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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGP7NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Switching Energy: 140µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NB60KDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NB60KDFP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NB60MSTMicroelectronicsIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NB60MDSTMicroelectronicsIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HSTMIGBT N-CHAN 25A 600V TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.28 EUR
40+2.13 EUR
44+1.94 EUR
52+1.67 EUR
61+1.42 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMIGBT 600V 25A 80W TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs IGBT
auf Bestellung 3193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+1.93 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.07 EUR
4000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
50+1.96 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
101+1.65 EUR
114+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
101+1.69 EUR
114+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.07 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HD
Produktcode: 14726
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: <2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 25 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 14 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220   STGP7NC60HD TSTGP7nc60hd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP7NC60HD - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
108+2.15 EUR
125+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8H60DF2STMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8H60DF2STMicroelectronicsDescription: STGP8H60DF2
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+6.95 EUR
100+5.13 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.06 EUR
2000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8M120DF3STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KD
Produktcode: 87249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.34 EUR
144+1.19 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP8NC60KD - IGBT, 15 A, 2.2 V, 65 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
141+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.14 EUR
52+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.77 EUR
128+1.3 EUR
143+1.12 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 6A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsIGBT Transistors 600 V - 6 A Hyper fast IGBT
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Power - Max: 714 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Part Status: Active
Gate Charge: 554 nC
Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A
Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.64 EUR
10+30.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714000mW Automotive 9-Pin SMIT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Dauerkollektorstrom: 69A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.28 EUR
10+26.68 EUR
100+22.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.33 EUR
10+25.26 EUR
100+24.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 536W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 69A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.51 EUR
7+35.46 EUR
10+27.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.07 EUR
10+26.49 EUR
100+22.41 EUR
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STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.28 EUR
10+34.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 269A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: SMT
Produkt ist nicht verfügbar
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STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+34.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 288 nC
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.15 EUR
30+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGW100H65FB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.9 EUR
18+12.97 EUR
23+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+13.95 EUR
25+12.92 EUR
100+11.54 EUR
250+11.19 EUR
600+10.22 EUR
1200+8.73 EUR
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STGW10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
600+1.77 EUR
1200+1.49 EUR
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STGW10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
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STGW10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW15H120DF2STMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 30, Pmax, Вт = 259, Uce(on), В = 2,6, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 23, td(off), нс = 111,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.02 EUR
100+3.28 EUR
600+2.76 EUR
1200+2.67 EUR
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STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 67 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+7.39 EUR
25+7.02 EUR
100+6.09 EUR
250+5.84 EUR
600+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.64 EUR
3000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.64 EUR
3000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15S120DF3STMIGBT 1200V 15A TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15S120DF3STMSTGW15S120DF3 STGW15S120D IGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW18IH120DFSTMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Power - Max: 140 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.36 EUR
100+2.93 EUR
600+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.99 EUR
20+4.4 EUR
25+3.51 EUR
30+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDST42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
30+4.46 EUR
120+3.67 EUR
510+3.08 EUR
1020+2.87 EUR
2010+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A 140W TO247
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 140 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors 19A 600V ULT FS IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
30+3.38 EUR
120+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
67+3.5 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+5.84 EUR
25+5.51 EUR
100+4.77 EUR
600+4.08 EUR
1200+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.25 EUR
55+4.27 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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