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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.81 EUR
128+1.32 EUR
143+1.13 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP8NC60KD - IGBT, 15 A, 2.2 V, 65 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 6A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsIGBT Transistors 600 V - 6 A Hyper fast IGBT
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714000mW Automotive 9-Pin SMIT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Power - Max: 714 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Part Status: Active
Gate Charge: 554 nC
Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A
Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.64 EUR
10+30.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.28 EUR
10+26.68 EUR
100+22.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 69A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.42 EUR
10+33.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Dauerkollektorstrom: 69A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+33.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.33 EUR
10+25.26 EUR
100+24.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 269A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+33.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.07 EUR
10+26.49 EUR
100+22.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.73 EUR
7+37.4 EUR
10+33.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+13.95 EUR
25+12.92 EUR
100+11.54 EUR
250+11.19 EUR
600+10.22 EUR
1200+8.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 288 nC
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.15 EUR
30+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW100H65FB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.97 EUR
19+12.28 EUR
24+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
600+1.77 EUR
1200+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMicroelectronicsТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 30, Pmax, Вт = 259, Uce(on), В = 2,6, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 23, td(off), нс = 111,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+4.86 EUR
25+4.58 EUR
100+3.92 EUR
250+3.71 EUR
600+3.47 EUR
1200+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
30+3.8 EUR
120+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2STMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 67 nC
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW15H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.69 EUR
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1770 Stücke:
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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3000+3.52 EUR
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+7.39 EUR
25+7.02 EUR
100+6.09 EUR
250+5.84 EUR
600+4.55 EUR
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+6.78 EUR
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STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.8 EUR
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STGW15S120DF3STMIGBT 1200V 15A TO-247-3 Транзистори
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STGW15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STGW15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW15S120DF3STMSTGW15S120DF3 STGW15S120D IGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
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STGW15S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STGW18IH120DFSTMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
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STGW19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Power - Max: 140 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW19NC60HDST42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 140W
Gate charge: 53nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Mounting: THT
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.99 EUR
20+4.4 EUR
25+3.51 EUR
30+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
30+3.94 EUR
120+3.22 EUR
510+2.7 EUR
1020+2.51 EUR
2010+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW19NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.36 EUR
100+2.93 EUR
600+2.76 EUR
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STGW19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A 140W TO247
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 140 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors 19A 600V ULT FS IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
67+3.5 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
30+3.12 EUR
120+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+5.84 EUR
25+5.51 EUR
100+4.77 EUR
600+4.08 EUR
1200+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
31+5.7 EUR
48+3.5 EUR
50+3.38 EUR
100+2.81 EUR
250+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
30+3.63 EUR
120+2.96 EUR
510+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DF
Produktcode: 180888
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.09 EUR
30+5.64 EUR
48+3.4 EUR
50+3.24 EUR
100+2.62 EUR
250+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
58+4.06 EUR
100+3.11 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STGW20N60V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60HDSTMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60HD
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60HDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 50A 170W TO247
Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60KDSTMN- Channel, 20A, 600V, TO-247 Транзистори
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STGW20NB60KDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.64 EUR
1020+2.52 EUR
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STGW20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.84 EUR
44+5.32 EUR
100+4.22 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+4.9 EUR
100+4.13 EUR
600+3.61 EUR
1200+3.56 EUR
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.28 EUR
29+2.94 EUR
31+2.77 EUR
33+2.61 EUR
60+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
30+5.07 EUR
120+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW20NC60V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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STGW20NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.64 EUR
27+3.2 EUR
29+3 EUR
30+2.86 EUR
33+2.64 EUR
60+2.4 EUR
90+2.31 EUR
120+2.25 EUR
150+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STGW20NC60VD
Produktcode: 33417
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 31/100
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1+5.09 EUR
10+4.7 EUR
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STGW20NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
30+4.08 EUR
120+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW20NC60VDST60A; 600V; 200W; IGBT   STGW20NC60VD STMicroelectronics TSTGW20nc60vd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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