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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

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TSM60NB260CI C0G

MOSFET 600V, 13A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2065 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.66 EUR
10+	13.26 EUR
100+	10.97 EUR
500+	9.56 EUR
1000+	8.33 EUR
2000+	8.02 EUR
4000+	7.9 EUR

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TSM60NB380CF

Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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TSM60NB380CF C0G

Description: MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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TSM60NB380CF C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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TSM60NB380CF C0G

MOSFET 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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TSM60NB380CF C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

269+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 269 Stücke

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TSM60NB380CH

Description: 600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

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TSM60NB380CH C5G

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 1875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

174+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 174 Stücke

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TSM60NB380CH C5G

MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB380CH C5G

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB380CH C5G

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB380CP

Description: 600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB380CP ROG

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.65 EUR
10+	3.84 EUR
100+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB380CP ROG

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB380CP ROG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.69 EUR
35+	2.43 EUR
40+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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TSM60NB380CP ROG

MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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TSM60NB600CF C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CF C0G

MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 8A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CF C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

309+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 309 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CF C0G

Description: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S

auf Bestellung 3582 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
10+	6.89 EUR
100+	5.65 EUR
500+	4.81 EUR
1000+	4.06 EUR
2000+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CH C5G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

373+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 373 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CH C5G

MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CP ROG

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CP ROG

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CP ROG

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.74 EUR
66+	2.45 EUR
100+	2.34 EUR
250+	2.25 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.03 EUR
3000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CP ROG

MOSFET 600V, 7A, 0.6OHMS N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB600CP ROG

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252

auf Bestellung 4999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.1 EUR
10+	6.37 EUR
100+	5.21 EUR
500+	4.44 EUR
1000+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CH

Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CH C5G

MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CH C5G

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CH C5G

TSM60NB900CH C5G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Arrow.com

auf Bestellung 14995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.63 EUR
75+	2.25 EUR
100+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CP

Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CP ROG

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CP ROG

MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NB900CP ROG

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.92 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NBI190CI C0G

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC165CI

Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC165CI C0G

Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V

auf Bestellung 3989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.3 EUR
10+	4.46 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC165CI C0G

LDO Voltage Regulators 600V, 24A, Single N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC196CF C0G

MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC196CI C0G

Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 300 V

auf Bestellung 3766 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.97 EUR
10+	4.59 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC196CIT C0G

MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC196CM2 RNG

Description: 600V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.99 EUR
1600+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC196CM2 RNG

Description: 600V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)

auf Bestellung 2397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.59 EUR
10+	5.55 EUR
100+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC1R5CH C5G

Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 14990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.51 EUR
75+	1.2 EUR
150+	0.95 EUR
525+	0.81 EUR
1050+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC1R5CP ROG

Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.88 EUR
5000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC1R5CP ROG

MOSFET 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.78 EUR
10+	5.21 EUR
100+	4.19 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	2.84 EUR
2500+	2.67 EUR
5000+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC1R5CP ROG

Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 10355 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.12 EUR
13+	1.75 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CH C5G

MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.12 EUR
10+	3.97 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.07 EUR
2500+	2.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CH C5G

Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 100 V

auf Bestellung 12981 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.05 EUR
75+	1.93 EUR
150+	1.84 EUR
525+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CI C0G

MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.43 EUR
10+	2.12 EUR
100+	2.07 EUR
500+	2.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CI C0G

Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CP ROG

Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CP ROG

MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.12 EUR
10+	3.97 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.2 EUR
2500+	2.05 EUR
10000+	2.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC390CP ROG

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC620CH C5G

Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501 pF @ 300 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.01 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.43 EUR
2000+	1.36 EUR
5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC620CI C0G

MOSFET 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.72 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.48 EUR
250+	2.28 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.87 EUR
2000+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC620CI C0G

Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.15 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.7 EUR
2000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC620CP ROG

Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.52 EUR
10+	2.9 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC620CP ROG

MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.61 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC620CP ROG

Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.32 EUR
5000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC980CH C5G

Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

auf Bestellung 13114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.12 EUR
11+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC980CH C5G

MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.07 EUR
3750+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC980CP ROG

Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.67 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC980CP ROG

Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.02 EUR
5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NC980CP ROG

MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4477 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.72 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR
2500+	1.05 EUR
5000+	1.04 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE048PW C0G

MOSFETs 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.24 EUR
10+	22.22 EUR
25+	21.63 EUR
50+	20.42 EUR
100+	19.23 EUR
300+	18.62 EUR
600+	17.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE048PW C0G

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5023 pF @ 300 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.87 EUR
10+	21.03 EUR
300+	17.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069CIT C0G

MOSFETs 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069CIT C0G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 89W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069CIT C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) ITO-220TL

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069CIT C0G

Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3551 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.43 EUR
10+	15.8 EUR
100+	13.17 EUR
500+	11.61 EUR
1000+	10.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069CIT C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) ITO-220TL

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.64 EUR
39+	4.4 EUR
100+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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TSM60NE069CIT C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) ITO-220TL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069PW C0G

Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	19.9 EUR
10+	17.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069PW C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247

auf Bestellung 300 Stücke:

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33+	5.39 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069PW C0G

MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.07 EUR
10+	15.33 EUR
100+	11.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069PW C0G

Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.44 EUR
100+	5.18 EUR
300+	4.81 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE069PW C0G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE084CIT C0G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 83W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE084CIT C0G

Description: 600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.27 EUR
10+	12.53 EUR
100+	9.29 EUR
500+	8.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE084PW C0G

Description: 600V, 42A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 14A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 300 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.89 EUR
10+	14.47 EUR
300+	11.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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TSM60NE110CE RVG

MOSFETs 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE110CE RVG

Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.83 EUR
10+	7.96 EUR
100+	5.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE110CE RVG

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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TSM60NE110CIT C0G

MOSFET 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE110CIT C0G

Description: 600V, 17A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.6A, 12V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.96 EUR
10+	10.26 EUR
100+	8.54 EUR
500+	7.53 EUR
1000+	6.78 EUR
2000+	6.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE110TL RAG

Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.73 EUR
10+	7.91 EUR
100+	5.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE110TL RAG

Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE145CIT C0G

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.8A, 12V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.9 EUR
10+	7.46 EUR
100+	6.05 EUR
500+	5.37 EUR
1000+	4.59 EUR
2000+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE180CE RVG

Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE180CE RVG

MOSFETs 600V, 20A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE180CE RVG

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE180CIT C0G

Description: 600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 4.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.16 EUR
10+	5.44 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE180CIT C0G

MOSFETs 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.25 EUR
10+	6.83 EUR
100+	4.46 EUR
500+	4.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE200CIT C0G

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 300 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.28 EUR
10+	4.83 EUR
100+	3.44 EUR
500+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE200CIT C0G

MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs

auf Bestellung 1984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.84 EUR
10+	5.87 EUR
100+	4.57 EUR
500+	4.06 EUR
1000+	3.86 EUR
2000+	3.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE285CE RVG

MOSFETs 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM60NE285CE RVG