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NVMFWS024N06CT1G

Description: T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.53 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS024N06CT1G

Description: T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.98 EUR
3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS025P04M8LT1G

Description: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1434 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.65 EUR
16+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS025P04M8LT1G

ON Semiconductor

Power MOSFET, Single P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS025P04M8LT1G

MOSFETs MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS025P04M8LT1G

Description: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS027N10MCLT1G

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL

auf Bestellung 827 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR
1500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS027N10MCLT1G

Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6655 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.03 EUR
11+	1.93 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS027N10MCLT1G

Description: PTNG 100V LL SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.81 EUR
3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS040N10MCLT1G

Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS040N10MCLT1G

Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2279 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.49 EUR
14+	1.57 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS040N10MCLT1G

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.67 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D45N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

auf Bestellung 4152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.09 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.58 EUR
500+	3.47 EUR
1000+	3.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMET1G

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMET1G

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.36 EUR
10+	6.83 EUR
100+	5.01 EUR
500+	4.32 EUR
1000+	3.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMT1G

ON Semiconductor

Power MOSFET, Single N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D4N04XMT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 132nC
On-state resistance: 420µΩ
Power dissipation: 197W
Kind of channel: enhancement
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 509A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D5N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.19 EUR
10+	6.05 EUR
100+	4.89 EUR
500+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D5N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

auf Bestellung 1176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.96 EUR
10+	5.24 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.14 EUR
1000+	3.06 EUR
1500+	2.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D5N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	3.72 EUR
3000+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D63N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 1774 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.62 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.67 EUR
1000+	2.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D6N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.66 EUR
10+	5.05 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D7N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 22808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.62 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.07 EUR
1500+	2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D7N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V

auf Bestellung 1280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.83 EUR
10+	4.45 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D7N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D9N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 2281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D9N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3896 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D9N04XMT1G

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS0D9N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3896 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.31 EUR
10+	4.81 EUR
100+	3.38 EUR
500+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D1N04XMT1G

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D1N04XMT1G

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D1N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 5721 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.07 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.68 EUR
1500+	1.59 EUR
3000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D3N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.13 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D5N08XT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 253A; Idm: 1071A; 194W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 1.43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 194W
Drain current: 253A
Pulsed drain current: 1071A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D5N08XT1G

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D5N08XT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 253A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVMFWS1D5N08XT1G

MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

auf Bestellung 7755 Stücke:

Lieferzeit 255-259 Tag (e)

1+	8.63 EUR
10+	5.65 EUR
100+	4.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D5N08XT1G

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D7N04XMT1G

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.12 EUR
3000+	1.09 EUR
4500+	1.07 EUR
7500+	1.06 EUR
10500+	1.05 EUR
15000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVMFWS1D7N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

auf Bestellung 7648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.26 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.14 EUR
1500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D7N04XMT1G

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 22445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.26 EUR
13+	1.63 EUR
25+	1.48 EUR
100+	1.31 EUR
250+	1.23 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D9N08XT1G

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D9N08XT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 201A; Idm: 866A; 164W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 164W
Drain current: 201A
Pulsed drain current: 866A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D9N08XT1G

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS1D9N08XT1G

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

auf Bestellung 1965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.76 EUR
10+	4.44 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D1N08XT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 148W
Drain current: 181A
Pulsed drain current: 761A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D1N08XT1G

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.99 EUR
3000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D1N08XT1G

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.15 EUR
10+	4.3 EUR
100+	3.39 EUR
250+	3.14 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.45 EUR
1500+	2.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D1N08XT1G

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20674 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.06 EUR
10+	3.95 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3N04XM

Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.00235 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	2.65 EUR
116+	2 EUR
149+	1.44 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 3314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.18 EUR
1500+	1.11 EUR
3000+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3N04XMT1G

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3P04M8LT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3P04M8LT1G

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.02 EUR
10+	5.3 EUR
100+	3.74 EUR
500+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3P04M8LT1G

MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.79 EUR
10+	5.3 EUR
25+	5.28 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3P04M8LT1G

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D3P04M8LT1G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5
Case: DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -900A
Drain current: -222A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement

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NVMFWS2D5N08XT1G

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

auf Bestellung 22063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.15 EUR
10+	4 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.26 EUR
1500+	2.12 EUR

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NVMFWS2D5N08XT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 156A; Idm: 640A; 133W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 2.55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 133W
Drain current: 156A
Pulsed drain current: 640A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement

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NVMFWS2D5N08XT1G

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 13470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.2 EUR
10+	4.05 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS2D5N08XT1G

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	2.02 EUR
3000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVMFWS2D9N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

auf Bestellung 9571 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.09 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.96 EUR
1500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NVMFWS3D0N08XT1G

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 135 A, 3 mohm

auf Bestellung 1502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.78 EUR
1500+	1.69 EUR
3000+	1.64 EUR

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NVMFWS3D0P04M8LT1G

MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A Wettable Option

auf Bestellung 681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.53 EUR
10+	4.3 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.4 EUR
1500+	2.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS3D0P04M8LT1G

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVMFWS3D0P04M8LT1G

On Semiconductor

P-Channel 40 V 28A DFN-5 Транзистори

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NVMFWS3D0P04M8LT1G

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.43 EUR
10+	4.25 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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NVMFWS3D0P04M8LT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVMFWS3D5N08XT1G

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 119 A, 3.5 mohm

auf Bestellung 1444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.69 EUR
1500+	1.59 EUR
3000+	1.55 EUR

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NVMFWS3D6N10MCLT1G

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 131 A, 3.6mohm

auf Bestellung 11698 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	4.11 EUR
100+	3.36 EUR
500+	3.09 EUR
1000+	3.08 EUR

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NVMFWS3D6N10MCLT1G

Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS3D6N10MCLT1G

Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.46 EUR
10+	4.34 EUR
100+	3.82 EUR
500+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS4D0N04XMT1G

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 67456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.57 EUR
19+	1.13 EUR
25+	1.02 EUR
100+	0.9 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS4D0N04XMT1G

Description: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	2.12 EUR
182+	1.27 EUR
222+	0.96 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 118 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS4D0N04XMT1G

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.76 EUR
3000+	0.74 EUR
4500+	0.73 EUR
7500+	0.71 EUR
15000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS4D0N04XMT1G

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

auf Bestellung 2758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.65 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR
1500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS4D5N08XT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS4D5N08XT1G

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 92 A, 4.5 mohm

auf Bestellung 1322 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	2.78 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.39 EUR
1500+	1.29 EUR
3000+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS6D2N08XT1G

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71 A, 6.2 mohm

auf Bestellung 1164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.18 EUR
1500+	1.07 EUR
3000+	1.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS9D6P04M8LT1G

Description: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.27 EUR
10+	2.67 EUR
25+	2.25 EUR
100+	1.77 EUR
250+	1.54 EUR
500+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS9D6P04M8LT1G

MOSFETs MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EXPANSION

auf Bestellung 1226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFWS9D6P04M8LT1G

Description: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD010N10MCLTWG

MOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 374-378 Tag (e)

1+	6.26 EUR
10+	4.06 EUR
100+	2.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD010N10MCLTWG

Description: PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD010N10MCLTWG

Description: PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD012N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V LFPACK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD012N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V LFPACK56
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.44 EUR
10+	2.77 EUR
25+	2.34 EUR
100+	1.84 EUR
250+	1.61 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD012N04CLTWG

MOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD012N06CLTWG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVMJD012N06CLTWG

MOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

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NVMJD012N06CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8
Case: LFPAK8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.5nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 21W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 153A
Kind of channel: enhancement

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NVMJD012N06CLTWG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

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NVMJD015N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

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NVMJD015N04CLTWG

MOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD015N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMJD015N06CLTWG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

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