+	7.5 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

auf Bestellung 2292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.24 EUR
10+	12.51 EUR
50+	10.06 EUR
100+	9.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R037CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.32 EUR
20+	11.95 EUR
100+	8.91 EUR
500+	7.93 EUR
1000+	7.5 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 2644 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.33 EUR
10+	11.85 EUR
100+	8.84 EUR
500+	8.77 EUR
1000+	8.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	7.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.42 EUR
10+	11.94 EUR
100+	8.9 EUR
1000+	8.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R040S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V

auf Bestellung 1313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.07 EUR
10+	8.85 EUR
100+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R040S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.67 EUR
21+	11.09 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET, SJS7 Power Device

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 577 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.91 EUR
10+	12.29 EUR
100+	9.2 EUR
1000+	8.88 EUR
2000+	8.6 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.35 EUR
19+	9 EUR
100+	6.58 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	21.37 EUR
14+	16.73 EUR
18+	12.58 EUR
50+	11.08 EUR
100+	9.58 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

auf Bestellung 3758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.18 EUR
10+	9.64 EUR
100+	7.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	21.37 EUR
14+	16.73 EUR
18+	12.58 EUR
50+	11.08 EUR
100+	9.58 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.69 EUR
16+	14.95 EUR
19+	11.54 EUR
50+	9.79 EUR
100+	7.95 EUR
250+	7.79 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	7.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.69 EUR
16+	14.95 EUR
19+	11.54 EUR
50+	9.79 EUR
100+	7.95 EUR
250+	7.79 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V

auf Bestellung 4516 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.8 EUR
10+	12.21 EUR
100+	9.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.46 EUR
10+	13.74 EUR
100+	11.46 EUR
500+	10.2 EUR
1000+	9.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R055CFD7

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

auf Bestellung 1746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.63 EUR
10+	8.52 EUR
100+	6.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 2522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.54 EUR
10+	8.07 EUR
100+	6.37 EUR
500+	6.03 EUR
1000+	5.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.51 EUR

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IPT60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

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IPT60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT60R055CM8

Infineon Technologies

HIGH POWER_NEW

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IPT60R055CM8XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT60R055CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.51 EUR
500+	5.06 EUR
1000+	4.71 EUR

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IPT60R055CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

auf Bestellung 1683 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.34 EUR
10+	8.73 EUR
100+	6.43 EUR
500+	5.71 EUR
1000+	5.09 EUR

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IPT60R055CM8XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1990 Stücke:

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24+	7.25 EUR
30+	5.69 EUR
31+	5.51 EUR
100+	4.31 EUR
250+	4.2 EUR
500+	3.96 EUR
1000+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IPT60R055CM8XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	7.25 EUR
30+	5.57 EUR
31+	5.31 EUR
100+	4.08 EUR
250+	3.88 EUR
500+	3.57 EUR
1000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IPT60R055CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.34 EUR
28+	8.31 EUR
100+	5.51 EUR
500+	5.06 EUR
1000+	4.71 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPT60R065S7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPT60R065S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm

auf Bestellung 119 Stücke:

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100+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V

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IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 5739 Stücke:

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66+	2.62 EUR
67+	2.49 EUR
68+	2.36 EUR
100+	2.24 EUR
250+	2.11 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.87 EUR
3000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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IPT60R065S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.57 EUR
29+	8.26 EUR
100+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2589 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	4.38 EUR
500+	4.11 EUR
1000+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 148 Stücke

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IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.13 EUR
10+	7.94 EUR
100+	5.87 EUR
500+	5.21 EUR
1000+	4.61 EUR

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IPT60R065S7XTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IPT60R065S7XTMA1
Produktcode: 213119

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 5739 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.62 EUR
67+	2.55 EUR
68+	2.45 EUR
100+	2.36 EUR
250+	2.28 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	2.13 EUR
3000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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IPT60R070CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.64 EUR
10+	6.41 EUR
100+	4.57 EUR
500+	4.06 EUR
2000+	3.8 EUR

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IPT60R070CM8XTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 245W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R070CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R070CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.5 EUR
33+	7.1 EUR
100+	4.66 EUR
500+	4.15 EUR
1000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

auf Bestellung 1099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.44 EUR
10+	8.04 EUR
100+	5.81 EUR
500+	4.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.2 EUR
10+	8.57 EUR
100+	6.47 EUR
500+	6.14 EUR
1000+	5.81 EUR
2000+	5.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.53 EUR
10+	8.54 EUR
100+	6.66 EUR
500+	6.37 EUR
1000+	5.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

auf Bestellung 5341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.4 EUR
10+	9.04 EUR
100+	6.58 EUR
500+	5.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R090CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.074 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.49 EUR
26+	8.98 EUR
100+	6.69 EUR
500+	6.3 EUR
1000+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.12 EUR
10+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPT60R090CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.074 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.49 EUR
26+	8.98 EUR
100+	6.69 EUR
500+	6.3 EUR
1000+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPT60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.47 EUR
10+	6.28 EUR
100+	5.09 EUR
500+	4.25 EUR
1000+	3.94 EUR
2000+	3.69 EUR

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IPT60R099CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPT60R099CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IPT60R099CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 1466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.64 EUR
10+	4.99 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	3.01 EUR
2000+	2.83 EUR

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IPT60R099CM8XTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 186W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IPT60R099CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPT60R099CM8XTMA1
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER NEW

auf Bestellung 1853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.01 EUR
10+	6.06 EUR
100+	4.66 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	4.08 EUR
2000+	3.83 EUR

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IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.06 EUR
10+	6.69 EUR
100+	4.78 EUR
500+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

auf Bestellung 332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.16 EUR
10+	5.4 EUR
100+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPT60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.34 EUR
10+	4.84 EUR
100+	4.41 EUR
500+	4.05 EUR
1000+	3.89 EUR
2000+	3.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IPT60R120CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 1918 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.68 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.48 EUR
2000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R120CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPT60R120CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.59 EUR
10+	4.31 EUR
100+	3 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R120CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPT60R120CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER NEW

auf Bestellung 1945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.25 EUR
10+	5.38 EUR
25+	4.63 EUR
100+	3.88 EUR
250+	3.86 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R145CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.34 EUR
10+	4.77 EUR
100+	3.5 EUR
250+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R145CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

auf Bestellung 1133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.97 EUR
10+	4.59 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R145CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R150G7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.38 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V

auf Bestellung 1299 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.2 EUR
10+	4.74 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT60R150G7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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MOSFETs HIGH POWER NEW

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