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MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1952 Stücke:

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1+	9.95 EUR
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500+	4.06 EUR
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1800+	3.8 EUR

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IPTC019N10NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTC019N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 1900 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 279A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1679 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.45 EUR
34+	6.96 EUR
100+	4.95 EUR
500+	4.47 EUR
1000+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IPTC019N10NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

auf Bestellung 2837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.2 EUR
10+	6.78 EUR
100+	4.84 EUR
500+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTC019N10NM5ATMA1

auf Bestellung 1679 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.95 EUR
500+	4.47 EUR
1000+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPTC020N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	22.56 EUR
50+	14.32 EUR
100+	10.17 EUR
500+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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IPTC020N13NM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 135V; 297A; 395W; PG-HDSOP-16
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 297A
Power dissipation: 395W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	7.76 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTC020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTC020N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	22.56 EUR
50+	14.32 EUR
100+	10.17 EUR
500+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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IPTC020N13NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.99 EUR
10+	12.98 EUR
100+	10.7 EUR
500+	9.56 EUR
1000+	8.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

auf Bestellung 2096 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.77 EUR
10+	10.72 EUR
100+	7.87 EUR
500+	7.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

auf Bestellung 182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.21 EUR
10+	10.32 EUR
100+	7.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTC025N15NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPTC025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC026N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V

auf Bestellung 111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.57 EUR
10+	9.15 EUR
100+	6.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC026N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC026N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.2 EUR
10+	7.79 EUR
100+	6.34 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	6.22 EUR
1800+	5.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC02YK14-19P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC034N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

auf Bestellung 1185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.58 EUR
10+	7.06 EUR
100+	5.07 EUR
500+	4.57 EUR
1000+	4.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC034N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V

auf Bestellung 2382 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.88 EUR
10+	7.96 EUR
100+	5.74 EUR
500+	5.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC034N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC039N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC039N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC039N15NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 5714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.07 EUR
10+	8.82 EUR
100+	6.41 EUR
500+	6.09 EUR
1000+	5.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC039N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

auf Bestellung 7101 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.52 EUR
10+	8.41 EUR
100+	6.08 EUR
500+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC039N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 19800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	9.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC044N15NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 2764 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.07 EUR
10+	8.15 EUR
100+	6.24 EUR
500+	5.59 EUR
1000+	5.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC044N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC044N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1617 Stücke:

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15+	16.77 EUR
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IPTC044N15NM5ATMA1

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IPTC044N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V

auf Bestellung 1551 Stücke:

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10+	8.13 EUR
100+	5.87 EUR
500+	5.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V

auf Bestellung 3331 Stücke:

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10+	7.46 EUR
100+	5.37 EUR
500+	4.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC054N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 341 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2264 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.35 EUR
10+	8.96 EUR
25+	8.84 EUR
100+	6.56 EUR
500+	5.53 EUR
1800+	5.18 EUR

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IPTC054N15NM5ATMA1

auf Bestellung 341 Stücke:

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24+	10.82 EUR
33+	7.08 EUR
100+	4.93 EUR

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IPTC063N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.33 EUR
500+	5.09 EUR
1000+	4.99 EUR

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IPTC063N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.56 EUR
10+	7.03 EUR
100+	5.05 EUR
500+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTC063N15NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.29 EUR
10+	6.66 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	4.38 EUR
1800+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC063N15NM5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC063N15NM5ATMA1

auf Bestellung 1470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.95 EUR
29+	8.06 EUR
100+	5.33 EUR
500+	5.09 EUR
1000+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC063N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Description: IPTC068N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

auf Bestellung 2685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.4 EUR
10+	10.45 EUR
100+	7.65 EUR
500+	7.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Description: IPTC068N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	6.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

auf Bestellung 3254 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.35 EUR
10+	11 EUR
100+	8.08 EUR
500+	8.02 EUR
1000+	7.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTE071YK14-15SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTF07PP10-7PSF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTF07PP10-7SPF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	5.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.22 EUR
18+	10.07 EUR
50+	8.91 EUR
100+	8.26 EUR
200+	7.74 EUR
500+	7.18 EUR
1000+	6.62 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	16.9 EUR
22+	10.95 EUR
100+	8.09 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.73 EUR
10+	8.52 EUR
100+	7.08 EUR
500+	6.76 EUR
1000+	6.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.88 EUR
10+	8.59 EUR
100+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 46800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	7.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	16.9 EUR
22+	10.95 EUR
100+	8.09 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1541 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.15 EUR
18+	13.19 EUR
100+	9.62 EUR
500+	9.56 EUR
1000+	7.87 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

auf Bestellung 1541 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.15 EUR
18+	13.19 EUR
100+	9.62 EUR
500+	9.56 EUR
1000+	7.87 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.14 EUR
10+	6.76 EUR
100+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTG011N08NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 107 Stücke:

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1+	12.92 EUR
10+	8.65 EUR
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IPTG014N10NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

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IPTG014N10NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 28267 Stücke:

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141+	4.65 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	4 EUR
10000+	3.69 EUR

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IPTG014N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1183 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.44 EUR
500+	5.33 EUR
1000+	4.8 EUR

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IPTG014N10NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	3.78 EUR

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IPTG014N10NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 548 Stücke:

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141+	4.65 EUR
500+	4.36 EUR

Mindestbestellmenge: 141 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

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IPTG014N10NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1697 Stücke:

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1+	13.07 EUR
10+	8.76 EUR
100+	7.03 EUR
500+	6.26 EUR
1000+	5.59 EUR

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IPTG014N10NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 843 Stücke:

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141+	4.65 EUR
500+	4.36 EUR

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IPTG014N10NM5ATMA1

auf Bestellung 1183 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	11.15 EUR
29+	8.16 EUR
100+	5.44 EUR
500+	5.33 EUR
1000+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 1775 Stücke:

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25+	7.2 EUR
50+	6.93 EUR
200+	6.76 EUR
500+	6.59 EUR
1000+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 2691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.95 EUR
10+	6.64 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTG017N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.15 EUR
10+	8.16 EUR
100+	5.93 EUR
500+	5.4 EUR
1800+	5.09 EUR

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IPTG017N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.1 EUR
10+	10.97 EUR
100+	8.07 EUR
500+	7.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTG017N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.29 EUR
16+	15.15 EUR
19+	11.44 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.22 EUR
250+	9.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPTG017N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTG017N12NM6ATMA1

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.29 EUR
16+	15.15 EUR
19+	11.44 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.22 EUR
250+	9.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPTG018N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTG018N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 253A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.04 EUR
10+	6 EUR
100+	4.28 EUR
500+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTG018N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N08NM5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 273A Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.23 EUR
10+	6.15 EUR
100+	4.39 EUR
500+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 273A Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N10NM5ATMA1

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.67 EUR
50+	13.36 EUR
100+	9.15 EUR
500+	9.1 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 1224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.2 EUR
10+	12.44 EUR
100+	10.26 EUR
500+	9.15 EUR
1000+	8.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.67 EUR
50+	13.36 EUR
100+	9.15 EUR
500+	9.1 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.37 EUR
10+	11.19 EUR
100+	8.25 EUR
500+	8.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTG025N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.73 EUR
10+	5.78 EUR
100+	4.11 EUR
500+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

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IPTG025N10NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPTG025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

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